Каталог / Фізико-математичні науки / Фізика конденсованого стану
скачать файл: 
- Назва:
- Формирование в СВЧ плазме алмазных плёнок и композитов, содержащих оптически активные примеси Si, Ge, Eu Мартьянов Артем Константинович
- Альтернативное название:
- Formation of diamond films and composites containing optically active impurities Si, Ge, Eu in microwave plasma Martyanov Artem Konstantinovich
- ВНЗ:
- Институт общей физики имени А.М. Прохорова
- Короткий опис:
- Мартьянов, Артем Константинович.Формирование в СВЧ плазме алмазных плёнок и композитов, содержащих оптически активные примеси Si, Ge, Eu : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Мартьянов Артем Константинович; [Место защиты: Институт общей физики имени А.М. Прохорова]. - Москва, 2019. - 153 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Мартьянов Артем Константинович
Введение
Глава 1. Обзор литературы
1.1. Строение и свойства алмаза
1.2. Области применения алмаза
1.3. Методы получения алмаза
1.4. Методы активации газа в CVD процессе
1.5. Оптически активные дефекты в алмазе
1.5.1. Центры окраски кремний-вакансия (SiV)
1.5.1. Центры окраски германий-вакансия (GeV)
1.5.2. Редкоземельные элементы в алмазе
1.6. Постановка задачи
Глава 2. Экспериментальное оборудование
2.1. СВЧ-реактор ARDIS
2.2. Интерферометр
2.3. Двухлучевые пирометры Williamson 81-35-C и Micron M770
2.4. Спектрометр Horiba LabRam HR
2.5. Растровый электронный микроскоп Tescan MIRA
2.6. Ультразвуковая ванна PSB-GALS и центрифуга SPIN 150-NPP
2.7. Электропечь Стоматерм С-90
Глава 3. Синтез алмаза, легированного кремнием. Центры окраски кремний-вакансия (SiV)
3.1. Синтез и свойства микрокристаллических алмазных плёнок
3.1.1. Характеристика поверхности
3.1.2. Скорость роста плёнок
3.1.3. Спектроскопия комбинационного рассеяния
3.1.4. Фотолюминесценция
3.1.5. Латеральное распределение SiV-центров
3.1.6. Влияние температуры синтеза
3.1.7. Изучение обнаруженного оптического центра 720 нм
3.1.8. Влияние добавок аргона и азота на фотолюминесценцию
3.2. Синтез и свойства монокристаллических алмазных плёнок
3.2.1. Влияние высокотемпературного отжига
3.2.2. Изотопический сдвиг компонент бесфононной линии SiV
3.2.3. Изотопический сдвиг компонент фононного крыла
3.2.4. Легирование слоёв различной толщины
3.2.5. Параметры однофотонных источников
Выводы к главе
Глава 4. Синтез алмаза, легированного германием. Центры окраски германий-вакансия (СеУ)
4.1. Описание эксперимента
4.2. Морфология поверхности
4.3. Скорость роста
4.4. Спектроскопия комбинационного рассеяния
4.5. Фотолюминесценция
4.6. Со-осаждение кристаллитов германия и алмаза
4.7. Легирование эпитаксиальной алмазной плёнки
Выводы к главе
Глава 5. Синтез композитных материалов алмаз-ЕиРэ, алмаз-NaGdF4:Eu
5.1. Синтез и оптические свойства композита алмаз-ЕиБ3
5.1.1. Синтез и исследование порошков
5.1.2. Синтез композита алмаз-ЕиБ3
5.1.3. Характеристика поверхности
5.1.4. Фотолюминесценция и комбинационное рассеяние
5.1.5. Кинетика фотолюминесценции
5.2. Синтез и оптические свойства композита алмаз--КаОёБ^Еи
5.2.1. Синтез композита алмаз-КаОёБ^Еи
5.2.2. Фотолюминесценция
5.2.3. Рентгенолюминесценция
Выводы к главе
Заключение
Список сокращений и условных обозначений
Список литературы
Приложение А. Программа для расчёта скорости роста плёнок по данным интерферометра
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб