|
Загалом робіт:520
451. Юзвишин, Виктор Францович. Разработка технологических процессов и оборудования для операций гальванического осаждения в производстве электронной техники
Рік: 2000 452. Викулина, Лидия Федоровна. Магниточувствительные полупроводниковые сенсоры
Рік: 1999 453. Ильяшева, Екатерина Владимировна. Разработка стекловидного материала с низкой диэлектрической проницаемостью для толстопленочных элементов ГИС
Рік: 1999 454. Борзистая, Екатерина Леонидовна. Прогнозирование условий жидкофазной гетероэпитаксии профилированных структур InP/Ga x In1-x P y As1-y /InP для излучателей с 1,6 МКМ
Рік: 1998 455. Енишерлова-Вельяшева, Кира Львовна. Физико-технологические основы управления процессами дефектообразования в кремниевых полупроводниковых структурах
Рік: 1998 456. Кравченко, Константин Юрьевич. Получение тонких пленок Y Ba2Cu3O6+6 для устройств твердотельной электроники
Рік: 1998 457. Красовицкий, Дмитрий Михайлович. Закономерности пиролиза аммиакатов трихлоридов галлия и индия в процессе осаждения слоев GaN, InN In x Ga1-x N
Рік: 1998 458. Кукоз, Виктор Федорович. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в системе кремний-германий
Рік: 1998 459. Кулинич, Наталья Владимировна. Эволюция межфазных границ в процессе зонной перекристаллизации в поле температурного градиента с учетом гидродинамических эффектов
Рік: 1998 460. Кутовой, Сергей Александрович. Выращивание и лазерные свойства монокристаллов в лантан-скандиевого бората с редкоземельными активаторами
Рік: 1998 461. Лищук, Николай Вячеславович. Разработка холодных катодов на основе бериллия и алюминия для гелий-неоновых лазеров с повышенной долговечностью
Рік: 1998 462. Мармалюк, Александр Анатольевич. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия
Рік: 1998 463. Рябец, Сергей Иванович. Физико-химические особенности жидкой эпитаксии твердых растворов в системе Pb-Sn-Te-Se на диэлектрических подкладках
Рік: 1998 464. Сорокин, Святослав Игоревич. Разработка тонкопленочных сорбентов и микроэлектронных химических сенсоров на их основе для контроля содержания вредных и токсичных газов в атмосфере
Рік: 1998 465. Стасюк, Владимир Александрович. Изучение седловинных точек на поверхности ликвидуса и солидуса в тройных системах с трифторидами редкоземельных элементов
Рік: 1998 466. Столяров, Сергей Михайлович. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А3 В5 с заданными свойствами
Рік: 1998 467. Фитьо, Владимир Михайлович. Bыcoкoинформативные фотогермопластические системы для записи оптических голограмм
Рік: 1998 468. Циж, Богдан Романович. Разработка и исследование тонкопленочных структур для фотопреобразователей и оптических носителей информации
Рік: 1998 469. Часовникова, Елена Владимировна. Синтез и исследование стеклокристаллических композиционных материалов для изделий электронной техники
Рік: 1998 470. Чуканов, Сергей Владимирович. Обоснование и разработка способа прецизионного химико-механического полирования пластин кремния большого диаметра для СБИС субмикронного уровня
Рік: 1998 471. Шепетюк, Владимир Андреевич. Выращивание и свойства пленок AIVBVI для термоэлектрических и оптоэлектрических устройств
Рік: 1998 472. Галкин, Сергей Николаевич. Получение и исследование оптических и сцинтнлляционных кристаллов соединений типа А2В6
Рік: 1997 473. Козлов, Владимир Валентинович. Исследование и разработка технологии коллоидно-химического полирования поверхности арсенида галлия
Рік: 1997 474. Костромин, Сергей Викторович. Низкотемпературныая технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AlN"
Рік: 1997 475. Кустов, Тарас Владимирович. Разработка технологии материалов и позисторов на их основе для защиты от электрических перегрузок
