Каталог / ТЕХНІЧНІ НАУКИ / квантова електроніка
скачать файл: ![](/design/img/wordl.gif)
- Назва:
- Светогоров Владимир Николаевич Полупроводниковые гетероструктуры AlGaInAs/InP с компенсацией упругих напряжений для лазерных диодов спектрального диапазона 1400-2000 нм
- Альтернативное название:
- Світогорів Володимир Миколайович Напівпровідникові гетероструктури AlGaInAs/InP з компенсацією пружних напруг для лазерних діодів спектрального діапазону 1400-2000 нм
- Короткий опис:
- Светогоров Владимир Николаевич Полупроводниковые гетероструктуры AlGaInAs/InP с компенсацией упругих напряжений для лазерных диодов спектрального диапазона 1400-2000 нм
ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
кандидат наук Светогоров Владимир Николаевич
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. Полупроводниковые гетероструктуры для мощных
лазерных диодов ИК-диапазона от 1400 нм до 2000 нм
1.1. Системы материалов твердых растворов, для источников излучения в ИК-диапазоне от 1400 нм до 2000 нм
1.2. Гетероструктуры с напряженными квантовыми ямами для лазерных диодов спектрального диапазона 1400-2000 нм
1.3. Модели расчета распределения упругих напряжений в полупроводниковых гетероструктурах
1.4. Гетероструктуры с электрон-блокирующим слоем для лазерных диодов спектрального диапазона 1400-2000 нм
Глава 2. Описание методов роста и анализа гетероструктур лазерных диодов для спектрального диапазона 1400-2000 нм
2.1. Метод МОС-гидридной эпитаксии. Исходные реагенты и аппаратурное оформление процесса
2.2. Измерительное оборудование для исследования основных параметров выращиваемых гетероструктур
Глава 3. Упругие напряжения при создании лазерных гетероструктур ЛЮа1пЛв/1пР
3.1. Выбор напряжений активной области для лазерных диодов спектрального диапазона 1400-1600 нм
3.2. Расчет критических толщин напряженных структур
3.3. Анализ и расчет распределения упругих напряжений в активной области с учетом обратного взаимодействия слоев
Глава 4. Гетероструктуры АЮа1пАв/1пР с компенсацией упругих напряжений и лазерные диоды на их основе
4.1. Выходные характеристики лазерных диодов, излучающих в интервале длин волн 1400 нм - 1600 нм
4.2. Выходные характеристики лазерных диодов с компенсированным электрон-блокирующем слоем
4.3. Выходные характеристики лазерных диодов, излучающих вблизи 2000 нм
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
123
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб