Каталог / ТЕХНІЧНІ НАУКИ / квантова електроніка
скачать файл: ![](/design/img/wordl.gif)
- Назва:
- Ладугин Максим Анатольевич Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 для многоэлементных лазерных излучателей ближнего ИК-диапазона
- Альтернативное название:
- Ладугін Максим Анатолійович Напівпровідникові гетероструктури А3В5 для багатоелементних лазерних випромінювачів ближнього ІЧ-діапазону
- Короткий опис:
- Ладугин Максим Анатольевич Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 для многоэлементных лазерных излучателей ближнего ИК-диапазона
ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
доктор наук Ладугин Максим Анатольевич
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1 Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 для мощных многоэлементных лазерных излучателей ближнего ИК-диапазона. Разработка и реализация подходов
1.1 Повышение мощности и КПД. Влияние температуры
и тепловые источники
1.2 Транспорт носителей заряда в лазерных гетероструктурах. Эффективность инжекции в активную область
1.3 Пороговый ток и его составляющие, рекомбинация носителей
1.4 Характеристическая температура и способы ее повышения
1.5 Напряжение отсечки и электрическое сопротивление. Профильное легирование
Глава 2 Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 для мощных многоэлементных лазерных излучателей - линеек лазерных диодов
2.1 Гетероструктуры AlGaAs/AlGaAs, ОаАвР/АЮаАБ и InAlGaAs/AlGaAs для квазинепрерывных линеек лазерных
диодов спектрального диапазона 800-810 нм
2.2 Гетероструктуры InGaAsP/GaInP для непрерывных
линеек лазерных диодов спектрального диапазона 770-860 нм
2.3 Гетероструктуры InGaAs/GaAs и InGaAs/AlGaAs для квазинепрерывных линеек лазерных диодов
спектрального диапазона 910-970 нм
Глава 3 Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 для мощных многоэлементных лазерных излучателей - решеток лазерных диодов
3.1 Гетероструктуры AlGaAs/AlGaAs и GaAsP/AlGaAs для квазинепрерывных решеток лазерных диодов
спектрального диапазона 800-810 нм
3.2 Гетероструктуры GaAs/AlGaAs для импульсных
решеток лазерных диодов спектрального диапазона 850-880 нм
2
3.3 Гетероструктуры GaAs/AlGaAs для квазинепрерывных решеток лазерных диодов спектрального диапазона 850-880 нм
3.4 Гетероструктуры InGaAs/GaAs и InGaAs/AlGaAs для квазинепрерывных решеток лазерных диодов
спектрального диапазона 910-970 нм
Глава 4 Полупроводниковые эпитаксиально-интегрированные
гетероструктуры А3В5 для мощных многоэлементных лазерных
излучателей - лазерных диодов с несколькими излучающими областями
4.1 Вертикальная интеграция эпитаксиальных гетероструктур
4.2 Конструкция и принцип работы лазерных излучателей
на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
4.3 Разработка лазерной гетероструктуры
и туннельного перехода
4.4 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/GaAs
для лазерных диодов спектрального диапазона 890-920 нм
4.5 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры AlGaAs/GaAs
для лазерных диодов спектрального диапазона 790-810 нм
4.6 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры
для многоволновых лазерных диодов
4.7 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs для лазерных диодов спектрального
диапазона 940-960 нм
4.8 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/GaAs для лазерных диодов спектрального
диапазона 1000-1100 нм
4.9 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlInAs/InP для лазерных диодов спектрального
диапазона 1500-1600 нм
4.10 Функциональная интеграция. Эпитаксиальные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs для лазер-тиристоров
Глава 5 Полупроводниковые эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры А3В5 для мощных многоэлементных лазерных излучателей - линеек и решеток лазерных
диодов с несколькими излучающими областями
5.1 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры AlGaAs/GaAs для квазинепрерывных линеек лазерных
диодов спектрального диапазона 800-810 нм
5.2 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры AlGaAs/GaAs для импульсных решеток лазерных диодов спектрального диапазона 850-870 нм
5.3 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/GaAs для импульсных решеток лазерных диодов спектральных диапазонов 890-920 нм, 930-980 нм
и 1000-1100 нм
5.4 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs для квазинепрерывных линеек лазерных
диодов спектрального диапазона 940-960 нм
5.5 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlInAs/InP для импульсных линеек и решеток
лазерных диодов спектрального диапазона 1500-1600 нм
ЗАКЛЮЧЕНИЕ (ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ)
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб