Светогоров Владимир Николаевич Полупроводниковые гетероструктуры AlGaInAs/InP с компенсацией упругих напряжений для лазерных диодов спектрального диапазона 1400-2000 нм

Короткий опис

Светогоров Владимир Николаевич Полупроводниковые гетероструктуры AlGaInAs/InP с компенсацией упругих напряжений для лазерных диодов спектрального диапазона 1400-2000 нм
ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
кандидат наук Светогоров Владимир Николаевич
ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Полупроводниковые гетероструктуры для мощных

лазерных диодов ИК-диапазона от 1400 нм до 2000 нм

1.1. Системы материалов твердых растворов, для источников излучения в ИК-диапазоне от 1400 нм до 2000 нм

1.2. Гетероструктуры с напряженными квантовыми ямами для лазерных диодов спектрального диапазона 1400-2000 нм

1.3. Модели расчета распределения упругих напряжений в полупроводниковых гетероструктурах

1.4. Гетероструктуры с электрон-блокирующим слоем для лазерных диодов спектрального диапазона 1400-2000 нм

Глава 2. Описание методов роста и анализа гетероструктур лазерных диодов для спектрального диапазона 1400-2000 нм

2.1. Метод МОС-гидридной эпитаксии. Исходные реагенты и аппаратурное оформление процесса

2.2. Измерительное оборудование для исследования основных параметров выращиваемых гетероструктур

Глава 3. Упругие напряжения при создании лазерных гетероструктур ЛЮа1пЛв/1пР

3.1. Выбор напряжений активной области для лазерных диодов спектрального диапазона 1400-1600 нм

3.2. Расчет критических толщин напряженных структур

3.3. Анализ и расчет распределения упругих напряжений в активной области с учетом обратного взаимодействия слоев

Глава 4. Гетероструктуры АЮа1пАв/1пР с компенсацией упругих напряжений и лазерные диоды на их основе

4.1. Выходные характеристики лазерных диодов, излучающих в интервале длин волн 1400 нм - 1600 нм

4.2. Выходные характеристики лазерных диодов с компенсированным электрон-блокирующем слоем

4.3. Выходные характеристики лазерных диодов, излучающих вблизи 2000 нм

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

123