Диэлектрические потери в щелочно-галоидных кристаллах с дислокациями в килогерцевом диапазоне Рыбянец, Валерий Александрович

Короткий опис

Рыбянец, Валерий Александрович.
Диэлектрические потери в щелочно-галоидных кристаллах с дислокациями в килогерцевом диапазоне : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Новокузнецк, 1984. - 186 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Рыбянец, Валерий Александрович
Введение
Актуальность работы
Научная новизна
На защиту выносятся . . . 7 I. Дефекты кристаллической структуры и их взаимодействие в щелочно-галоидных кристаллах
1.1. Точечные дефекты
1.1.1. Дефекты по Шоттки и Френкелю в щелочно-галоидных кристаллах.
1.1.2. Ионная проводимость ЩГК
1.1.3. Комплексы " анионная вакансия - катионная вакансия "
1.1.4. Комплексы " двухвалентная катионная примесь - катионная вакансия "
1.1.5. Ассоциаты дипольных комплексов
1.2. Дислокации и их взаимодействие с точечными дефектами
1.2.1. Дислокации в щелочно-галоидных кристаллах
1.2.2. Подвижность дислокаций
1.2.3. Локальные барьеры для движения дислокаций
1.2.4. Взаимодействие дислокаций с дипольными комплексами
1.3. Методы исследования дефектов кристаллической решетки щелочно-галоидных кристаллов
1.3.1. Метод диэлектрических потерь
1.3.2. Методы исследования точечных дефектов
1.3.3. Методы исследования дислокаций
1.4. Постановка задачи и обоснование методики исследования
П. Диэлектрические потери при пластической деформации б ЩГК .««•.
2.1. Диэлектрические потери в процессе активного нагру-жения образца
271.1. Экспериментальная установка
2.1.2. Кинетические кривые tgS при активном нагружении образца
2.2. Диэлектрические потери в процессе релаксации напряжений
2.2.1. Методика выполнения работы
2.2.2. Кинетические и частотные кривые в процессе релаксации напряжений
2.2.3. Безактивационное разрезание «гримеров
2.2.4. Анализ движения дислокаций на фазовой плоскости
2.2.5. Анализ изменения t^S при активном нагружении кристалла
2.3. Диэлектрические потери в ЩГК при учете однородного упругого поля напряжений
2.3.1. Расчет tgS и У^в- в приближении однородного уп< ругого поля напряжений.
2.3.2. Выводы к главе П
Ш. Диэлектрические потери в ЩГК при деформации их сосредоточенной нагрузкой
3.1. Дислокационные розетки в щелочно-галоидных кристаллах
3.2. Экспериментальная часть
3.3. Кинетические кривые цш после локального нагру-жения
3.4. Частотная зависимость изменения диэлектрических потерь при различном числе введенных дислокаций
3.5. Диэлектрические потери при постоянном числе вводимых дислокаций.
IV. Диэлектрические потери в щелочио-галоидных кристаллах с дислокациями
4.1. Постановка задачи
4.2.' Кинетические уравнения и их решение
4.3. Диэлектрические потери в кристалле с винтовой дислокацией . . . . / . . . . ИЗ
4.4. Диэлектрические потери в кристалле с заданной плотностью дислокаций.
4.5. Изменение корреляционного множителя / при пластической деформации кристаллов
V. Агрегация диполей в щелочно-галоидных кристаллах в переменных полях
5.1. Экспериментальная установка и методика приготовления образцов
5.2. Частотная зависимость изменения диэлектрических потерь при предварительной выдержке образцов в пере -менном электрическом поле >
5.3. Кинетические кривые изменения при выдержке в переменном электрическом поле
ВЫВОДЫ