МОДИФІКУВАННЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ КРЕМНІЄВИХ ФУНКЦІОНАЛЬНИХ ПОРИСТИХ МАТЕРІАЛІВ ДЛЯ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ

Короткий опис

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ
Національний університет "Львівська політехніка"

УДК 621.315.592 + 621.38.049.77

ЄРОХОВ ВАЛЕРІЙ ЮРІЙОВИЧ

МОДИФІКУВАННЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ КРЕМНІЄВИХ ФУНКЦІОНАЛЬНИХ ПОРИСТИХ МАТЕРІАЛІВ ДЛЯ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ

05.27.06 – Технологія, обладнання
та виробництво електронної техніки

Дисертація на здобуття наукового ступеня
доктора технічних наук

Науковий консультант -
доктор технічних наук,
професор Дружинін А.О.

Львів – 2013

Зміст
ВСТУП………………………………...…………………………………………….4
РОЗДІЛ 1. АНАЛІЗ СУЧАСНОГО СТАНУ ТЕХНОЛОГІЇ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ ДЛЯ ФЕП …….…………………………………………….……..16
1.1. Структури кремнієвих ФЕП з p-n переходом ………………………….…18
1.2. Аналіз методів та механізмів формування пористого крем-нію…..……...38
1.3. Структури ФЕП з пористим кремні-єм……………………………………..59
1.4. Вибір предмету дослідження та постановка задач дисертаційної робо-ти.67

РОЗДІЛ 2. МОДИФІКУВАННЯ БАЗОВИХ ТЕХНОЛОГІЙ СТВОРЕННЯ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ ………………………………….……….………...72
2.1. Технологія формування шарів пористого кремнію модифікованим електрохімічним травленням,,… …………………...……………………..…....72
2.2. Формування шарів пористого кремнію травленням ..……………………..90
2.3. Аналіз властивостей та параметрів пористого кремнію, отриманого електрохімічним і хімічним травлення для використання в структурах ФЕП......104
2.4. Висновки до розділу 2...…………………….………………….…..……….115

РОЗДІЛ 3. РОЗРОБЛЕННЯ ТЕХНОЛОГІЙ ФОРМУВАННЯ ШАРІВ ПО-РИСТОГО КРЕМНІЮ ДЛЯ АНТИВІДБИВНОГО ПОКРИТТЯ ФРОНТАЛЬНОЇ ПОВЕРХНІ КРЕМНІЄВИХ ФЕП……………..………………...117
3.1. Розроблення технології формування антивідбивного покриття на поверхні кремнієвих ФЕП методом електрохімічного травлення ……..………….....117
3.2. Розроблення технології створення багатошарового мультипористого покриття кремнієвих ФЕП методом електрохімічного травлен-ня…...………140
3.3. Розроблення антивідбивних багатошарових покриттів ФЕП шляхом використання золь-гель технології…........…………………………….…….148
3.4. Розроблення антивідбивного покриття фотоелектричних перетворювачів на основі ансамблів нанокристалів кремнію.….………………………........157
3.5. Висновки до розділу 3.…………………….……………………………..…162

РОЗДІЛ 4. ФОРМУВАННЯ ТЕКСТУР ФРОНТАЛЬНОЇ ПОВЕРХНІ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ ДЛЯ ФЕП ………..………………………..….…….164
4.1. Формування текстури фронтальної поверхні кремнієвих ФЕП електрохімічним методом ……….……................................…..…….…..164
4.2. Дослідження впливу електрохімічної гідрогенізації на покращення паси-вуючих властивостей пористого крем-нію.………….….…………….…174
4.3. Формування текстури типу “Honeycomb” фронтальної поверхні кремнієвих ФЕП хімічним травлен-ням.................................................................187
4.4. Висновки до Розділу 4………………………………………………...……201

РОЗДІЛ 5. СТВОРЕННЯ СТРУКТУР ФЕП НА ОСНОВІ
ПОРИСТОГО КРЕМ-НІЮ………………………………….......……………..204
5.1. Прогнозування та розрахунок ефективності фотовольтаїчного перетворення в ФЕП на основі кремнієвих пористих матеріа-лів……………....…204
5.2. Розроблення ФЕП з антивідбивним покриттям пористого крем-нію........216
5.3. Створення структур МДН/ІШ з пористим кремнієм для ФЕП ……….…224
5.4. Розроблення фотоелектричних перетворювачів з поверхневою макротексту-рою……........................................…………………………………………….233
5.5. Розроблення ФЕП з фронтальною текстурою типу “Honeycomb” ..……237
5.6. ФЕП з мультикристалічною фронтальною поверхнею……………….....246
5.7. Порівняльні характеристики антивідбивних покриттів та параметри ФЕП з використанням функціонального пористого кремнію ....................................253
5.8. Висновки до розділу ………….…………………………...……………….254

Основні результати і вснов-ки………………………..……………………….256
Список використаних дже-рел…….………………………….…………….…261

1 ВСТУП
Актуальність теми. Широке впровадження фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) різного рівня потужності як одного з джерел альтернативної енергетики є найбільш перспективним способом використання сонячної енергії, що пов’язано з виснаженням запасів енергетичної сировини на Землі та безперервним зростанням потреб людства в дешевій електричній енергії. Це стало поштовхом до розвитку високопотужної сонячної енергетики, яка змогла б скласти конкуренцію традиційним методам ґенерації електрики для забезпечення енергетичних потреб людства. На сьогодні фотоенергетика є однією найперспективніших галузей сучасної промисловості, що інтенсивно розвивається та в якій за останні роки спостерігається найбільший відсоток зростання виробництва електроенергії. Ціла низка переваг, характерних для фотоенергетики, ви-значає напрями досліджень, а попит і проблеми, пов’язані з традиційними джерелами енергії визначають обсяги державних програм спрямованих на стимулювання виробництва. Необхідність до зниження вартості, підвищення фотоелектричних параметрів ФЕП приводить до розроблення та вдосконалення технології створення нових структур ФЕП. Кремній є найбільш поширеним напівпровідниковим матеріалом у природі, та і найбільш перспективним щодо використовування в фотоенергетиці. Тому найбільшу зацікавленність представляють дослідження в області створення кремнієвих ФЕП і розроблення спеціального технологічного обладнання для їх виробництва є актуальними. За останні кілька років більшість наземних фотоелектричних систем розробляються на основі кристалічного кремнію з середнім значенням ефективності перетворення 16...17%.
Для зниження собівартості виготовлення високопотужних фотоелектрич-них систем часто використовують різні підходи. Одним з них є підвищення коефіцієнту корисної дії (ККД) сонячних елементів та здешевлення затрат виробництва ФЕП. Відповідно до таких підходів основою високопотужної сонячної енергетики стали кремнієві сонячні елементи з дифузійним p-n- переходом, для яких досягнуто найвищі значення ККД. Проте, незважаючи на високу ефективність, собівартість цих сонячних елементів залишається високою унаслідок значної складності їх технологічної реалізації. В той же час ККД отриманих за простою технологією ФЕП із структурою ме-тал/діелектрик/напівпровідник з індукованим інверсним шаром (МДН/ІШ) залишається низьким внаслідок значних омічних втрат на послідовному опорі структури. Розвинені на цей час методи підвищення ефективності МДН/ІШ сонячних елементів неминуче приводять до ускладнення технології їх виробництва.
Введення в структури ФЕП кремнієвих функціональних пористих матеріалів дозволить керувати їх ефективністю перетворення при одночасному зменшенні собівартості виробленої енергії і досягати мети, яка би послідовно збільшувала ефективність перетворення сонячних елементів за умови зменшення вартості сонячних елементів. Функціональні пористі матеріали можна отримувати у вигляді шарів з достатньо великим діапазоном пористості, з діаметром пор від нанометрів до десятків мікрометрів. В основу їх створення покладені електрохімічні і хімічні технології отримання.
Для підвищення ефективності ФЕП з дифузійним p-n- переходом або із структурою МДН/ІШ є актуальною проблема мінімізації оптичних втрат пов’язаних здебільшого з поверхневою і об'ємною рекомбінацією. Сучасні високоефективні антивідбивні покриття з пасивованою поверхнею є складними для технологічної реалізації. В той же час їх формування за спрощеною технологією не забезпечує необхідних просвітляючих та пасивуючих властивостей. Одним з найбільш перспективних напрямків є використання технології ФЕП з кремнієвими пористими матеріалами з різною текстурою фронтальної поверхні ФЕП, що забезпечить підвищення якості антивідбивного покриття та значне збільшення їх площі поверхні. Тому дослідження проведені в рамках цієї дисертації є своєчасні і актуальнільні.
Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Дисерта-ційна робота виконувалась відповідно до напрямку наукової діяльності кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету „Львівська політехніка” за держбюджетною тематикою та міжнародною науковою співпрацею: зокрема в межах міжнародних проектів– “Рентабельне антивідбивне покриття для кремнієвих сонячних елементів” (“Cost-effective antireflection coating for silicon solar cells”) з Інститутом Дослідження сонячної енергії (ISFH) (м. Еміртхаль (Гановер), Німеччина), проект UKR-017-97, 1998-1999 рр.; “Використання технологій пористого кремнію у виготовленні кремнієвих сонячних елементів” (“Application of PS technology to silicon solar cells manufacturing”) з Інститутом металургії і інженерного матеріалознавства ПАН (Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej, POLSKA Akademia Nauk), проект UKR-036-2000, 2001-2002 рр. та держбюджетними темами: “Розробка фізико-технологічних основ серійно придатних перетворювачів сонячної енергії на основі монокристалічного і аморфного кремнію” (проект ДКС/65-1, 1993 р.) номер держреєстрації № UA01003943Р; “Рентабельні антивідбивні покриття для кремнієвих сонячних елементів” (проект ДК 2М/73-98, 1998-2000 рр.), номер держреєстрації 0198U003448; “Підвищення ефективності кремнієвих фотоелектричних перетворювачів та використання в їх структурах пористих матеріалів”, номер держреєстрації 0107U 009537, 2007 – 2011 рр.
Мета та задачі дослідження. Метою дисертаційної роботи є розроблення технології отримання шарів пористого кремнію з напередзаданими властивостями, що забезпечують підвищення ефективності ФЕП на основі кремнію.
Для досягнення мети необхідно було вирішити наступні завдання:
• розробити методику отримання шарів пористого кремнію з напередзаданими властивостями, що базуються на процесах електрохімічного та хімічного травлення і забезпечують формування фронтальної поверхні ФЕП неоднорідної текстури з мінімальним інтегральним коефіціентом відбивання;
• дослідити вплив електрохімічної анодизації в комплексі з гідрогенізацією на покращення пасивуючих властивостей антивідбивної поверхні пористого кремнію для фотоелектричних перетворювачів;
• розробити технологію отримання багатошарового мультипористого по-криття типу “Black Si” для фотоелектричних перетворювачів;
• модифікувати технологію отримання текстур типу “Honeycomb” методом хімічного травлення поверхні моно- та мультикристалічних підкладок кремнію для фотоелектричних перетворювачів з метою зменшення їх коефіціенту відбивання;
• удосконалити математичну модель ККД ФЕП на основі кремнієвих функціональних пористих матеріалів і спрогнозувати їх ефективність перетворення на основі отриманої моделі;
• розробити технологію виготовлення ФЕП на основі кремнієвих функціональних пористих матеріалів з різними типами текстур та багатошарового антивідбивного покриття, виготовити експериментальні зразки ФЕП та дослідити їх фотоелектричні параметри.
Об’єктом дослідження є електрохімічні і хімічні методи отримання пористого кремнію створення текстур і антивідбивного покриття, а також технологія виготовлення фотоелектричних перетворювачів на їх основі.
Предметом дослідження є модифікування властивостей кремнієвих функціональних пористих матеріалів, а також формування текстури фронтальної поверхні фотоперетворювачів сонячної енергії.
Методи дослідження. Для досягнення поставленної мети використову-вались методи термовакуумного і лазерного напилення для отримання як струмозбираючої гребінки фронтальної поверхні сонячного елемента, так і простих антивідбивних поверхонь, електрохімічного осадження для отримання зворотньої поверхні кремнієвих підкладок; електрохімічний і хімічний метод формування шарів пористого кремнію і його модифікації, як воднем, так і полімерами; еліпсометричний метод для визначення значень товщини та показника заломлення шару пористого кремнію; метод мас-спектроскопії вторинних іонів для аналізу поверхні як мультикристалічних підкладок, так і пористого кремнію; метод скануючої електронної мікроскопії для дослідження морфології поверхні як кремнієвих підкладок, так і фронтальної поверхні створених сонячних елементів; люмінісцентні методи для дослідження властивостей шарів пористого кремнію; методи фотовольтаїчного ефекту та вольт-амперних характеристик для дослідження ефективності перетворення фотоелектричних перетворювачів; методики дослідження фотопровідності; чисельні методи розрахунку.
Наукова новизна одержаних результатів дисертаційного дослідження, покладена в основу модифікування властивостей кремнієвих функціональних пористих матеріалів для подальшого розвитку та вдосконалення технології створення ФЕП з покращеними фотоелектричними параметрами і полягає в тому що:
• модифіковані електрохімічні і хімічні технології: хімічного багатостадійного травлення; створення нанотекстури антивідбивного покриття шляхом заповнення поверхневої текстури кремнійорганічним адсорбентом, що створений золь-гель технологією; формування багатошарового мультипористого антивідбивного покриття типу “Black Si”; створення текстур електрохімічним травленням з краплеподібною та колоноподібною формою поверхневої текстури; створення текстур типу “Honeycomb” хімічним травленням з кратероподібною формою поверхневої текстури, що дозволяють отримувати пористий кремній товщиною 10 нм ÷ 35 мкм з напередзаданими властивостями: пористістю (40…90%), показником заломлення (1…3,4) і коефіціентом відбивання (1…11%), тощо.
• набуло подальшого розвитку підвищення ефективності перетворення ФЕП з 13% до 16,4% при АМ 1,5 у спектральному діапазоні 400  1000 нм за рахунок створення текстур фронтальної поверхні фотоперетворювачів у вигляді краплеподібних і колоноподібних форм методом електрохімічного травлення з використанням розчинів-травників на основі фтористоводневої кислоти з добавленням диметилформаміду у співвідношенні (HF:(СН3)2NCОН:C2H5OH=16:1:3);
• вперше встановлено, що для підвищення ефективності перетворення світлової енергії в ФЕП необхідно забезпечувати як дискретну неоднорідність у багатошаровому антивідбивному покритті типу “Black Si” мультипористого кремнію, так і відповідне співвідношення товщини та показника заломлення кожного шару структури;
• вперше розроблена технологія отримання багатошарового пористого кремнію шляхом ступінчастого зниження густини струму і збільшення тривалості електрохімічної обробки для кожного окремого шару, що уможливило збільшення як кількості шарів у багатошаровому антивідбивному покритті від 2…4 до 10…20 і більше, так і градієнта показника заломлення, що є характерним від значень для повітря до підкладки (1…3,4) з дискретною неоднорідністю в кожному шарі. Забезпечено зменшення інтегрального коефіціентом відбивання світла до 1% при АМ 1,5 у спектральному діапазоні 400 ÷ 1000 нм;
