Влияние легирования на электронную структуру сверхпроводящих соединений типа А15 на основе ванадия Соу, Бобо

brief description

Соу, Бобо.
Влияние легирования на электронную структуру сверхпроводящих соединений типа А15 на основе ванадия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Ростов-на-Дону, 1984. - 113 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Соу, Бобо
1. ВВЕДЕНИЕ.
2. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СВЕРХПРОВОДНИКОВ СО СТРУКТУРОЙ
AI5 И РЕНТГЕНО СПЖТРАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1. Физические свойства, сверхпроводников со структурой
2.1.1. Кристаллическая структура, AI5.
2.1.2. Сверхпроводимость и свойства, металла, в нормальном состоянии.IV
2.1.3. Магнитные свойства сверхпроводников
2.1.4. Электронная структура сверхпроводников типа AI
2.2. Рентгеноспектральные методы исследования сверхпроводников типа AI
2.2.1. Рентгеноспектральный метод определения зарядов на атомах.
2.2.2. Рентгеноспектральный метод оценок электронной восприимчивости соединений.
2.2.3. Рентгеноспектральный метод исследования спинового состояния переходных атомов по рентгеновским
К Pi?' ~ линиям.
3. МЕТОДИКА РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫХ ИССЛВДОВАНШ.
3.1. Вакуумный двукристальный рентгеновский спектрометр.
3.2. Приготовление образцов исследованных соединений и сплавов.
3.3. Методика получения рентгеновских эмиссионных полос кремния и ванадия
3.4. Методика, определения энергетических сдвигов Ko(v~2. и K^i,ц - спектров кремния и ванадия в соединениях.
3.5. Методика обработки VKfif' - спектров.
4. РЕНТГЕНОВСКИЕ СПЕКТРЫ И ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА
СПЛАВОВ ТИПА AI5 НА ОСНОВЕ ВАНАДИЯ.
4.1. Рентгеновские эмиссионные полосы кремния и ванадия и электронная энергетическая структура, сплавов AI5.
4.1.1. Рентгеновские эмиссионные К-полосы кремния и ванадия в сплавах VblSC-GH и VilGa.G*)
4.1.2. Электронная энергетическая структура сплавов
V3(s>i-Gn и V3tGa.Ge)
4.2. Энергетические сдвиги - линий кремния и ванадия и заряда на, этих атомах в сплавах AI5.
4.2.1. Энергетические сдвиги - линий ванадия и кремния в сплавах V4(.Si-Ge) , Mj^Ga- Gt) и VsUl-Gel
4.2.2. Заряды на атомах кремния и ванадия в сплавах V3Csc.Ge) » и VslM-Gd
4.3. Рентгеновские эмиссионные VKj>- спектры и спиновое состояние а,томов ванадия в спла,вах AI5. . . SO
5. ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭЛЕКТРОННОЙ ПОДСИСТЕМЫ И ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СПЛАВОВ ТИПА AI5 НА ОСНОВЕ ВАНАДИЯ.
5.1. Влияние легирования на электронную восприимчивость соединений AI5.
5.2. Характеристики электронной подсистемы и физические свойства сплавов M^^Si- 0г)
5.3. Характеристики электронных подсистем и физические свойства, сплавов VblM- Ge. ) , N[j(G«-- бО и
V3CSUA4)