Взаимодействие радиационных дефектов с неравновесными носителями заряда в ковалентных полупроводниках Мизрухин, Леонид Вениаминович

brief description

Мизрухин, Леонид Вениаминович.
Взаимодействие радиационных дефектов с неравновесными носителями заряда в ковалентных полупроводниках : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Киев, 1985. - 165 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Мизрухин, Леонид Вениаминович
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ.
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ОБРАЗОВАНИЕ И ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ ЭЛЕКТРОННОЙ ПОДСИСТЕМЫ (обзор литературных данных).
§ I.I. Возбуждение электронной подсистемы высокоэнергетическиш частицами,инжекцией и лазерным излучением
1.1.1. Гамма-кванты
1.1.2. Быстрые электроны
1.1.3. Ионизация электронами допороговых энергий
1.1.4. Инжекция и лазерное излучение.
§ 1.2. Кинетика накопления радиационных-дефектов и интенсивность потока высокоэнергетических электронов и гамма-квантов.
1.2.1. Влияние интенсивности в модели барьера комплексообразования.
1.2.2. Интенсивность облучения и скорость аннигиляции генетических компонентов пар Френкеля
1.2.3. Интенсивность облучения и мощность стоков радиационных дефектов
1.2.4. Стационарное облучение с "подсветкой"
§ 1.3. Ускорение отжига ионизацией
1.3.1. Микроскопические модели
1.3.2. Термодинамические теории.
Выводы.
ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РЕЛАКСАЦИИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В КОВАЛЕНТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ И ФОТОНАМИ.
§ 2.1. Введение.,.
§ 2.2. Рекомбинационные свойства кремния,облученного мощными импульсами электронов
2.2.1. Физические основы метода облучения
2.2.2. Методика облучения мощными электронными импульсами
2.2.3. Экспериментальные результаты.
§ 2.3. Процессы релаксации неравновесных носителей заряда при облучении мощными оптическими импульсами
§ 2.4. Термически стимулированная излучательная рекомбинация в облученных синтетических алмазах
2.4.1. Термолюминесценция природных и синтетических алмазов.
2.4.2. Методика исследования термолюминесценции облученных синтетических алмазов
2.4.3. Влияние ионизирующих излучений на параметры термолюминесценции синтетических алмазов
2.4.4. Кинетика накопления и релаксации энергии при облучении р-алмаза
Выводы.
ПАВА 3. КИНЕТИКА НАКОПЛЕНИЯ И ОТЖИГА РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ
ПРИ МАЛОМ УРОВНЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПОДСИСТЕМЫ
§ 3.1. Введение.
§ 3.2. Зависимость эффективности введения дефектов в п. -германий от интенсивности потока электронов и гамма-квантов.
3.2.1. Интенсивность облучения и зарядовые состояния точечных дефектов.
3.2.2. Экспериментальные результаты
§ 3.3. Образование и отжиг дефектов в п. -германии при независимом от дефектообразующего излучения возбуждении электронной подсистемы
3.3.1. Инжекция неосновных носителей в процессе облучения .••.•.•••
3.3.2. Отжиг радиационных дефектов, ускоренный возбувдением электронной подсистемы.
§ 3.4. Некоторые теоретические подходы к описанию взаимодействия неравновесных носителей заряда с радиационными дефектами
3.4.1. Влияние неравновесных носителей заряда на процесс аннигиляции-распада генетических пар Френкеля и эффективность введения дефектов при облучении. III
3.4.2. Термодинамическая теория ускорения отжига неравновесными носителями
Выводы.
ГЛАВА 4. ОБРАЗОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ГЕРМАНИИ и- -ТИПА ПОД ДЕЙСТВИЕМ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСОВ ВЫСОКОЭНЕРГЕТЙЧЕСКИХ ЭЛЕКТРОНОВ.
§ 4.1, Введение.
§ 4.2. Зависимость эффективности введения дефектов от интенсивности облучения
4.2.1. Особенности облучения мощными импульсами электронов
4.2.2. Экспериментальные результаты.
§ 4.3. Экранирование компонентов пар Френкеля неравновесными носителями
§ 4.4. Распределение генетических пар Френкеля по расстояниям меаэду их компонентами в облученных кремнии и германии
4.4.1. Модель дефектообразования, основанная на концепции экранирования компонентов генетических пар Френкеля
4.4.2. Построение функции распределения
Выводы.