• вдосконалена послідовна електрохімічна анодизація та гідрогенізація пористого кремнію в єдиному технологічному процесі в одному і тому ж електроліті зі зміною знаку струму. Виявлено, що початок водневої пасивації, що забезпечує створення шарів пасивованого пористого кремнію, виникає при густині струму більше 50 мкА/см2;
• розроблено технологію текстур різних форм на поверхні мультикристалічних підкладок кремнію типу “Honeycomb” модифікованим хімічним травленням кремнію в травнику на основі розчину фтористоводневої і азотної кислот (HF:HNO3=1:2) та органічних сполук з функціональними амідними групами ((СН3)2NСОН, CH3CN), що забезпечує можливість зміни форми пор текстури щодо розмірів 5…35 мкм, що уможливило зменшення інтегрального коефіціентом відбивання ФЕП з 37% до 11,5% при АМ 1,5 у спектральному діапазоні 400 ÷ 1000 нм;
• набула подальшого розвитку технологія формування нанотекстури антивідбивного покриття пористого кремнію шляхом її заповнення кремнійорганічним адсорбентом, створеним золь-гель технологією з наступною ультразвуковою обробкою, що забезпечує зменшення його інтегрального коефіціентом відбивання до 8,25% при АМ 1,5 у спектральному діапазоні 400 ÷ 1000 нм;
• вперше розроблена технологія хімічного багатостадійного травлення, що забезпечує створення контрольованої поверхні модифікованого пористого кремнію, що включає в себе субструктури, зокрема структури лужного травлення з діаметром пор 2…5 мкм і пористі структури з розміром пор у діаметрі менше 1 мкм. Використання такої технології забезпечує підвищення ефективності перетворення ФЕП на основі мультикристалічних підкладок кремнію Baysix до 18% при АМ 1,5.
Обгрунтованість і достовірність наукових результатів. Достовірність отриманих у дисертації експериментальних результатів забезпечується використанням типових експериментальних методик, а їх точність підтверджена в Інституті Дослідження сонячної енергії (ISFH, м. Емертхаль, Німеччина) контрольними вимірюваннями з використанням експериментальних установок, в Інституті металургії і інженерного матеріалознавства (Polska Akademia Nauk, Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej), м. Краків, Польща, ПАН. Достовірність і точність розрахунків підтверджується результатами теоретичного аналізу і експерименту, відповідністю отриманих результатів загальноприйнятим уявленням.
Практичне значення одержаних результатів полягає в тому, що підходи до керованого модифікування властивостями кремнієвих функціональних пористих матеріалів можуть бути використані в технології створення антивідбивного покриття та текстур фронтальної поверхні кремнієвих фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії:
• розроблені антивідбивні покриття фронтальної поверхні кремнієвих ФЕП у вигляді багатошарової структури типу “Black Si” дозволяють зменшити її відбивну здатність до 1% при АМ 1,5 в межах інтервалу довжин хвиль 400 ÷ 1000 нм;
• створені мультитекстури фронтальної поверхні ФЕП з „колоноподіб-ними” та „краплеподібними” порами дозволяють отримати інтегральний коефіціент відбивання 5...10% при АМ 1,5 у спектральному діапазоні 400–1000 нм;
• розроблені способи отримання високоефективного тонкого (до 100 нм) антивідбивного покриття фронтальної поверхні фотоелектричного перетворювача за рахунок суміщення режимів водневого пасивування з анодуванням в одному технологічному процесі дозволяють суттєво підвищити пасивуючі властивості поверхні кремнію та спростити технологію виготовлення фотоелектричних перетворювачів;
• запропоновані прості для технічної реалізації режими зовнішнього електричного зміщення в структурах МДН/ІШ з функціональним пористим кремнієм дозволяють підвищити в 1,25 рази ефективність перетворення фотоелектричних систем, що створюється на основі неї;
• розроблені технологічні методи хімічного травлення для отримання текстур типу Honeycomb дають можливість підвищити ефективність перетворення ФЕП до 16,4% зберігаючи простоту технологічного виготовлення;
• розроблені та виготовлені макетні зразки ФЕП з використанням кремніє-вих функціональних пористих матеріалів забезпечують ефективність перетворення до 18% при АМ 1,5.
Результати дисертаційної роботи використано як у наукових дослідженнях, так і створенні нових фотоелектричних структур на кафедрі напівпровідникової електроніки Національного університету «Львівська політехніка». Розроблені в дисертації кремнієві функціональні пористі матеріали, антивідбивні покриття кремнієвих ФЕП, структури сонячних елементів використовувались на підприємстві ТДВ “ЗАВОД “КВАРЦ” (м.Чернівці) на етапах проектування та виготовлення експериментальної партії батарей фотоелектричних перетворювачів сонячного випромінювання наземної дії, які призначені для сонячних панелей європейського наземного розташування, що підтверджено відповідними актами про впровадження. Окрім цього, такі фотоелектричні структури використовувались для виконання наукових досліджень в НДЦ «Кристал» та навчальному процесі кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету «Львівська політехніка», а саме в курсі “Матеріали і структури сонячної енергетики” для студентів спеціальності 7.090804 „Мікро- та наноелектроніка прилади та пристрої”.
Особистий внесок претендента. Основні результати дисертаційної роботи, опубліковані у співавторстві, отримані з безпосередньою участю автора на всіх етепах роботи. Основні наукові положення, що виносяться на захист дисертації та висновки належать автору. У публікаціях, опублікованих у співавторстві, претендентові належить наступне: постановка задачі досліджень, проведення технологічних експериментів [122, 135, 136, 150, 164, 190 - 192, 207, 216, 218, 219, 231], зокрема виготовлення дослідних взірців сонячних елементів на монокристалічних кремнієвих підкладках [214, 238, 239, 242, 245- 247], аналіз перспективи використання пористого кремнію в фотоенергетиці [106, 109, 131, 132], формування багатошарових мультипористих структур типу «Black Si» [193, 195], розроблення технологічних режимів золь-гель технології поліорганосилоксанів для отримування кремнійорганічного ксерогелю різної товщини на мультикристалічних кремнієвих підкладках “Baysix” [171, 172, 174, 175, 177], дослідження сумішей-травників і модифікування технологічних режимів отримання текстур типу “Honeycomb” [137, 205, 206]; виготовлення хімічним методом функціональної нанотекстури на поверхні мультикристалічних кремнієвих підкладок [142, 203, 237], розробка методики електрохімічної гідрогенізації поверхні кремнієвих підкладок з різною текстурою [197, 198, 199, 202], використання антивідбивної поверхні сонячного елемента у вигляді нанопористого кремнію [187], виготовлення дослідних взірців сонячних елементів з фронтальною поверхнею функціонального пористого кремнію типу “Honeycomb” [206, 240, 241, 243], формулювання мети та постановка задачі досліджень для розрахунку структури МДН/ІШ ФЕП в режимі зовнішнього електричного зміщення [222, 223, 226, 227, 228, 233, 229, 234, 235, 237]. В усіх роботах проведено інтерпретацію експериментальних результатів, аналіз виявлених ефектів та особливостей, а також підготовку публікацій до друку.
Апробація результатів дисертації. Основні результати викладені в дисертаційній роботі доповідались і обговорювалися на:
I-ій Міжнародній конференції з матеріалознавства халькогенідних і алмазоподібних напівпровідників (м. Чернівці, 1994 р.); V-тій Міжнародній конференції з фізики і технології тонких плівок (м. Івано-Франківськ, 1995 р.); Міжнародній школі-конференції з фізичних проблем матеріалознавства напівпровідників (м.Чернівці, 1995 р., 1997 р., 1999 р.); 10-тій Міжнароднії конференції з тонких плівок (Іспанія, м. Саламанка, 1996 р.); Міжнародній школі-симпозіумі Європейського фізичного товариства “Сонячні елементи: нові перспективи для області Середземномор'я (Фізика матеріалів для перетворення сонячної енергії)” (Італія, м.Портічи, 1997 р.); Міжнародній конференції “Фотоперетворення: наука і технологія” (Польща, м. Варшава, 1997 р.); на Світових конференціях “Пористі напівпровідники: наука і технологія” (на 1-ій, Іспанія, Малорка, 1998 р.; на 2-ій, м. Мадрид, Іспанія, 2000 р.; на 3-ій, Пуерто де ла Круз, Теннеріф, Іспанія, 2002 р.); 2-ій Світовій конференції по фотовольтаїчному перетворенню сонячної енергії (Австрія, м.Відень, 1998 р.); на Європейських конференціях E-MRS по матеріалознавству, Франція, м.Страсбург (1998 р., 1999 р., 2001р., 2004 р.); Європейській конференції E-MRS по фотовольтаїці, 1999 р., (м. Краків, Польша) ; на Європейських конференціях по фотовольтаїці сонячної енергії (16-ій, Шотландія, м.Глазго, 2000 р.; на 17-ій, Німеччина, м.Мюнхен, 2001 р.; на 19-ій, Франція, м.Париж, 2004 р.); 4 Світовому Конгресу по відновлювальної Енергії, м. Брайтон, 2000р.; на 1, 2, 3 Міжнародних науково-практичних конференціях “Нетрадиційні і поновлювальні джерела енергії як альтернативні первинним джерелам енергії в регіоні” (м. Львів, 2001, 2003, 2005); на Міжнародних Школах-конференціях NATO ASI, Болгарія, м. Созополь, (2001р., “Фотовольтаїка, фотоактивні матеріали, властивості, технологія, використання”; 2004 р., “Наноструктури та сучасні матеріали для використання в сенсорах, оптоелектроніці та фотовольтаїчній техніці”; 2005 р., “Функціональні властивості наноструктурних матеріалів”; 3 Міжнародній науково-практичній конференції “Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології”, 2008 р, м.Кременчук, Міжнародній конференції “SolPol”; Варшава, Польща, 2008р.; 3 Міжнародній науково-технічній конференції «СЕМСТ-3» Одеса, 2008 р. ; 11 і 12 Міжнародній науково-технічній конференції «СІЕТ», Одеса, 2010 р. і 2011 р. ; І Міжнародної науково–практичній конференції “Напівпровідникові матеріали, інформаційні технології та фотовольтаїка”, НМІТФ-2011, 2011 р., м.Кременчук; Хth International Conference “Modern Problem of Radio Department at the Lviv Polytechnic National University”, TCSET’2012, 2012, Lviv-Slavske, Ukraine; 1 Міжнародна науково-практична конференція «Актуальні проблеми прикладної фізики», Україна, м.Севастополь, 2012 р.
Публікації. Результати дисертаційної роботи опубліковані в 67 наукових працях, з них 22 статті у фахових журналах, 4 статті в збірниках наукових праць, 5 патентів України, та 36 – у матеріалах міжнародних конференцій.
Структура дисертації. Дисертаційна робота складається з вступу, п’яти розділів, загальних висновків і списку використаних джерел. Робота містить 119 рисунків, 6 таблиць, 248 бібліографічних найменувань. Повний об’єм дисертації становить 290 сторінок.

Список літератури

ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТАТИ ТА ВИСНОВКИ
У дисертаційній роботі вирішено актуальну науково-прикладну проблему розроблення та вдосконалення технології отримання кремнієвих фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії з використанням шарів функціонального пористого кремнію, що забезпечує одночасне підвищення ефективності перетворення та спрощення технології їх виготовлення.
Отримано такі основні результати:
1. На основі комплексного дослідження властивостей шарів пористого кремнію розроблена технологія формування нано-, мікро- і макротекстур моно- і мультикристалічних кремнієвих підкладок фотоелектричних перетворювачів, шляхом модифікування електрохімічної технології отримання пористого кремнію, що полягає в комплексному застосуванні розчинів-травників на основі фтористоводневої кислоти з додаванням ((СН3)2NСОН) одночасно з функціональними складниками (C2H5OH, (СН3)СООН, H2O, СН3ОН, C2H6O2). Показано, що за рахунок використання постійно-періодичних наборів струмів можна керувати щільністю (40…90%), товщиною (10 нм … 35 мкм) і показником заломлення (1,2…3,25) шарів пористого кремнію, що дозволяє отримати набір текстур краплеподібної та колоноподібної форми кремнієвих фотоелектричних перетворювачів із ефективністю перетворення 16,3% при АМ 1,5 в діапазоні довжин хвиль 400 ÷ 1000 нм;
2. аналіз елементного складу поверхні мультикристалічних підкладок кремнію типу Baysix методом мас-спектроскопії вторинних іонів на різних технологічних стадіях створення пористого кремнію, дав можливість порівняти чисту поверхню до травлення в електроліті на основі фтористоводневої кислоти (HF:C2H5OH=10:1), після процесу травлення і після проведення гідрогенізації, як на спектрах вторинних іонів, так і в 2D зображеннях розподілення елементів вздовж поверхні (режим іонного мікрозонда та мас-спектрального іонного мікроскопа). Як видно із мас-спектрів вторинних іоннів поверхні кремнію до травлення, на поверхні присутні кисневі комплекси, а також водневі зв’язки. Після травлення у спектрі з’являються піки, що відповідають енергетичному положенню іонів СН3+.. Концентрація водню, визначена по інтенсивності вторинних іонів H2+, більша на поверхні і монотонно зменьшується вглибину зразка.
3. На основі досліджень структурних особливостей кремнієвих підкладок розроблено нову електрохімічну технологію отримання пористого кремнію шляхом ступінчатого зниження густини струму і збільшення тривалості електрохімічної обробки для кожного окремого шару створення багатошарового мультипористого антивідбивного покриття типу “Black Si”, що уможливило збільшення як кількості шарів у багатошаровому антивідбивному покритті від 2…4 до 10…20 і більше, так і градієнті показника заломлення, що є характерним від значень для повітря до підкладки (1…3,4) з дискретною неоднорідністю в кожному шарі. Забезпечено зменшення інтегрального коефіціента відбивання світла до 1% при АМ 1,5 у спектральному діапазоні 400  1000 нм за рахунок суттєвого зменшення значення коефіціента відбивання в ультрафіолетовій та інфрачервоній ділянках спектрального діапазону;
4. Встановлено, що ефективним інструментом впливу на функціональність і нанопористість текстур поверхні кремнієвих підкладок для фотоелектричних перетворювачів є використання хімічного травлення поверхні з наступним заповненням новоствореної текстури кремнійорганічним адсорбентом, створеним золь-гель технологією. Встановлено, що ультразвукова обробка такої поверхні надає їй властивостей функціональної нанотекстури і дозволяє знизити інтегральний коефіціент відбивання від 18,5% до 8,25% в спектральному діапазоні 400 ÷ 1000 нм;
5. Розроблено технологію електрохімічного травлення поверхні кремнію травниками на основі фтористоводневої кислоти, диметилформамиду та спиртового розчину (HF:(СН3)2NСОН:C2H5OH=16:1:3) з низкою складників (СН3ОН, C2H6O2, H2O). Встановлено діапазон густин анодного заряду (0,15…0,35 Кл/см2), що дозволяє мінімізувати відбивання на текстурованій кремнієвій поверхні при формуванні шару пористого кремнію. Сформоване таким чином багатошарове антивідбивне покриття на основі функціонального мультипористого кремнію за своєю ефективністю є співмірним за коефіціентом відбивання ≈5% з відомими багатошаровими антивідбивними системами.
6. На основі аналізу режимів модифікованої електрохімічної гідрогенізації пористого кремнію встановлено, що воднева пасивація починається після досягнення густини струму більше 50 мкА/см2. Це дозволило істотно покращити пасивуючі властивості сформованих антивідбивних шарів пористого кремнію за рахунок суміщення режимів анодування з водневим пасивуванням при зміні напрямку протікання струму;
7. Проведений розрахунок ефективності фотоелектричного перетворення на основі удосконаленої математичної моделі з врахуванням параметрів функціональних шарів пористого кремнію показав, що максимальне значення ефективності перетворення для ФЕП з функціональним кремнієвим пористим шаром при кімнатній температурі становить 29,7%. При підвищенні температури оточуючого середовища це значення зменшується, зокрема при температурі 70оС ефективність перетворення становитиме 25,7%.
8. Модифікована технологія створення текстур типу “Honeycomb” методом хімічного травлення на поверхні кремнієвих підкладок фотоелектричного перетворювача. Встановлені закономірності залежності швидкості травлення від складу травника, діелектричної проникливості і значення поверхневого натягу органічних складників. Розроблено нові травники на основі розчині фтористоводневої і азотної кислот (HF:HNO3=1:2) з інгибіторами поверхневих реакцій (C3H8O3 чи C2H6O2) та органічних сполук з функціональними амідними групами ((СН3)2NСОН) з добавленням складників (C6H6, C3H6O). Отримана таким чином текстура дозволяє зменшити оптичні втрати зумовлені відбиттям світлового потоку від поверхні пластини з 37% до 11,5% при АМ 1,5 в спектральному діапазоні 400 нм ÷ 1000 нм, що є співмірно з втратами для текстур «канавко-подібною» поверхнею та поверхнею типу «хаотичні піраміди». Ефективність перетворення сонячних елементів з текстурою типу “Honeycomb” з використанням антивідбивного покриття підвищується в 1,26 разів (від 13% до 16,3%).
9. Розроблений метод отримання пористого кремнію модифікованим хімічним багатостадійним травленням і виявлено, що сумарна поверхня мультиструктурного пористого кремнію складається з кількох окремих субструктур, зокрема структури лужного травлення з діаметром пор 2…5 мкм і пористої структури з розміром пор у діаметрі менше 1 мкм. Використання такої технології забезпечує підвищення ефективності перетворення ФЕП на основі мультикристалічних підкладок кремнію Baysix до 18% при АМ 1,5;
10. Встановлено, що процес електрохімічного анодування і гідрогенізації надає можливості формувати високоефективне, товщиною до 100 нм, антивідбивне покриття кремнієвих фотоелектричних перетворювачів не пошкоджуючи нанесену фронтальну струмозбираючу гребінку на основі Ti/Ag/Pd. Встановлені технологічні режими формування пористих шарів (час анодизації 12…15 с, густина анодного струму 10…200 мА/см2, густина струму гідрогенізації більше 50 мкА/см2). Таке антивідбивне покриття забезпечує підвищення ефективності перетворення ФЕП на мультикристалічній кремнієвій підкладці в 1,2 рази, а на монокристалічній кремнієвій підкладці в 1,3 рази при АМ 1,5.

