Карачинский Леонид Яковлевич Полупроводниковые гетероструктуры A3B5, полученные методами молекулярно-пучковой эпитаксии и спекания, и лазеры спектрального диапазона 1300 – 1550 нм на их основе

Короткий опис

Карачинский Леонид Яковлевич Полупроводниковые гетероструктуры A3B5, полученные методами молекулярно-пучковой эпитаксии и спекания, и лазеры спектрального диапазона 1300 1550 нм на их основе
ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
доктор наук Карачинский Леонид Яковлевич
Реферат

Synopsis

Введение

1 Глава 1. Обзор литературы

1.1 Типы полупроводниковых лазеров

1.2 Лазерные диоды полосковой конструкции спектрального диапазона 1300 -1550 нм, изготовленные на подложках InP

1.3 Базовые варианты конструкций вертикально-излучающего лазера

1.3.1 Распределенные брэгговские отражатели для спектрального диапазона 1300 - 1550 нм

1.3.2 Токовое ограничение и туннельный переход

1.4 Монолитные вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1300 - 1550 нм, изготовленные на подложках InP

1.5 Альтернативные подходы к созданию полупроводниковых лазеров спектрального диапазона 1300 - 1550 нм

1.5.1 Полупроводниковые лазерные диоды на основе квантовых точек InAsInGaAs и метаморфных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs, изготовленные на подложках GaAs

1.5.2 Лазерные диоды на основе GaInAsN

1.5.3 Лазерные диоды на основе GaInAsNSb

1.6 Вертикально-излучающие лазеры, полученные методом спекания

1.6.1 Технологии изготовления вертикально-излучающих лазеров методом спекания

1.6.2 Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, изготовленные по технологии спекания

1.7 Вертикально-излучающие лазеры с гибридным распределенным брэгговским

отражателем

Выводы к главе

2 Глава 2. Экспериментальные методы исследования

2.1 Метод молекулярно-пучковой эпитаксии

2.2 Метод спекания эпитаксиальных пластин

2.3 Планарная технология изготовления кристаллов полупроводниковых лазерных диодов

2.3.1 Изготовление кристалла лазерного диода полосковой конструкции

2.3.2 Изготовление кристалла вертикально-излучающего лазера

2.4 Методы исследования характеристик гетероструктур и кристаллов лазерных диодов

2.5 Выводы к главе

3 Глава 3. Лазеры полосковой конструкции спектрального диапазона 1550 нм на базе гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs

3.1 Метаморфный синтез гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs на подложках GaAs

3.2 Исследование оптико-электронных характеристик лазерных диодов полосковой конструкции спектрального диапазона 1550 нм на основе гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs

3.3 Выводы к главе

4 Глава 4. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1300 -1550 нм на подложках GaAs

4.1 Метаморфный распределенный брэгговский отражатель и микрорезонатор на его основе

4.2 Тонкий метаморфный буферный слой

4.3 Гибридные метаморфные гетероструктуры вертикально-излучающих лазеров с диэлектрическим распределенным брэгговским отражателем

4.4 Выводы к главе

5 Глава 5. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм,

изготовленные с использованием метода спекания гетероструктур

5.1 Активная область вертикально-излучающего лазера на основе InGaAs/InP

5.2 Оптико-электронные характеристики лазерных диодов полосковой конструкции спектрального диапазона 1550 нм на основе активных областей с квантовыми ямами InGaAs и со сверхрешеткой InGaAs/InGaAlAs

5.2.1 Лазерные диоды полосковой конструкции спектрального диапазона 1550 нм на основе активных областей с квантовыми ямами InGaAs

5.2.2 Лазерные диоды полосковой конструкции спектрального диапазона 1550 нм на основе активных областей со сверхрешеткой InGaAs/InGaAlAs

5.3 Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, изготовленные комбинированным методом молекулярно-пучковой эпитаксии и спекания гетероструктур: конструкция и характеристики

5.3.1 Гетероструктура вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1550 нм

5.3.2 Конструкция кристалла вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1550 нм

5.3.3 Статические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1550 нм

5.3.4 Динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1550 нм

5.4 Выводы к главе

Заключение

Благодарности

Список сокращений и условных обозначений

Список использованной литературы

Приложение 1. Акты внедрения

Приложение 2. Тексты публикаций

Реферат

Общая характеристика работы