Рік: 1997 476. Попова, Елена Евгеньевна. Получение бесконусных нитевидных кристаллов кремния для миниатюрных преобразователей температуры
Рік: 1997 477. Рощин, Владимир Михайлович. Формирование и исследование свойств тонких пленок вольфрама, полученных при импульсной конденсации электроэрозионной плазмы
Рік: 1997 478. Чиликина, Марина Валерьевна. Разработка и исследование материалов и технологиимногослойных металлодиэлектрических структурметодом диффузионной сварки
Рік: 1997 479. Авдиенко, Клавдия Ильинична. Получение, модификация, свойства кристаллов для акусто- и оптоэлектроники
Рік: 1996 480. Благин, Анатолий Вячеславович. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в многокомпонентных системах на основе антимонида индия
Рік: 1996 481. Бучинская, Ирина Игоревна. Высокоплотные материалы на основе фторида свинца
Рік: 1996 482. Веремьянина, Людмила Николаевна. Испарение мышьяка из галлиевых и индиевых растворов в условиях Ленгмюра
Рік: 1996 483. Забелина, Ирина Анатольевна. Синтез и выращивание кристаллов твердых растворов CuAl x In1-xS2 , CuInSe2x Te2(1-x) , CuGa x In1-x Te2 и исследование их свойств
Рік: 1996 484. Казаков, Виталий Викторович. Твердые растворы AlGainAsP на основе GaAs и InP, полученные в поле температурного градиента, и их свойства
Рік: 1996 485. Лебедева, Татьяна Анатольевна. Твердоэлектролитный сенсор галогенсодержащих веществ с чувствительным слоем молибдата калия-бария-гадолиния и активированным электродом
Рік: 1996 486. Лукина, Ирина Николаевна. Физико-химические основы процессов травления монокристаллических танталата и тетрабората лития
Рік: 1996 487. Распопина, Екатерина Владиславовна. Толстые пленки YBa2Cu3O7-8 на подложке Y2BaCuO5: получение, свойства, применение
Рік: 1996 488. Савинова, Ирина Геннадьевна. Выращивание крупных кристаллов моноалюмината иттрия методом горизонтально-направленной кристаллизации
Рік: 1996 489. Скоробогатова, Ольга Викторовна. Фазовые равновесия в системе Ba-Cu-O2
Рік: 1996 490. Турилин, Сергей Митрофанович. Экспериментальные исследование и численное моделирование газодинамических течений в процессе газофазной эпитаксии кремния
Рік: 1996 491. Шевченко, Андрей Геннадьевич. Разработка физико-химических основ получения многокомпонентных твердых растворов на основе InAs в поле температурного градиента
Рік: 1996 492. Галанин, Станислав Геннадьевич. Фазообразование и термостабильность пленок нитрида вольфрама на арсениде галлия, осаждаемых ионнолучевым расплылением
Рік: 1995 493. Есаулов, Николай Петрович. Физико-технологические основы разработок эффективных металлосплавных и металлооксидных катодных материалов и катодов на их основе для мощных ЭВП
Рік: 1995 494. Ковалгин, Алексей Юрьевич. Исследование процессов плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния
Рік: 1995 495. Кочурихин, Владимир Владимирович. Выращивание монокристаллов галлиевых гранатов с частичным замещением галлия ионами лютеция и иттербия
Рік: 1995 496. Моргунов, Игорь Викторович. Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния Р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксии
Рік: 1995 497. Мяльдун, Александр Зигмунтович. Воздействие низкочастотных вибраций на тепломассоперенос при выращивании кристаллов из жидкой фазы
Рік: 1995 498. Репин, Вадим Анатольевич. Разработка и исследование титанатных ситаллоцементов для толстопленочной электроники
Рік: 1995 499. Тришканева, Марина Валерьевна. Влияние условий синтеза и легирования на люминесцению и послесвечение ZrO2 Ti
Рік: 1995 500. Коростелин, Юрий Владимирович. Выращивание монокристаллов халькогенидов цинка и твердых растворов халькогенидов цинка и кадмия для оптоэлектронных приборов
Рік: 1994 |
