Исследование механизмов токопрохождения в многопереходных фотоэлектрических преобразователях Контрош Евгений Владимирович

Короткий опис

Контрош, Евгений Владимирович.
Исследование механизмов токопрохождения в многопереходных фотоэлектрических преобразователях : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 1.3.11. / Контрош Евгений Владимирович; [Место защиты: ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук ; Диссовет ФТИ 34.01.02]. - Санкт-Петербург, 2024. - 117 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Контрош Евгений Владимирович
Введение
Глава 1. Монолитные многопереходные фотопреобразователи
1.1. Концентраторная солнечная энергетика
1.1.1 Перспективы развития солнечной энергетики
1.1.2 Особенности конструкции концентраторных многопереходных фотопреобразователей и фотоэнергоустановок
1.2 Фотоэлектрические характеристики многопереходных фотопреобразователей
1.2.1 Темновая вольт-амперная характеристика многопереходных фотопреобразователей и механизмы транспорта носителей заряда в обеднённой области фотоактивных субэлементов
1.2.2 Нагрузочная вольт-амперная характеристика и зависимость КПД-плотность тока генерации многопереходных фотопреобразователей
1.3 Экспериментальные фотоэлектрические характеристики трёхпереходных 1пОаР/ОаЛв/Ое фотопреобразователей
1.3.1 Анализ литературных данных
1.3.2 Исследование влияния механизмов токопрохождения на фотоэлектрические характеристики трёхпереходных InGaP/GaAs/Ge фотопреобразователей
1.3.2.1 Структурные параметры экспериментальных многопереходных фотопреобразователей
1.3.2.2 Экспериментальные установки измерения прямых темновых и нагрузочных ВАХ монолитных многопереходных фотопреобразователей в температурном диапазоне 100 -300К
1.3.2.3 Исследование прямых темновых вольт-амперных характеристик монолитных InGaP/GaAs/Ge фотопреобразователей в температурном диапазоне 100 - 300К
1.3.2.4 Исследование нагрузочных вольт-амперных характеристик монолитных InGaP/GaAs/Ge фотопреобразователей в температурном диапазоне 100 - 300К
1.3.2.5 Расчётные и экспериментальные зависимости КПД-плотность
тока генерации (л-^) МП ФЭП
Выводы к Главе
Глава 2. Соединительные GaAs/AlGaAs туннельные диоды
2.1 Исследование влияния FSF и BSF барьерных слоёв на характеристики соединительных GaAs/AlGaAs туннельных диодов
2.1.1 Структурные и технологические особенности соединительных туннельных диодов
2.1.2 Соединительные GaAs:Te/GaAs:C и GaAs:Te/AlGaAs:C туннельные диоды с наличием AlGaAs BSF и FSF слоёв
2.1.3 Соединительные GaAs:Se/GaAs:C туннельные диоды с наличием InGaP BSF и FSF слоёв
2.1.4 Соединительные GaAs:Si/GaAs:Be туннельные диоды с наличием AlGaAs BSF и FSF слоёв
2.2 Соединительные p-i-n GaAs:Si/i-(GaAs)/GaAs:Be и p-i-n GaAs:Si/i-(GaAs/AlGaAs)/(Al)GaAs:Be туннельные диоды
2.2.1 Соединительные р-ьп GaAs:Si/i-(GaAs)/GaAs:Be туннельные диоды
2.2.2 Соединительные р-ьп GaAs:Si/i-(GaAs/AlGaAs)/AlGaAs:Be туннельные диоды
2.2.2.1 Моделирование транспорта носителей заряда в структуре соединительных p-i-n GaAs/i-(GaAs)/AlGaAs туннельных диодов и расчёт их характеристик
2.2.2.2 Экспериментальные структуры соединительных р-ьп GaAs:Si/i-(GaAs/AlGaAs)/AlGaAs:Be туннельных диодов, полученные с использованием молекулярно-пучковой эпитаксии
2.2.2.3 Исследование экспериментальных характеристик выращенных и изготовленных р-ьп GaAs:Si/i-(GaAs/AlGaAs)/AlGaAs:Be туннельных диодов в температурном диапазоне 100-400K
2.2.2.4 Вольт-фарадные характеристики исследуемых р-ьп GaAs:Si/i-(GaAs/AlGaAs)/AlGaAs:Be туннельных диодов
2.2.3 Соединительные p-i-n GaAs:Si/i-(GaAs)/AlGaAs:С туннельные диоды c AlGaAs:С FSF и BSF слоями
2.3. Исследование влияния ВАХ соединительных туннельных диодов на фотоэлектрические параметры двухкаскадных лазерных фотопреобразователей... 96 2.3.1. Конструкция двухпереходных AlGaAs/GaAs
фотопреобразователей
2.3.2 Исследование экспериментальных характеристик
двухпереходных ЛlGaЛs/GaЛs фотопреобразователей
Выводы к Главе
Заключение
Условные обозначения и сокращения
Список использованной литературы
Список работ, опубликованных автором по теме исследования