Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе Вартанян, Роберт Серобович

Короткий опис

Вартанян, Роберт Серобович.
Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1984. - 183 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Вартанян, Роберт Серобович
ВВЕДЕНИЕ.
Глава I. МЕТАСТАЬЖЬНЫЕ ТВЕРДОЕ РАСТВОШ ge2)x (GaAs)х ; особенности синтеза и исследования (обзор литературы).
§ I.I.Особенности синтеза метащекЗильных твердых растворов в системах Clv.r AWBV
§ 1.2.Получение и исследований метастабильных твердых растворов (Ge2)x (OctAs)^x
1.2.1.Структурный фазовый переход в твердых растворах
Ge2)x (GraAft^-x
I.2.2.Зависимость постоянной решетки твердого раствора (G-e2)x (GraA&)i-.x от состава.
1.2.3.Зонная структура (Gres)x (GraA&b-x
§ 1.3. Особенности исследования метастабильных твердых растворов (Сге^)* (GaA&)i-x
1.3.1. Масштаб искривления зон в легированных полупроводниках
1.3.2. Влияние флуктуации состава на электронные и оптические свойства полупроводниковых твердых растворов
1.3.3. Некоторые особенности люминесценции сильно легированных полупроводников (СЛП).
1.3.4. Эффект Холла в неоднородных полупроводниках
§ 1.4. Постановка задачи.
Глава 2. МЕТ0.ВДКА ЭКСПЕРИМЕНТА.
§ 2.1. Метод получения эпитаксиальных слоев метастабильных твердых растворов (Gc&z)* (СЗ-aAS)^ — х • • • •
§ 2.2. Методики определения составов и толщин эпитаксиальных слоев (G-ei)x
§ 2.3. Методика исследования электрофизических свойств твердых растворов (Gre2)x
§ 2.4. Возбуждение и регистрация спектров фотолюминесценции твердых растворов
2.4.1. Возбуждение фотолюминесценции.
2.4.2. Методика регистрации спектров фотолюминесценции.
2.4.3. Температурные измерения фотолюминесцентных свойств твердых растворов.
2.4.4. Методика градуировки фотоприемников.ТЕ
§ 2.5. Методика измерений пропускания и отражения эпитаксиальных слоев (Gre2)x (Gra A S),jx.
§ 2.6. Методики исследования гетеропереходов на основе твердых растворов (G-e^)^ (GraAs)-tx
2.6.1. Получение омических контактов к твердым растворам (Cte^xCGraAsO^x
2.6.2. Измерение ВАХ р-П -гетеропереходов.
Глава 3. ЭЖКТРОФИЖЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЯ РАСТВОРОВ
Gea)x (GaAsOi-x
§ 3.1. Результаты исследований зависимостей холловской концентрации носителей заряда, их подвижности и проводимости твердых растворов (Cre2)x (GraAs)-)x от состава и условий выращивания.
§ 3.2. Влияние отжига на электрофизические параметры твердых растворов (Сгег)х ( Gra *
§ 3.3. Обсуждение результатов.