Список використаних джерел
1. Оксанич А.П. Сучасні технології виробництва кремнію та кремнієвих фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії: монографія / А.П Оксанич., С.О.Волохов, В.А. Тербан, М.І.Клюй, В.А.Скришевський, В.П.Костильов, А.В.Макаров; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова - Кривий Ріг: Вид-во:«Мінерал», 2010. - 266 с.
2. Kazmerski L.L. Photovoltaics: a review of cell and module technologies / L.L. Kazmerski // Renevable and Sustainable Energy Reviews. - 1997. – V. 1. - P. 71-170.
3. Litovchenko V.G. Simulation of solar cells with quantum wells / V.G. Litovchenko, I.I. Ivanov, V.A. Skryshevsky // SCELL-2004, International conference on the Physic, Chemistry and Engineering of Solar Cells, May 17-22, 2004. – Badajoz (Spain). – 2004. – P. 242.
4. Litovchenko V.G. Peculiarities solar cells with silicon nanoparticles and silicon quantum wells / V.G. Litovchenko, I.I. Ivanov, V.A. Skryshevsky // 23th EU-PVSEC, European photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, September 1-5. – 2008. – Valencia (Spain), 2008. – P. 265-268.
5. Евтух А. А. Механизм токопроходжения в электролюминисцентных структурах пористый кремний/монокристаллический кремний / А. А. Евтух, Э. Б. Каганович, Э. Г. Манойлов, Н. А. Семененко // Физика и техника полупроводников. – 2006. – Т.40, №2. – С.180-184.
6. Горбанюк Т.І., Адсорбція воднемістких молекул в багатошарових структурах з плівками пористого кремнію та паладію. / Т. І. Горбанюк, А. А. Євтух, В. Г. Литовченко, В.С. Солнцев, Є. М. Пахлов// Фізика і хімія твердого тіла. – 2006. – V 7, №1 – С. 60-66.
7. Gorbanyuk T.I. Nanoporous silicon doped by Cu for gas-sensing applications / T.I. Gorbanyuk, A.A. Evtukh, V.G. Litovchenko V.S. Solntsev // Physica E. – 2007. – V. 38. – P. 211-214.
8. Green M.A. Solar Cell Efficiency Tables / M.A.Green, K. Emery, K. Bucher, D.L. King // Progress In Photovoltaics. - 1998. – V. 5. - P. 51-55.
9. Вакив Н.М. Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии / Вакив Н.М., Круковский С.И., Ерохов В.Ю., Мельник И.И. // НТ Журнал «Технология и конструирование в электронной аппаратуре». – №3. – 2001. – C. 21–30.
10. Haynos J. The Comsat non-reflective silicon solar cell: a second generation improved cell / J. Haynos, J. Allison, R. Arndt, A. Meulenberg // Proc. Int. Conf. on Photovoltaic Power Generation. - Hamburg (Germany). - 1974. - P. 487-490.
11. Arndt R. Optical Properties of the COMSAT Non-Reflective Cell / R. Arndt, J. Allison, J. Haynos, A. Meulenberg //Proc. 11th IEEE Photovoltaic Spec. Conf. - 1975. - P. 40-47.
12. Rittner E.S. Comparison of silicon solar cell efficiency for space and terrestrial use / E.S. Rittner, R.A. Arndt // J. Appl. Phys. - 1976. – V. 47. - P. 2999-3004.
13. Green M.A. Silicon solar cells: evolution, highefficiency design and efficiency enhancements / M.A. Green // Semicond. Sci. Technol. - 1993. – V. 8. - P. 1-12.
14. Green M.A. Improvements in silicon solar cell efficiency / M.A. Green , A.W. Blakers, S.R. Wenham, S. Narayanan, M.R. Willison, M. Taouk, T. Szpitalak // Proc. 18th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. - Las Vegas (USA). - 1985. - P. 39-42.
15. Sinton R.A.Silicon point contact concentrator solar cells / R.A. Sinton, Y. Kwark, P. Gruenbaum, R.M. Swanson // Proc. 18th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. - Las Vegas (USA). -1985. - P. 61-65.
16. Green M.A. Recent advances in silicon solar cell performance / M.A. Green // Proc. 10th European Communities Photovoltaic Solar Energy Conference. - Lisbon (Portugal). - 1991. - P. 250-253.
17. Green M.A. 22.6% Efficient Silicon Solar Cells / A.W. Blakers, J. Zhao, A. Wang, A.M. Milne, X. Dai, M.A. Green // Proc. 9th European Photovoltaic Solar Energy Conference. - Florence (Italy). - 1989. - P. 301-304.
18. Honsberg C.B. 685 mV Open Circuit Voltage Laser Grooved Silicon Solar Cell / C.B. Honsberg, F. Yun, A. Ebong, M. Taouk, S.R. Wenham, M.A. Green // Solar Energy Materials and Solar Cells. - 1994. – V. 34. - P. 117-124.
19. Zhao J. 24% efficient silicon solar cells / J. Zhao, A. Wang, P.P. Altermatt, S.R. Wenham, M.A. Green // Proc. 24th IEEE Photovoltaic Solar Energy Conversion. - Waikoloa (Hawaii). - 1994. - P. 1477-1480.
20. Green M.A. Silicon solar cells. Advanced Principles & Practice. - Sydney: Centre for Photovoltaic Devices and Systems University of NSW, 1995. -363 p.
21. Zhao J. Twenty-four percent efficient silicon solar cells with double layer antireflection coatings and reduced resistance loss / J. Zhao, A. Wang, P.P. Altermatt, M.A. Green // Appl. Phys. Lett. - 1995. – V. 66. - P. 3636-3638.
22. Zhao J. Optimized Antireflection Coatings for High Efficiency Silicon Solar Cells / J. Zhao, M.A. Green // IEEE Trans. Electron. Devices. - 1991. - ED-38. - P. 1925-1934.
23. Green M.A. 45% Efficient Silicon Photovoltaic Cell Under Monochromatic Light / M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, S.R. Wenham // IEEE Electron. Device Letters. - 1992. – V. 13.- P. 317-318.
24. Стриха В.И., Кильчицкая С.С. Солнечные элементы на основе контакта металл-полупроводник. - СПб.: Энергоатомиздат. Санкт-Петербург., 1991. – 136 c.
25. Salter G.C. Silicon solar cells using natural inversion layers found in thermally oxidized p-silicon / G.C. Salter, R.E. Thomas // Solid State Electron. - 1977. – V. 20. - P. 95-104.
26. Горбань А.П. О фотоэлектрических характеристиках фотоэлементов с поверхностным каналом / Горбань А.П., Литовченко В.Г., Попов В.Г., Серба А.А. // ФТП. - 1977. - 11, № 7. - C. 1400-1403.
27. Godfrey R.B. 655 mV open-circuit voltage, 17.8% efficient silicon MIS solar cells. / R.B. Godfrey, M.A. Green // Appl. Phys. Lett. - 1979. – V. 34. - P. 790-792.
28. Hezel R. Low-temperature surface passivation of silicon for solar cells / R. Hezel, K. Jaeger // J. Electrochem. Soc. - 1989. – V. 136. – P. 518-525.
29. Hezel R. Recent advances in silicon inversion layer solar cells and their transfer to industrial pilot production / R. Hezel, W. Hoffmann, K. Jaeger // Proc. 10th European Photovoltaic Solar Energy Conference. - Lisbon (Portugal). - 1991. - P. 511-514.
30. Green M.A. Advantages of metal-insulator-semiconductor structures for silicon solar cells / M.A. Green, A.W. Blakers // Solar Cells. - 1983. – V. 8. - P. 3-14.
31. Godfrey R.B. High efficiency silicon minMIS solar cells - Design and experimental results / R.B. Godfrey, M.A. Green // IEEE Trans. Electron. Devices. - 1980. - ED-27. - P. 737-742.
32. Green M.A. Minority carrier MIS tunnel diodes and their application to electron- and photovoltaic energy conversion / M.A. Green, F.G. King, J. Shewchun // Solid State Electron. - 1974. – V. 17. - P. 551-560.
33. Green M.A. Current Multiplication In Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) Tunnel Diodes / M.A. Green, J. Shewchun // Solid-State Electronics. - 1974. – V. 17. - P. 349-365.
34. Hezel R. Silicon nitride for the improvement of silicon inversion layer solar cells / R. Hezel // Solid State Electron. - 1981. – V. 24. - P. 863-868.
35. Hezel R. High efficiency inversion layer solar cells on polycristalline silicon by the application of silicon nitride / R. Hezel, R. Schorner // J. Appl. Phys. - 1981. – V. 52. - P. 3076-3078.
36. Hezel R. Effects of Cs contamination on the interface state density of MNOS capacitors / R.Hezel, K. Blumenstock, R. Schörner // J. Electrochem. Soc. - 1984. – V. 131. - P. 1679-1683.
37. Mukadam K. The 1 MW photovoltaic plant in Toledo-Spain: first operational results and experiences / K. Mukadam, F. Chenio, A. Matas, L. Rebello, M. Alonso, R. Pottbrock, R. Voermans // Proc. 13th European Photovoltaic Solar Energy Conference. - Nice (France). - 1995. - P. 1770-1773.
38. Hezel R. Recent progress in MIS solar cells / R. Hezel // Progress in Photovoltaics: Reserach and Applications. - 1997. - 2. - P. 109-120.
39. Hezel R. Properties of inversion layers for MIS/IL solar cells studied on low-temperature-processed MNOS transistors / R. Hezel, K. Jaeger // Solid State Electron. - 1983. – V. 26. - P. 993-998.
40. Lauinger T. Record low surface recombination velocities on 1-cm p-silicon using remove plasma silicon nitride passivation / T. Lauinger, J. Schmidt, A.G. Aberle, R. Hezel // Appl. Phys. Lett. - 1996. – V. 68. - P. 1232-1234.
41. Hezel R. Inversion layer solar cells with improved silicon surface passivation / W. Bauch, R. Hezel // Proc. 9th European Photovoltaic Solar Energy Conference. - Freiburg (Germany). - 1989. - P. 390-393.
42. Hezel R. A new high efficiency solar cell concept based on truncated pyramids / R. Hezel // Proc. 1st World Conference on Photovoltaic Energy Conversion. - Waikoloa (Hawaii). - 1994. - P. 1466-1469.
43. Hezel R. A novel approach to cost-effective high efficiency solar cells / R. Hezel // Proc. 13th European Photovoltaic Solar Energy Conf. - Nice (France). - 1995. - P. 115-118.
44. Grauvogl M. 17.1 % efficient truncated-pyramids inversion-layer silicon solar cells / M. Grauvogl, A.G. Aberle, R. Hezel // Proc. 25th IEEE Photovoltaic Specialists Conference. - Washington (USA). - 1996. - P. 433-436.
45. Grauvogl M. 17.1 % efficient metal-insulator-semiconductor inversion layer silicon solar cells using truncated pyramids / M. Grauvogl, A.G. Aberle, R. Hezel // Appl. Phys. Lett. - 1996. – V. 69. - P. 1462-1464.
46. Hezel R. A review of recent advances in MIS solar cells / R. Hezel // Proc. of the “Sixth Workshop on the Role of Impurities and Defects in Silicon Processing”. - Snowmass (USA). - 1996. - P. 1-15.
47. Hezel R. A new strategy for the fabrication of cost-effective silicon solar cells / R. Hezel, A. Metz // Proc. The Sixth Arab International Solar Energy Conference, AISEC-6. - Muscat (Sultanate of Oman). - 1998. - P. 83-87.
48. Uhlir A. Formation of porous silicon / A. Uhlir // Bell Syst. Tech. J. - 1956. – V. 35. - P. 333-339.
49. Turner D.R. On the mechanism of chemically etching germanium and silicon / Turner D.R. // J. Electrochem. Soc. -1960. – V. 107. - P. 24-30.
50. Arita Y. Formation and properties of porous silicon / Arita Y., Sumohara Y. // J. Electrochem. Soc. - 1977. – V. 124. - P. 285-295.
51. Zhe Chuan Feng Porous Silicon / Zhe Chuan Feng, Raphael Tsu // World Scientific Publishing Co. – 1994.
52. Николаев К.П. Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике / К.П. Николаев, Л.H. Немировский // Обзоры по электронной технике. - 1989. - 2, № 9.
53. Lehmann V. Formation mechanism and properties of electrochemically etched tranches in n-type silicon / V. Lehmann, Н. Foil // J. Electrochem. Soc. - 1990. – V. 137. - P. 653-659.
54. Canham L. T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers / Canham L. T. // Appl. Phys. Lett. - 1990. – V. 57. – N. 10. - P. 1046-1048.
55. Propst E. K. The electrochemical oxidation of silicon and formation of porous silicon in acetonitrile / E. K. Propst and P. A. Kohl // J. Electrochem. Soc. - 1994. – V. 141. - P. 1006-1013.
56. LehmannV. The physics of macropore formation in low-doped p-type silicon / and S. Ronnebeck // J. Electrochem. Soc. - 1999. – V. 146. - P. 2968-2975.
