Каталог / Фізико-математичні науки / Фізика напівпровідників
скачать файл: 
- Назва:
- Фотоактивность полупроводниковых контактных структур в инфракрасной области спектра Мармур, Илья Янкелевич
- Альтернативное название:
- Photoactivity of semiconductor contact structures in the infrared region of the spectrum Marmur, Ilya Yankelevich
- Короткий опис:
- Мармур, Илья Янкелевич.
Фотоактивность полупроводниковых контактных структур в инфракрасной области спектра : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1984. - 173 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Мармур, Илья Янкелевич
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I . ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
КОНТАКТНЫХ СТРУКТУРАХ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ). II
1.1. Фотоэффект на р-п переходах при поглощении света свободными носителями заряда. II
1.2. Фотоэмиссия из металла в полупроводник в диодах Шоттки
1.3. Внутреннее усиление фототока в полупроводниковых контактных структурах.
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ ПО ИССЛЕДОВАНИЮ ИК ФОТОАКТИВНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОНТАКТНЫХ СТРУКТУР.
2.1. Экспериментальные установки .••••.
2.2. Изготовление образцов контактных структур.
2.3. Выводы
ГЛАВА 3. ФОТОЭДС НА i-к ПЕРЕХОДАХ, ОБУСЛОВЛЕННАЯ ПОГЛОЩЕНИЕМ ИЗЛУЧЕНИЯ СВОБОДНЫМИ НОСИТЕЛЯМИ ЗАРЯДА.
3.1. Фотоотклик I-к переходов на излучение ^-лазера
3.2. Механизмы релаксации "горячих" фотовозбужденных дырок и температурные зависимости фотоэдс в германиевых р+-р переходах •.•
3.3. Основные результаты
ГЛАВА 4. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА р-п ПЕРЕХОДОВ В ИК
ОБЛАСТИ СПЖТРА
4.1. Надбарьерная шшекция в прямо смещенных германиевых р-п перехода^, обусловленная внутризонным поглощением света свободными носителями заряда
4.2. Влияние лазерного излучения 10,6 мкм на ток прямосмещенных р-п переходов на основе
Gads и GetР.
4.3. Внутреннее усиление сигнала фото стимулированной надбарьерной ишкекции
4.4. Реакция обратно смещенного р-п перехода на импульсы излучения 10,6 мкм
4.5. Электролюминесценция р-п переходов, обусловленная фотостщулированной шшекцией.
4.6. Применение стандартных полупроводниковых диодов в качестве быстродействущих детекторов ИК лазерного излучения
4.7. Основные результаты
ГЛАВА 5. ФОТОАКТИВНОСТЬ СПЛАВНЫХ КОНТАКТОВ ОЛОВО-ГЕРМАНИЙ
В ИК ОБЛАСТИ СПЕКТРА
5.1. Состояние примесных атомов олова в германии. Свойства твердых растворов типа Gex 5п,-х и контактов олово-германий (обзор литературных данных)
5.2. Изготовление, электрические свойства и структура фотоактивных сплавных контактов олово-германий . НО
5.3. Фотоэлектрические свойства сплавных контактов олово-германий
5.4. Анализ возможных механизмов фотоактивности сплавных контактов олово-германий
5.5. Возможности практического использования фотоэлектрических свойств контактов А-^В-^
5.6. Основные результаты
- Стоимость доставки:
- 650.00 руб