Электронно-зондовые исследования слоев GaA3 и структур на их основе Соболев, Михаил Михайлович

Короткий опис

Соболев, Михаил Михайлович.
Электронно-зондовые исследования слоев GaA3 и структур на их основе : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1984. - 196 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Соболев, Михаил Михайлович
ВВЕДЕНИЕ.5*
ГЛАВА I. ЧАСТЬ I. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЭЛЕКТР0НН0-30НД0ВЫМИ МЕТОДАМИ . . , (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР).
§1.1. Генерация, диффузия и дрейф неравновесных носителей в подупроводниковом материале при облучении быстрыми электронами .iB
1.1.1. Взаимодействие первичных электронов с твердым телом. Распределение функции генерации.J
1.1.2. Диффузия и дрейф неравновесных носителей, генерированных быстрыми электронами . №
1.1.3. Распределение неосновных носителей, генерированных электронным зондом.
§ 1.2. Режим тока, индуцированного электронным зондом
ТИЭЗ) .ВЦ
1.2.1. Типы сигналов, регистрируемых в полупроводниковых материалах и структурах при электронно-зондовом возбуждении.
1.2.2. Параметры полупроводниковых структур, определяемые в режиме ТИЭЗ в слое объемного заряда . 2?
1.2.3. Параметры полупроводниковых структур, определяемые в режиме ТИЭЗ в квазинейтральной области
§ 1.3. Катодолкминесцентные (КЛ) исследования полупроводников .Нй
ЧАСТЬ II.
§ 1.4. Электрофизические свойства нелегированных эпитаксиальных слоев и структур на их основе
1.4.1. Особенности получения нелегированных слоев &cif2> и структур на их основе методом жидкофазной эпи-таксии (КФЭ)
1.4.2. Глубокие центры, образующиеся в процессе роста нелегированных слоев Gcifls методом ЖФЭ
ГЛАВА 2. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОННО
30НД0ВЫХ СИГНАЛОВ.SB.
§ 2.1. Введение
§ 2.2. Методика регистрации тока, индуцированного электронным зондом (ТИЭЗ).
§ 2.3. Методика регистрации катодолюминесцентного (КЛ) излучения.
§ 2.4. Модуляционная методика исследования глубоких центров с помощью электронного зонда
§ 2.5. Методика электролюминесцентных (ЭЛ) измерений в растровом электронном микроскопе.
§ 2.6. Экспериментальные образцы
ГЛАВА 3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ Р-П СТРУКТУР НА ОСНОВЕ НЕЛЕГИРОВАННОГО & CL ЙЗ ЭЛЕКТР0НН0-30ЦД0ВЫ
МИ МЕТОДАМИ.
§ 3.1. Введение.
§ 3.2. Особенности поведения ТИЭЗ и КЛ в структурах на основе нелегированного
§ 3.3. Определение электрофизических параметров в области объемного заряда р-п и p-i-n структур.8 к
3.3.1. Теоретические модели расчета кривых индуцированного тока. .SH
3.3.2. Результаты эксперимента при измерении в режиме индуцированного тока.i
§ 3.4. Локальный анализ глубоких центров с помощью электронного зонда в р-л структурах.И
3.4.1. Физические основы метода локального анализа глубоких центров . .US
3.4.2. Результаты исследования параметров глубоких центров в структурах на основе эпитаксиального 6dRs i22 '
§ 3.5. Определение электрофизических параметров в квазинейтральных областях р-п структур.fM
3.5.1. Определение параметров процесса безызлучательной рекомбинации . .т
3.5.2. Определение диффузионных длин в нелегированном
GrciA&c учетом эффекта переизлучения . JW
ГЛАВА 4. ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ НЕЛЕГИРОВАННОГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГО &CilZ С
ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТР0НН0-30НД0ВЫХ МЕТОДОВ.ISS
§ 4.1. Введение.I^
§ 4.2. Механизмы образования р° и п° слоев структуры /5*
§ 4.3. Влияние металлургической границы подложка-эпитаксиальный слой на характер разделения носителей тока
§ 4.4. Влияние толщины р°-слоя на распределение концентрации ГЦ по толщине эпитаксиальных слоев структуры /£
§ 4.5. Влияние толщины р°-слоя на вид вольт-амперной характеристики диодных структур