57. Barillaro G. Non-constant anodization current effects on spectra of porous silicon LEDs / G. Barillaro, A. Diligenti, M. Piotto, M. Allegrini, F. Fuso, L. Pardi, // Materials Science and Engineering B. - 2003. – V. 101. - P. 266-269.
58. Balagurov L. A. Low noise photosensitive device structures based on porous silicon / L. A. Balagurov, S. C. Bayliss, D. G. Yarkin, S. Ya. Andrushin, V. S. Kasatochkin, A. F. Orlov, E. A. Petrova // Solid-State Electronics. - 2003. – V. 47. - P. 65-69.
59. , Torres-Costa V. Development of interference filters based on multilayer porous silicon structures / V. Torres-Costa, R. Gago, R.J. Martin-Palma, M. Vinnichenko, R. Grotzschel, J.M. Martinez-Duart // Materials Science and Engineering C. - 2003. – V. 23. - P. 1043-1046.
60. Rossi A.M. Lateral structuring of porous silicon: application to waveguides / A.M. Rossi, S. Borini, L. Boarino, G. Amato // Phys. Stat. Sol. (a). - 2003. – V. 197. - P. 284-287.
61. Birner A. Transmission of a microcavity structure in a two-dimensional photonic crystal based on macroporous silicon / A. Birner, A.-P. Li, F. Muller, U. Gosele, P. Kramper, V. Sandoghdar, J. Mlynek, K. Busch, V. Lehmann // Mater. Sci. Sem. Proc. - 2000. – V. 3. - P. 487-491.
62. Lipinski M. Macroporous texturing of multicrystalline silicon for solar cells / M. Lipinski // Archives of Metallurgy and Materials. – 2008. – V. 53(1). – P. 185-187.
63. Boarino L. N02 monitoring at room temperature by a porous silicon gas sensor / L. Boarino, C. Baratto, F. Geobaldo, G. Amato, E. Comini, A. M. Rossi, G. Faglia, G. Lerondel, G. Sberveglieri // Materials Science and Engineering B. - 2000. – V. 69-70. - P. 210-214.
64. Yarkin D. G. Impedance of humidity sensitive metal/porous silicon/n-Si structures / D. G. Yarkin // Sensors and Actuators A. - 2003. – V. 107. - P. 1-6.
65. Luth H. Biochemical sensors with structured and porous silicon capacitors / H. Luth, M. Thust, A. Steffen, P. Kordos, M. J. Schoning // Materials Science and Engineering B. - 2000. – V. 69-70. - P. 104-108.
66. Presting H. Porous silicon for micro-sized fuel cell reformer units / H. Presting, J. Cophie, V. Starkov, A. Vyatkin, U. Konig // Materials Science and Engineering B. - 2004. – V. 108. - P. 162-165.
67. Лабунов В.А. Пористый кремний в поолупроводниковой электронике / Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Борисенко В.Е // Зарубежная электронная техника. - 1978. - № 15. - С. 3-48.
68. Smith R.L. Porous silicon formation mechanisms / Smith R.L., Collins S.D. // J. Appl. Phys. - 1992. – V. 71. - R1-R12.
69. Zhang X.G. Porous silicon formation and electropolishing of silicon by anodic polarization in HF solution / Zhang X.G., Collins S.D., Smith R.L. // J. Electrochem. Soc. - 1989. – V. 136. - P. 1561-1565.
70. Vial J.-C. Porous Silicon: Science and Technology / J.-C. Vial, J. Derrien // Les Editions de Physique. - 1995. - P. 355.
71. Єрохов В.Ю. Пористі структури в кремнієвих фотоперетворювачах сонячної енергії / Єрохов В.Ю., Милянич А.О. Богдановський Ю.М. // 1 Міжнародна науково-практична конференція “Нетрадиційні і поновлювальні джерела енергії як альтернативні первинним джерелам енергії в регіоні”. – м. Львів. – 31.05-01.06. 2001. – C.174-177.
72. Foil Н. Formation and application of porous silicon / Н. Foil, М. Christophersen, J. Carstensen, G. Hasse // Materials Science and Engineering R. - 2002. – V. 39. - P. 93-141.
73. Lehmann V. Electrochemistry of silicon. Instrumentation, science, materials and application / V. Lehmann // Wiley-VCH. – Weinheim. - 2002. - P. 277.
74. Turner D. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions/ D. Turner // J. Electrochem. Soc. - 1958. – V. 5. - P. 402-405.
75. Memming R. Anodic dissolution of silicon in hydrofluoric acid solutions / R. Memming, G. Sckwandt // Surface Science. - 1966. – V. 4. - P. 109-124.
76. Carstensen J. Pore formation mechanisms for the Si-HF system / J. Carstensen, M. Christophersen, H. Foil // Materials Science and Engineering B. - 2000. – V. 69-70. - P. 23-28.
77. Canham L. T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers / L. T. Canham // Appl. Phys. Lett. - 1990. – V. 57. - P. 1046.
78. Prokes M. SiHx excitation: An alternate mechanism for porous Si photoluminescence / S. M. Prokes, O. J. Glembocki, V. M. Bermudez and R. Kaplan // Phys. Rev. - 1992. – V. 45(23). - P. 13788-13791.
79. Brandt M. S. The origin of visible luminescencefrom “porous silicon”: A new interpretation / M. S. Brandt, H. D. Fuchs, M. Stutzmann, J. Weber, and M. Cardona // Solid State Commun. - 1992. – V. 81. - P. 307.
80. Koch F. Optical absorption of free-standing porous silicon films / F. Koch // MRS Symp. Proc. - 1993. – P. 298-319.
81. Chazalviel J.-N. Electrochemical preparation of porous semiconductors: from phenomenology to understanding" / J.-N. Chazalviel, R.B.Wehrspohn, F. Ozanam // Materials Science and Engineering B. - 2000. – V. 69-70. - P. 1-10.
82. Witten T. A. Diffusion-limited aggregation / T. A. Witten, L. M. Sander // Phys. Rev. B. - 1983. – V. 27. - P. 5686-5697.
83. Smith R. L. Generalized model for the diffusion-limited aggregation and Eden models of cluster growth / R. L. Smith, S. D. Collins // Phys. Rev. A. - 1989. – V. 39. - P. 5409-5413.
84. Parkhutik V. P. Theoretical modeling of porous oxide growth on aluminium / V. P. Parkhutik, V. I. Shershulsky // J. Phys. D. - 1992. – V. 25. - P. 1258-1263.
85. Carstensen J. A model for current-voltage oscillations at the silicon electrode and comparison with experimental results/ J. Carstensen, R. Prange, H. Foil // J. Electrochem. Soc. - 1999. – V. 146. - P. 1134-1140.
86. Valance A. Theoretical model for early stages of porous silicon formation from n- and p-type silicon substrates / A. Valance // Phys. Rev. B. - 1997. – V. 55. - P. 9706-9715.
87. Kang Y. Dissolution mechanism for p-Si during porous silicon formation / Y. Kang, J. Jorne // J. Electrochem. Soc. - 1997. – V. 144. - P. 3104-3110.
88. Chazalviel J.-N. Electrochemical preparation of porous semiconductors: from phenomenology to understanding formation / J.-N. Chazalviel, R.B. Wehrspohn, F. Ozanam // Materials Science and Engineering B. - 2000. – V. 69-70. - P. 1-10.
89. Emel'yanov V. I. Defect-deformation mechanism of spontaneous nucleation of an ensemble of pores in solids and its experimental verification / V. I. Emel'yanov, K. I. Eremin, V. V. Starkov // Quantum Electronics. - 2002. – V. 32. - P. 473-475.
90. Емельянов В. И. Самоорганизация упорядоченных дефектно-деформационных микро- и наноструктур на поверхности твердых тел под действием лазерного излучения / В. И. Емельянов // Квант. электроника. – 1999. – Т. 28 (7). - С. 2-18.
91. Walgraef D. Deformation patterns in thin films under uniform laser irradiation" verification / D. Walgraef, N. М. Ghoniem and J. Lauzeral // Phys. Rev. B. - 1997. – V. 56(23). - P. 15361-15377.
92. Emel'yanov V. I. Generation-Diffusion-Deformational Instabilities and Formation of Ordered Defect Structures on Surfaces of Solids under the Action of Strong Laser Beams / V. I. Emel'yanov // Laser Physics. - 1992. – V. 2. – N.4. - P. 389-466.
93. Lehmann V. The physics of macropore formation in low doped n-type silicon / V. Lehmann // J. Electrochem. Soc. - 1993. – V. 140. – N.10. - P. 2836-2843.
94. Lehmann V. The physics of macropore formation in low-doped p-type silicon / V. Lehmann, S. Ronnebeck // J. Electrochem. Soc. – 1999. – V. 146. - P. 2968-2975.
95. Zhang X. G. Morphology and Formation Mechanisms of Porous Silicon / X. G. Zhang // J. Electrochem. Soc. - 2004. – V. 151(1). - P. 69-80.
96. Lehmann V. Porous silicon formation: A quantum wire effect / V. Lehmann, U. Gosele // Appl. Phys. Lett. - 1991. – V. 58. - P. 856-858.
97. Kompan M. E. Observation of a compressed state of the quantum wire material in porous silicon by the method of Raman scattering / M. E. Kompan, E. G. Kuzminov, V. Kulik // JETP Letters. - 1996. – V. 64. - P. 748-753.
98. Starkov V. V. Dielectric porous layer formation in Si and Si/Ge by local stain etching / V. V. Starkov, E. A. Starostina, A. F. Vyatkin, V. T. Volkov // Phys. Stat. Sol. (a). - 2000. – V. 182. - P. 93-96.
99. Kleimann P. Formation of wide and deep pores in silicon by electrochemical etching / P. Kleimann, J. Linnros, S. Petersson // Mater. Sci. Eng. B. - 2000. – V. 69-70. - P. 29-33.
100. Prasad A. Enhancement of the performance of InAs quantum dots solar cell / A. Prasad, S. Balakrishnan, S.K. Jain, G.C. Jain // J. Electrochem. Soc. – 1982. – V. 129. - P. 596-599.
101. Smestad G. Photovoltaic response in electrochemically prepared photoluminescent porous silicon / G. Smestad, M. Kunst, C. Vial // Sol. Energy Matter. Sol. Cells. – 1992. – V. 26. - P. 277-283.
102. Richard S. A vision for crystalline silicon photovoltaics / S. Richard // Progress in Photovoltaics: Research and Applications. – 2006. – V. 14. – N. 5. - P. 443–453.
103. Ramizy A. “Improved performance of solar cell based on porous silicon surfaces”/ A. Ramizy, W.J. Aziz, Z. Hassan, K. Omar and K. Ibrahim// Optik. – 2011. – V. 122(23). – P. 2075-2077.
104. Moon I. Selective emitter using porous silicon for crystalline silicon solar cells / Moon I., Kim K., Thamilselvan M. // Solar Energy Materials and Solar Cells. – 2009. – V. 93(6-7). - P. 846-850.
105. Bilyalov R. Multicrystalline silicon solar cells with porous silicon emitter // R. Bilyalov, R. Ludemann, W. Wettling // Solar Energy Materials & Solar Cells. - 2000. – V. 60. - P. 391-420.
106. Yerokhov V. Porous silicon in solar cell structures: A review of achievements and modern directions of further use / Yerokhov V. Melnyk I.I. // Renewable and Sustainable Energy Reviews. – 1999. – V.3. – N.4. – P. 291–322.
107. Bilyalov R.R. Multicrystalline silicon solar cells with porous silicon emitter rules / R.R. Bilyalov, R.Ludemann, W. Wettling, L. Stalmans // Solar Energy Materials & Solar Cells - 2000 - N.60 - p.p.391-420.
108. Stempel T. Efficient photoelectrochemical nanoemitter solar cell / Stempel T., Aggour M., Skorupska K. // Electrochemistry Communications. – 2008. – 10(8). – P. 1184-1186.
109. Єрохов В.Ю. Пористі структури в кремнієвих фотоперетворювачах сонячної енергії / Єрохов В.Ю. // Вісник НУ “Львівська політехніка”: Електроніка. – 2002. – № 459. – C. 92-109.
110. Gartia M.R. “Optical characterization of nanopillar black silicon for plasmonic and solar cell application”/ Gartia M.R., Chen Y., Xu Z.// Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 2011. – 2011. – 8096. – Art. No. 80962B.
111. Cheng C.-L. Fabrication and characterizations of black hybrid silicon nanomaterials as light-trapping textures for silicon solar cells / Cheng C.-L., Liu C.-W., Jeng J.-T. // Journal of the Electrochemical Society. – 2009. – V. 156(5). – P. H356-H360.
112. Lin C.-H. Influence of surface structure on the performance of black-silicon solar cell / C.-H. Lin, D.Z. Dimitrov, C.-H. Du // Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. – 2010. – V. 7(11-12). – P. 2778-27841.
113. Fang W. Analysis of sunlight loss for femtosecond laser microstructed silicon and its solar cell efficiency / W. Fang, C. Changshui, H. Huili // Applied Physics A: Materials Science and Processing. – 2011. – V. 103(4). – P. 977-982.
