catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл: 
- title:
- Взаимодействие акцепторов III группы с собственными точечными дефектами в кремнии Маргарян, Мкртич Арестакесович
- Альтернативное название:
- Interaction of III group acceptors with intrinsic point defects in silicon Margaryan, Mkrtich Arestakesovich
- The year of defence:
- 1984
- brief description:
- Маргарян, Мкртич Арестакесович.
Взаимодействие акцепторов III группы с собственными точечными дефектами в кремнии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1984. - 168 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Маргарян, Мкртич Арестакесович
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ОБРАЗОВАНИЕ И СВОЙСТВА РАДИАЦИОННЫХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ
§ I. Образование точечных дефектов структуры под действием быстрых электронов и гамма-лучей посредством механизма упругого смещения
§ 2. Собственные точечные дефекты структуры в кремнии а) Близкая пара. б) Собственный межузельный атом. в) Вакансия г) Ассоциации собственных дефектов
§ 3. Миграция собственных радиационных дефектов.
§ 4. Взаимодействие собственных точечных дефектов с примесями. Основные типы комплексов в кремнии а) Комплекс вакансия-примесь Ш группы. б) Комплекс вакансия-примесь 1У группы в) Комплекс вакансия-примесь У группы. г) Примесные межузельные атомы и комплексы с их участием
- Стоимость доставки:
- 650.00 руб