Вознюк Глеб Валерьевич Модификация характеристик полупроводниковых структур и лазеров на их основе методом прямой ионно-лучевой литографии

Короткий опис

Вознюк Глеб Валерьевич Модификация характеристик полупроводниковых структур и лазеров на их основе методом прямой ионно-лучевой литографии
ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
кандидат наук Вознюк Глеб Валерьевич
Реферат

SYNOPSIS

ВВЕДЕНИЕ

1. Модификация характеристик полупроводниковых структур и лазеров на их основе методом прямой ионно-лучевой литографии (обзор литературы и постановка задач)

1.1 Ионно-лучевая литография и особенности взаимодействия заряженных ионов с веществом

1.2 Квантово-каскадный лазер как перспективный источник излучения в средней инфракрасной области спектра

1.3 Конструкции резонаторов квантово-каскадных лазеров

1.4 Поверхностно излучающие квантово-каскадные лазеры

1.5 Просветляющие покрытия

1.6 Постановка задач

Глава 2. Исследование воздействия СИП на гетероструктуру AlGaAs/GaAs

2.1 Взаимодействие ионов с твердым телом

2.2 Моделирование профилей распределения точечных дефектов в гетероструктуре AlGaAs/GaAs

2.3 Подготовка экспериментальных образцов

2.3.1 Установка ионно-лучевого литографа

2.3.2 Выбор стратегии травления

2.3.3 Экспериментальные образцы

2.4 Исследование методом микрорамановской спектроскопии

2.5 Фотолюминесценция образца после травления СИП

2.7 Влияние отжига структуры на люминесценцию

2.8 Выводы

Глава 3. Модификация характеристик квантово-каскадных лазеров с резонатором Фабри-Перо методом ионно-лучевой литографии

3.1 Выбор конструкции активной области ККЛ

3.1.1 Конструкции активной области ККЛ на основе трех туннельно-связанных квантовых ям

3.1.2 Уменьшение плотности порогового тока в конструкции с тремя туннельно-связанными квантовыми ямами

3.2 Спектр генерации ККЛ с резонатором Фабри-Перо

3.3 Расчет параметров распределенного брэгговского отражателя

3.4 Модификация спектра ККЛ с геометрией Фабри-Перо методом ионно-лучевого травления

3.5 Выводы

Глава 4. Применение ионно-лучевой литографии для создания поверхностно излучающих кольцевых квантово-каскадных лазеров

4.1 Формирование текстурированных областей для поверхностного вывода излучения

4.2 Исследование спектров электролюминесценции кольцевого ККЛ с поверхностным выводом излучения в диапазоне температур 8 - 77 К

4.3 Исследование спектров электролюминесценции кольцевого ККЛ с поверхностным выводом излучения при температуре 20 °С

4.4 Измерение диаграмм направленности излучения кольцевого ККЛ с

поверхностным выводом излучения

4.5 Выводы

Заключение

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Приложение 1 Тексты публикаций

Реферат