114. Halbwax M. Micro and nano-structuration of silicon by femtosecond laser: Application to silicon photovoltaic cells fabrication”/ M. Halbwax, T. Sarnet, P. Delaporte // Thin Solid Films. – 2008. – V. 516(20). – P. 6791-6795.
115. Zhu X. Picosecond laser microstructuring for black silicon solar cells / X. Zhu, H. Zhu, D. Liu // Advanced Materials Research. – 2012. – V. 418-420. – P. 217-221.
116. Medvid A. Formation of "black silicon" by laser radiation for solar cells application / Medvid A., Onufrijevs P., Dauksta E.// 3rd International Conference - Radiation Interaction with Material and Its Use in Technologies 2010. Program and Materials, Interaction'2010. – 2010. – P. 89-90.
117. Medvid A. “Black Silicon" formation by Nd: YAG laser radiation / A. Medvid, P. Onufrijevs, E. Dauksta, V. Kyslyi // Advanced Materials Research. – 2011. – V. 222 – P. 44-47.
118. Selj J.H. Porous silicon multilayer antireflection coating for solar cells; process considerations / J.H. Selj, E. Stensrud Marstein// Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. – 2011. – V. 8(6). P. 1860-1864.
119. Jinsu Y. Black surface structures for crystalline silicon solar cells / Y. Jinsu, Y. Gwonjong, Y. Junsin // Materials Science and Engineering B. – 2009. – V. 159-160. – P. 333–337.
120. Mahmoud M.S. Porous layers preparation for solar cells by using effect etching process/ M.S. Mahmoud, A.L. Abed and H.H. Mohammad // Modern Applied Science. – 2011. – V. 5(5). – P. 165-170.
121. Ефимов Е.А., Ерусалимчик И.Г. Электрохимия германия и кремния. - М.: Госхимиздат, 1960. - 180 с.
122. Yerokhov V. Cost–effective Porous Silicon Technology For Solar Cell Industrial Applications / Yerokhov V., Lipinski M., Mylyanych A., Bogdanovskij Yu. // Ed. by J.M.Marshall and D Dimova-Malinovska, NATO Science Series – ll. Mathematics, Physics and Chemistry - Vol.80., Proceeding of the NATO Advanced Study Institute on Photovoltaic and Photoactive Materials – Properties, Technology and Applications, Sozopol, Bulgaria, 9–21 September 2001 – P. 333–336.
123. Zhe Chuan Feng Porous Silicon / Zhe Chuan Feng and Raphael Tsu – World Scientific Publishing Co. – 1994.
124. Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers / L.T. Canham // Appl. Phys. Lett. - 1990. – V. 57. P. 1046-1048.
125. Sanders G.D. Theory of optical properties of quantum wires in porous silicon / G.D. Sanders, Y.C. Chang // Phys. Rev. B. - 1992. – V. 45. - P. 9202-9213.
126. Lehmann V. Porous silicon formation: A quantum wire effect / V. Lehmann, U. Gösele // Appl. Phys. Lett. - 1991. – V. 58. - P. 856-858.
127. Tsuo Y.S. Potential applications of porous silicon in photovoltaics / Y.S. Tsuo, Y. Xiao, M.J. Heben, X. Wu, F.J. Pern, S.K. Deb // Proc. 23rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference. - Louisville (USA). - 1993. - P. 287-293.
128. Tsuo Y.S. Photovoltaic device applications of porous silicon / Tsuo Y.S., Heben M.J., Wu X., Xiao Y., Moore C.A., Verlinden P., Deb S.K. // Proc. Mat. Res. Soc. Symposium. - 1993. – V. 283. - P. 405-410.
129. Yerokhov V.Yu. Porous silicon in structures of solar cells / Yerokhov V.Yu. // Proc. School-workshop "Solar Cells: A New Challenge For the Mediterranean Area (Physics of Materials for Solar Energy Conversion)".- Portici, Italy, June. – 1997. – P. 37.
130. Menna P. Porous silicon in solar cells: A review and a description of its application as an AR coating / Menna P., Di Francia G., La Ferrara V. // Solar Energy Materials and Solar Cells. - 1995. – V. 37. -P. 13-24.
131. Yerokhov V.Yu. Porous silicon in structures of solar cells / Yerokhov V.Yu. // Proc. School-workshop "Solar Cells: A New Challenge For the Mediterranean Area (Physics of Materials for Solar Energy Conversion)".- Portici, Italy, June. – 1997. – P.37.
132. Yerokhov V. Porous coating of silicon substrate for solar energy converter / Yerokhov V.Yu. // Book of Abstracts of International Conference SolPol. - Warsaw, Poland, September, 2008 - P.23.
133. Aziz W.J., The effect of anti-reflection coating of porous silicon on solar cells efficiency / Aziz W.J., Ramizy A., Ibrahim K., Hassan Z.// Optik. – 2010. – V. 122 (16). – P. 1462-1465.
134. Ramizy A. Improved performance of solar cell based on porous silicon surfaces/ A. Ramizy, W.J. Aziz, Z. Hassan, K. Omar and K. Ibrahim // Optik. – 2011. – V. 122(23). – P. 2075-2077.
135. Yerokhov V. Porous silicon in structures of solar cells / V. Yerokhov, I. Melnyk, A.Tsisaruk, I.Semochko // Abstracts Book of PPMSS’99 - Third International School Conference on Physical Problems in Material Science of Semiconductors, Ukraine, Chernivtsi. – September 7-11, 1999. – P.246.
136. Yerokhov V.Yu. Solar cells structures with porous silicon / Yerokhov V.Yu., Melnyk I.I, Iznin O.I, // Abstract Book of Second International School-Conference on Physical Problems in Material Science of Semiconductor - Chernivtsi - Ukraine. – September 8-12 - 1997. – P.270.
137. Єрохов В.Ю. Хімічні технології отримання пористого кремнію для сонячних елементів / Єрохов В.Ю. // Вісник НУ “Львівська політехніка”” Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки”. – 2006. – №569. – C. 129-132.
138. Білик Т.Ю. Електричні властивості шарів наноструктурованого кремнію отриманого хімічним способом / Т.Ю.Білик // Электроника и связь, Тематический выпуск «Проблемы электроники», - 2010.- №3.-С.6-8.
139. Ben Rabha M. Stain-etched porous silicon nanostructures for multicrystalline silicon-based solar cells / Ben Rabha M., Hajji M., Belhadj Mohamed S. // EPJ Applied Physics. – 2012. – V. 57(2) Art. No. 21301.
140. D. L. Klein, Recent News Paper, Electrochem. Soc. Meeting, Chicago (1960)
141. Yerokhov V. Model conception of macroporous silicon surface for cost-effective solar cell textures // Yerokhov V., Tsisaruk O., Semochko I. // International Conference on Porous Semiconductors: Science and Technology - Madrid, Spain. – 2000. – P1-27.
142. Спосіб одержання поверхневої функціональної нанотекстури: патент № 66137 України на корисну модель: H01L 31/05 патент України на корисну модель. Спосіб одержання поверхневої функціональної нанотекстури / Дружинін А.О., Єрохов В.Ю., Островський І.П., Нічкало С.І., Ховерко Ю.М.; власник патенту національний університет “Львівська політехніка”. – u 201106810; Заявл. 30.05.2011р.; Опубл. 26.12.2011р, Бюл. № 24.
143. Vernon S. High performance porous silicon solar cell development / Vernon S., Kalkhoran N.M., Maruska H.P., Halverson W.D. // Proc. 1st World Conference on Photovoltaic Energy Conversion. - Waikoloa (Hawaii). - 1994. - P. 1583-1586.
144. Vazsonyi E. High efficiency silicon PV cells with surface treatment by anodic etching / Vazsonyi E., Fried M., Lohner T., Adam M., Mohacsy T., Barsony I., Szlufcik J., Duerinckx F., Nijs J. // 13th European Photovoltaic Solar Energy Conference. - Nice (France). - 1995. - P. 37-40.
145. Єрохов В.Ю. Микро- и нанопористые покрытия кремниевых подложек в структурах солнечных элементов / Єрохов В.Ю., Дружинін А.О. // Тези 11 міжнародної науково-практичної конференції “Современные информационные и электронные технологии” «СІЕТ», 24-28 травня, Одеса, Україна. – 2010. – C. 129.
146. Ramizy A. The effect of porosity on the properties of silicon solar cell / A. Ramizy, W.J. Aziz, Z. Hassan, K. Omar and K. Ibrahim // Microelectronics International. – 2010. – V. 27(2). – P. 117-120.
147. Ramizy A. New optical features to enhance solar cell performance based on porous silicon surfaces / A. Ramizy, Z. Hassan, K. Omar, Y. Al-Douri and M.A. Mahdi // Applied Surface Science. – 2011. –V. 257(14). – P. 6112-6117.
148. Колтун М.М. Селективные оптические покрытия преобразователей солнечной энергии.-М.: Наука, 1979. - 215 с.
149. Nagel H. Determination of optical constants of semitransparent films and substrates for silicon solar cells applications / Nagel H., Aberle A.G., Hezel R. // Proc. 2nd World Conference on Photovoltaic Solar Energy Conversion. - Vienna (Austria). - 1998. – P.65-67.
150. Yerokhov V. Optical characterization of porous silicon layers / V.Yerokhov, I.Melnyk, A.Tsisaruk // E-MRS Spring Meeting, Strassbourg: Scientific Programme and Book of Abstract.: Symposium P: Optical Characterization of Semiconductor Layers and Surfaces. - Strasbourg, June 1-4, 1999.- PV/P-7.
151. Xiao J. Reflectivity of porous-pyramids structured silicon surface / J. Xiao, L. Wang, X. Li // Applied Surface Science. – 2010. – V. 257(2). – P. 472-475.
152. Hübner A. A simple fabrication process for 20 % efficiency silicon solar cells / A.Hübner, C. Hampe, A. Aberle // Solar Energy Materials and Solar Cells. – V. 46. - 1997. - P. 67-77.
153. Yerokhov V. Prediction of optical properties of porous silicon layers / V.Yerokhov, I.Melnyk, A.Tsisaruk, I.Semochko // E-MRS Spring Meeting, Strassbourg: Scientific Programme and Book of Abstract. Symposium I: Microcrystalline and Nanocrystalline Semiconductors.- Strassbourg, June 1-4, 1999.- I-I/P-27.
154. H.A. Macleod, Thin-Film Optical Filters, 2nd edition, McGraw-Hill, New York, 1989. - p. 48.
155. Osorio E. “Optimization of porous silicon multilayer as antireflection coatings for solar cells”/ E. Osorio, R. Urteaga, L.N. Acquaroli// Solar Energy Materials and Solar Cells. – 2011. – V. 95(11). – P. 3069-3073.
156. Wu C. Near-unity below-band-gap absorption by microstructured silicon / C. Wu, C. H. Crouch, L. Zhao, J. E. Carey, R. Younkin, J. A. Levinson, E. Mazur, R. M. Farrell, P. Gothoskar, and A. Karger // Appl. Phys. Lett. – 2001. – V. 78. – P. 1850.
157. Єрохов В.Ю. Мультитекстура для фронтальної поверхні сонячних елементів / Єрохов В.Ю. // Вісник НУ “Львівська політехніка”:Електроніка.-2009.- №646. – C. 66-70.
158. Єрохов В.Ю. Поруваті структури для мультитекстур фотоелектричних перетворювачів / Єрохов В.Ю. // Вісник НУ “Львівська політехніка”:Електроніка . – 2011. - № 648. – C. 60-66.
159. Єрохов В.Ю. Функціональні поруваті структури для мультитекстур фронтальної поверхні кремнієвих сонячних елементів / Єрохов В.Ю., Дружинін А.О., Романюк І.С. // Матеріали І Міжнародної науково–практичної конференції “Напівпровідникові матеріали, інформаційні технології та фотовольтаїка”, НМІТФ-2011. – Кременчук, Україна. – 5-7 травня 2011. – C. 21.
160. Єрохов В.Ю. Мультитекстуры кремниевых фотоэлектрических преобразователей на основе пористых структур / Єрохов В.Ю., Дружинін А.О., Романюк І.С. // Тези 12 міжнародної науково-практичної конференції “Современные информационные и электронные технологии” «СІЕТ». – м. Одеса, Україна. – 23-27 травня 2011. – C. 290.
161. Єрохов В.Ю. Мультитекстура фронтальної поверхні фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії / Єрохов В.Ю., Селемонавічус А.А // 4 міжнародна науково-практична конференція “Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології”, Тези доповідей. – м. Кременчук, Україна. – травень 2010 – C. 23.
162. Selj J.H. Optimization of multilayer porous silicon antireflection coatings for silicon solar cells / J.H. Selj, A. Thogersen, S.E. Foss and E.S. Marstein // Journal of Applied Physics. – 2010. – V. 107(7).
163. Lien S.-Y. Tri-layer antireflection coatings (SiO2/SiO2–TiO2/TiO2) for silicon solar cells using a sol–gel technique / S.-Y. Lien, D.-S. Wuua, W.-C. Yeh // Solar Energy Materials & Solar Cells. – 2006. – V. 90. – P. 2710–2719.
