Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов (AgInTe/2)/x (2HgTe)/1-x Сидорчук, Стефания Федоровна

Короткий опис

Сидорчук, Стефания Федоровна.
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов (AgInTe/2)/x (2HgTe)/1-x : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Дрогобыч, 1984. - 153 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Сидорчук, Стефания Федоровна
ВВЕДЕНИЕ
Глава I. СЛОЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ РТУТИ (Литературный обзор)
§ I.I. Общая характеристика халькогенидов ртути
§ 1.2. Сплавы халькогенидов ртути с бинарными соединениями группы А В
§ 1.3. Общие физические свойства тройных алмазоподобных полупроводников системы aV11^
§ Г. 4. Общая характеристика сплавов четверных полупроводниковых соединений
§ 1.5. Сплавы халькогенидов ртути с тройными соединениями AIBIIIC^
§ 1.6. Дефекты решетки в халькогенидах ртути и сложных соединениях на их основе
Выводы.
Глава II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
§ 2.1. Получение сложных полупроводниковых соединений на основе халькогенидов ртути
§ 2.2. Подготовка образцов для измерений
§ 2.3. Методика структурных исследований
§ 2.4. Методика электрических,оптических и фотоэлектрических измерений
§ 2.5. Методика измерений длинновременных релаксаций проводимости
§ 2.6. Погрешности измерений
Глава III. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ
Л111^1 - АПВУ
§ 3.1. Кристаллическая структура.
§ 3.2. Распределение состава по объег^у слитков
§ 3.3. Электрические свойства (AglnTe^^HgTe)
§ 3.4. Спектральные характеристики фотопроводимости в области края собственного поглощения
§ 3.5. Фотопроводимость в (AgInTe2)x(2HgTe)j
Экспериментальные результаты.
§ 3.6. Обсуждение экспериментальных результатов по фотопроводимости
Выводы.
Глава 1У. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ (AgInTe2)x(2HoTe)I^x
§ 4.1. Влияние термической обработки на электрические свойства.
§ 4.2. Остаточная проводимость кристаллов при освещении коротковолновым светом
§ 4.3. Влияние ультрафиолетового и рентгеновского излучения на электрические свойства
§ 4.4. Кинетика остаточной проводимости при ультрафиолетовом и рентгеновском облучении
§ 4.5. Влияние электрического поля на электрические свойства кристаллов.
§ 4.6. Возможные причины особенностей физических свойств (A^InTe2)x(2H<gTe)Ix.
Выводы.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