Балбеков Антон Олегович Методы и средства повышения устойчивости к многократным сбоям ячеек статической памяти и комбинационных элементов микросхем с проектными нормами уровня 65 нм



  • Назва:
  • Балбеков Антон Олегович Методы и средства повышения устойчивости к многократным сбоям ячеек статической памяти и комбинационных элементов микросхем с проектными нормами уровня 65 нм
  • Альтернативное название:
  • Балбеков Антон Олегович Методи та засоби підвищення стійкості до багаторазових збоїв осередків статичної пам'яті та комбінаційних елементів мікросхем з проектними нормами рівня 65 нм
  • Кількість сторінок:
  • 102
  • ВНЗ:
  • НИИСИ
  • Рік захисту:
  • 2022
  • Короткий опис:
  • Балбеков Антон Олегович Методы и средства повышения устойчивости к многократным сбоям ячеек статической памяти и комбинационных элементов микросхем с проектными нормами уровня 65 нм
    ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
    кандидат наук Балбеков Антон Олегович
    Введение

    1 Методика моделирования воздействия ТЗЧ на ИС с учетом топологии

    1.1 Обзор методов моделирования

    1.1.1 Аналитические методы

    1.1.2 Моделирование на уровне приборов

    1.1.3 Моделирование на уровне электрической схемы

    1.1.4 Моделирование на уровне регистровых передач

    1.1.5 Моделирование на уровне системы

    1.1.6 Выводы

    1.2 Методика моделирования воздействия ТЗЧ на ИС с учетом топологии

    1.2.1 Метод «одиночного пятна»

    1.2.2 Методов «распределенной сетки»

    1.2.3 Объединенный метод

    1.2.4 Калибровка параметров

    1.2.5 Процедура калибровки

    1.2.6 Верификация методики моделирования

    1.2.7 Отличие представленной методики от аналогичных подходов

    1.3 Программа для реализации методики

    1.3.1 Маршрут проектирования

    1.3.2 Структура программы

    1.3.3 Алгоритм сбора статистики

    1.4 Выводы

    2 Топологические методы повышения сбоеустойчивости

    2.1 Эффекты накопленной дозы

    2.2 Механизмы образования многократных сбоев

    2.2.1 Сбор зарядов с трека частицы

    2.2.2 Эффект паразитного биполярного транзистора

    2.2.3 Влияние топологии на радиационную стойкость

    2.2.4 Выводы

    2.3 Моделирование

    2.3.1 Результаты моделирования при воздействии на п-МОП транзистор

    2.3.2 Результаты моделирования для варианта «Базовая топология» при воздействии на р-МОП

    2.3.3 Результаты моделирования для варианта «Контакты рядом» при воздействии на р-МОП

    2.3.4 Результаты моделирования для вариантов «Контакты между» и «Отдельные карманы» при воздействии на р-МОП

    2.3.5 Верификация результатов моделирования

    2.4 Рекомендации к проектированию топологии

    2.4.1 Верификация рекомендаций

    2.4.2 Испытания

    2.4.3 Верификация по результатам испытания триггеров

    2.5 Выводы

    Заключение

    Список сокращений и условных обозначений

    Список литературы
  • Список літератури:
  • -
  • Стоимость доставки:
  • 230.00 руб


ПОШУК ГОТОВОЇ ДИСЕРТАЦІЙНОЇ РОБОТИ АБО СТАТТІ


Доставка любой диссертации из России и Украины