164. Єрохов В.Ю. Мультитекстура фронтальної поверхні фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії / Єрохов В.Ю., Селемонавічус А.А // Науковий вісник КУЕІТУ: Нові технології. – травень 2010. - № 2(28). – C. 96-99.
165. Энциклопедия полимеров. Т.1. / М: Советская энциклопедия, 1972. – 1224 c.
166. Айлер Р. Химия кремнезема. Т.1. / Р.Айлер. - М: Мир, 1982. – 426 c.
167. Gaponenko N.V. Carbon depth distribution in spin-on silicon dioxide films / N.V.Gaponenko, H.Gnaser, P.Becker and V.A.Grozhik // Thin Solid Films. –1995. – V. 261. – P. 186—191.
168. Nahor A. Hybrid structures of porous silicon and conjugated polymers for photovoltaic applications / A. Nahor, O. Berger, Y. BardaVid // Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. –2011. – V. 8(6). – P. 1908-1912.
169. Lev O. Sol−Gel Materials in Electrochemistry / O. Lev, Z. Wu, S. Bharathi, V. Glezer, A. Modestov, J. Gun, L. Rabinovich, S. Sampath // Chem. Mater. – 1997. – V.9(11). - P. 2354–2375.
170. Комаров В. С. Дубницкая И. Б. Физика химические основы регулирования пористой структуры адсорбентов и катализаторов.- Минск: Наука и техника 1991.- 336 с.
171. Schuler A. Sol–gel deposition and optical characterization of multilayered SiO2/Ti1-xSixO2 coatings on solar collector glasses / Andreas Schuler, Deepanshu Dutta, Estelle de Chambrier, Christian Roecker // Solar Energy Materials & Solar Cells. - 2006. - №90. - Р. 2894–2907.
172. Preparation and some characterictics of polyepoxypropylcarbazole thin films with embedded Au-Ag nanoparticles / A.V.Kukhta, E.E.Kolesnic, V.Yu.Yerokhov, A.I.Lesnicovich // Ed. by Johann Peter Reithmaier, Plamen Petkov, Withelm Kulisch and Cyril Popov, NATO Science for Peace and Security Series – B: Physics and Biophysics - Proceeding of the NATO Advanced Study Institute on Nanostructure Materials for Advanced Technological Applications, Sozopol, Bulgaria, June 2009. – P. 223–226.
173. Coppede N. Nanohybrid material synthesis by supersonic beam codeposition for solar cells applications / Coppede N., Toccoli T., Nardi M. // First Int. Conference on Multifunctional, Hybrid and Nanomaterials.- Tours (France).- 2009. - P. 27.
174. Yerokhov V.Yu. Porous silicon and porous organic silicon as advanced material in solar cell and sensors structures / Yerokhov V.Yu. // Book of Abstract of NATO Advanced Study Institute “Nanostructured and Advanced Materials for Applications in sensors, optoelectronics and photovoltaic technology” - Sozopol, Bulgaria – 6-17 September 2004. – P1-06 – P.40.
175. Yerokhov V.Yu. Porous Silicon and Porous Organic Silicon in Solar Cell Structures / Yerokhov V.Yu. // Book of Abstract of 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition – Paris, France. – 7-11 June 2004, Session Reference:1AV.2.59, Abstract No.817.
176. Єрохов В.Ю. Мультитекстура фронтальної поверхні фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії / Єрохов В.Ю., Селемонавічус А.А // Науковий вісник КУЕІТУ: Нові технології. – травень 2010. - № 2(28). – C. 96-99.
177. Yerokhov V. Technology of porous silicon and synthesis porous organic silicon / Yerokhov V.Yu. // Book of Abstract of NATO Advanced Study Institute on “Functional Properties of Nanostructured Materials” - Sozopol, Bulgaria. – 03-15 June 2005. – P.6.
178. Kayes B.M. Comparison of the device physics principles of planar and radial p-n junction nanorod solar cells / Kayes B.M., Atwater H.A., Lewis N.S. // J. Appl. Phys. – 2005. – V. 97. – P. 114302–114312.
179. Kayes B.M. Growth of vertically aligned Si wire arrays over large areas with Au and Cu catalysts / Kayes B.M., Filler M.A., Putnam M.C., Kelzenberg M.D., Lewis N.S., Atwater H.A. // Appl. Phys. Lett. – 2007. – V. 91. – P. 103110 – 103112.
180. Buttard D. Confined growth of silicon nanowires as a possible process for third generation solar cells/ D. Buttard, L. Dupré, T. Bernardin // Physica Status Solidi (C). – 2011. – V. 8(3). – P. 812-815.
181. Буравлев А.Д. Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs : Be / Буравлев А.Д., Безнасюк Д.В., Гильштейн Е.П., Tchernycheva M. // “Физика и техника полупроводников”, 2013 р. - 6(47). –– С. 797-801
182. Tsakalakos L. Silicon nanowire solae cells / Tsakalakos L., Balch J., Fronheiser J., Korevaar B.A., Sulima O., Rand J. // Appl. Phys. Lett. – 2007. – V. 91. – P. 233117–233119.
183. Дружинін А.О. Низькорозмірні кристали кремнію для фотоелектричних перетворювачів / Дружинін А.О., Островський І.П., Ховерко Ю.М., Нічкало С.І., Бережанський Є.І. // Труды XIІ международной научно-практической конференции “Современные информационные и электронные технологии” (СИЭТ-2011). – Одесса. – 2011. – С. 291.
184. Дружинін А. Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А. Дружинін, В. Єрохов, І. Островський, Ю. Ховерко, С. Нічкало // Тези доповідей міжнародної наукової конференції "Органічні і неорганічні матеріали для молекулярної електроніки і нанофотоніки", 23-25 квітня 2010 р., м. Черкаси. - С.33-34.
185. Дружинін А.О. Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / Дружинін А.О., Єрохов В.Ю., Островський І.П., Ховерко Ю.М., Нічкало С.І. // Вісник Черкаського Національного університету ім. Б. Хмельницького. Серія «Хімічні науки». – 2010. – Т. 175. – С.51–54.
186. Єрохов В.Ю. Використання нанопоруватого кремнію, як текстурованої поверхні фотоелектричних перетворювачів / Єрохов В.Ю. // Матеріали конференції 4 всеукраїнської науково-практичної конференції “Актуальні проблеми прикладної фізики”.– м. Севастополь, Україна. –2011. – C. 59-60.
187. Druzhinin A. Si Nanowires for Antireflective Coatings of Photovoltaic Cells / A.Druzhinin, I.Ostrovskij, V.Yerokhov, Yu.Khoverko, S.Nichkalo, Iu.Kogut //Material of Хth International Conference “Modern Problem of Radio Department at the Lviv Polytechnic National University”, TCSET’2012, February 21-24 2012, Lviv, Ukraine – P. 484-485.
188. Saadoun M. Porous silicon-based microtexturing of textured monocrystalline silicon solar cells / M. Saadoun, M. Fethi Boujmil, S. Aouida, M. Ben Rabha and B. Bessaïs // Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. – 2011. – V. 8(6). – P. 1869-1873.
189. Ou W. “Optical and electrical properties of porous silicon layer formed on the textured surface by electrochemical etching”/ W. Ou, L. Zhao, H. Diao, J. Zhang // Journal of Semiconductors. – 2011. – V. 32(5). – P. 056002.
190. Yerokhov V. Development of profitable Methods of Texturing for Silicon Solar Cells / V. Yerokhov, R. Hezel, H.Nagel, I.Melnyk, I.Semochko // Material of 16th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition - Glasgow, UK. – May 1-5, 2000. - №VA2-15.
191. Yerokhov V. Cost-effective methods of texturing for silicon solar cells / Yerokhov V., Hezel R., Lipinski M., Ciach R., Nagel H., Mylyanych A., Panek P. // E-MRS Spring Meeting./ E/P-B11. – Strasbourg, France. – 2001.– EP-B11.
192. Yerokhov V. High efficiency methods of surface texturing for silicon solar cells production / Yerokhov V., Hezel R., Melnyk I., Nagel H., Semochko I. // World Renewable Energy Congress-ΙΥ, Brighton, UK. – 1-7 July 2000. – Abstract N 502.
193. Єрохов В.Ю. Поверхнева функціональна мультитекстура для фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії / Єрохов В.Ю. // Науково–виробничий журнал “Східно–Європейський Журнал передових технологій”, № 3/2(39). – 2009. – C. 9–13.
194. Zhang X. G. Electrochemistry of Silicon and Its Oxides / X. G. Zhang. – Horwell: Kluwer Academic, - 2001. – 522 p.
195. Спосіб одержання поверхневої мультитекстури: патент № 36642 України на корисну модель: МКВ H 01 L патент України на корисну модель. Спосіб одержання поверхневої мультитекстури / Єрохов В.Ю., Селемонавічус А.А.; власник патенту національний університет “Львівська політехніка”. - а 2007 13213; Заявл. 27.11.2007р., Опубл. 10.11.2008, Бюл.№ 21.
196. Stalmans L. Effects of a porous silicon surface layer on the internal quantum efficiency of crystalline silicon solar cells / Stalmans L., W. Laureys, K. Said., Caymax M., Poortmans J., Nijs., Mertens R., Strehlke S., Levy-Clement C., Ventura L., Slaoui A., Bremond G., Daami A., Laugier A. // Proc. 14th Eropean Photovoltaic Solar Energy Conference. - Barselona (Spain). - 1997. - P. 2484-2487.
197. Yerokhov V.Yu. Porous silicon hydrogenizing for solar cells / Yerokhov V.Yu., Melnyk I.I., Gasko L.Z., Iznin O.I. // Abstracts Book of First World Conference "Porous Semiconductors: Science and Technology” - Mallorca (Spain). – 1998. - P. 169.
198. Єрохов В.Ю. Гідрогенізований пористий кремній в структурах сонячних елементів / Єрохов В.Ю., Мельник І.І. // Вісник НУ “Львівська політехніка”: Електроніка. – 2002. – № 455. – C. 80-86.
199. Yerokhov V.Yu. Hydrogenated porous silicon in solar cells structure / Yerokhov V.Yu., Melnyk I.I., Bogdanovsky N., Iznin O.I. // Proceedings of 2nd World Conference on Photovoltaic Solar Energy Conversion, Vienna, Austria. – 1998. – P. 1256-1259.
200. Lavine J.M. Role of Si-H and Si-H2 in photoluminescence of porous Si / Lavine J.M., Sawan P.S., Shieh T.Y., Bellezza A.J. // Appl. Phys. Lett. - 1993. – V. 62. - P. 1099-1101.
201. Banerjee S. Role of hydrogen- and oxygen-terminated surfaces in the luminescence of porous silicon / Banerjee S., Narasimhan K.L., Sardesai A. // Physical Review B.- 1994. – V. 49(4). - P. 2915-2918.
202. Yerokhov V.Yu. Luminescented properties of hydrogenated porous silicon / Yerokhov V.Yu., Melnyk I.I., Iznin O.I. // Proceedings of E-MRS Spring Meeting, Strasbourg, France. – 1998 – P.34.
203. Єрохов В.Ю. Хімічні технології для мультипористої поверхні фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії / Єрохов В.Ю., Дружинін А.О., Селемонавічус А.А // Науковий вісник КУЕІТУ: Нові технології. – 2009. – № 1(23). – C. 43-47.
204. Salman K.A. The effect of etching time of porous silicon on solar cell performance / K.A. Salman, K. Omar, Z. Hassan // Superlattices and Microstructures. – 2011. – V. 50(6). – P. 647-658.
205. Спосіб одержання поверхневої текстури: деклараційний патент № 52946А. України на винахід: МКВ H 01 L 31/05 України на винахід. Спосіб одержання поверхневої текстури / Єрохов В.Ю., Милянич А.О.; власник патенту національний університет “Львівська політехніка”. – u2001128880; Заявл. 21.12.2001; Опубл. 15.01.2003; Бюл. № 1.
206. Єрохов В.Ю Макропористі структури в кремнієвих фотоперетворювачах сонячної енергії / Єрохов В.Ю., Селемонавічус А.А. // Науковий вісник КУЕІТУ: Нові технології. – 2008. – № 2(20). – C. 238-242.
207. Yerokhov V. Technologies of porous silicon for humidity and gas sensors / V. Yerokhov, A. Selemonavichus // Material of 3 International Scientific and Technical Conference - “SEMST-3”. – 2-6 June Odessa, Ukraine. – 2008. – P.349.
208. Буджак Я.С. Прогнозування і розрахунок фотоелектричного перетворювача із заданими характеристиками / Буджак Я.С., Єрохов В.Ю. // Східно–Європейський журнал. – 2011. – № 4/8(52) – C. 14–29.
209. Chang P.-K. Improvement of the short-circuit current density and efficiency in micromorph tandem solar cells by an anti-reflection layer / Chang P.-K., Hsieh P.-T., Tsai F.-J. // Thin Solid Films. – 2011. – V. 520(1). – P. 550-553.
210. Фаренбрух А., Бьюоб Р. Солнечные элементы / Под ред. М.М. Колтуна. - М.: Энерго