catalog / TECHNICAL SCIENCES / Materials Science
скачать файл: 
- title:
- Заславський Борис Григорович. Технологічні основи вирощування лужногалоїдних сцинтиляційних монокристалів із розплавів зі змінною геометрією вільної поверхні
- Альтернативное название:
- Заславский Борис Григорьевич. Технологические основы выращивания щелочногалоидных сцинтилляционных монокристаллов из расплавов с переменной геометрией свободной поверхности
- university:
- Інститут монокристалів НАН України, Харків
- The year of defence:
- 2005
- brief description:
- Заславський Борис Григорович. Технологічні основи вирощування лужногалоїдних сцинтиляційних монокристалів із розплавів зі змінною геометрією вільної поверхні : дис... д-ра техн. наук: 05.02.01 / НАН України; Інститут монокристалів. - Х., 2005
Заславський Б.Г.Технологічні основи вирощування лужногалоїдних сцинтиляційних монокристалів із розплавів зі змінною геометрією вільної поверхні. Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора технічних наук за спеціальністю 05.02.01 матеріалознавство. Інститут монокристалів НАН України, Харків, 2005.
Дисертація присвячена розробці принципів нового методу витягування кристалів із розплаву, геометрія вільної поверхні якого змінюється в тиглях перемінного по висоті перетину. У роботі також розглянуті технологічні основи автоматизованого вирощування великих (діаметром більш 500 мм і масою більш 250 кг) лужногалоїдних сцинтиляційних монокристалів новим методом.
Вперше переборено основний і принциповий недолік усіх методів витягування, який полягає в тому, що поперечний переріз вирощуваного кристала визначається площею початкової поверхні розплаву.
Запропоновано новий інформаційний параметр інтервал часу між дозованими підживленнями який дозволив розробити надійну і просту систему управління процесом і вперше у світовій практиці вирощування кристалів великих діаметрів автоматизувати стадію радіального росту.
На основі викладених принципів розроблено й освоєно у виробництві два типи автоматизованих універсальних установок та відповідні технологічні процеси для вирощування сцинтиляційних ЛГК великих діаметрів:
установки типа КРИСТАЛЛ” з підживленням розплавленою первинною сировиною;
установки типа КРОС” з підживленням дрібнокристалічною первинною сировиною.
Швидкість витягування кристалів Cs(Tl) діаметром до 440 мм складає до 6,3 мм/год, а кристалів Na(Tl) до 5 мм/год, що дозволило в 2 рази збільшити продуктивність ростового устаткування.
- Стоимость доставки:
- 125.00 грн