Исследования электронных процессов в полупроводниках с областями пространственногол заряда Овсюк, Виктор Николаевич

Короткий опис

Овсюк, Виктор Николаевич.
Исследования электронных процессов в полупроводниках с областями пространственного заряда : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Новосибирск, 1983. - 438 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Овсюк, Виктор Николаевич
Введение.
ГЛАВА I. ПРИПОВЕРХНОСТНАЯ ОБЛАСТЬ ПРОСТРАНСТВЕННОГО
ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.
§ I, Исходные положения.
§ 2. Дифференциальные емкости приповерхностных ОПЗ
§ 3. Квазиклассические приближения для монополярных полупроводников.
§ 4. Квантование энергетического спектра носителей заряда в приповерхностных слоях полупроводников.
§ 5. Особенности квантования электронного спектра в инверсионных каналах на поверхности германия
§ 6. Холл-фактор и нагнетосопротивление инверсионных п-каналов на германии.
Выводы к 1-й Главе
ГЛАВА 2. ЗАРЯД И ДИФФЕРЕНЩШШШЕ ЕМКОСТИ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ.
§ I. Равновесный заряд в поверхностных состояниях.
§ 2. Равновесные дифференциальные емкости поверхностных состояний
§ 3. Кинетическое уравнение для электронов в поверхностных состояниях.•
§ 4. Стационарные заполнения и квазистационарные емкости поверхностных состояний в неравновесном случае
§ 5. Малые отклонения от квазистационарного или равновесного состояния.
Выводы ко 2-й Главе
ГЛАВА. 3. ИМПЕДАНС ПОЛШЮВОДНИКОВ В СТРУКТУРАХ
С ШШСТНЫМЙ КОНТАКТАШ
§ I. Общие сведения о ВДЩ-структурах.
§ 2, Токи, текущие в полупроводнике.НО
§ 3. Распределение неравновесных носителей заряда в объеме полупроводника при гармонической модуляции поверхностного потенциала
§ 4. Импеданс полупроводника.
§ 5. Импеданс полупроводника для некоторых частных случаев
5.1. Низкие и высокие частоты измерительного сигнала
5.2. Импеданс полупроводника при отсутствии ПС
5.3. Импеданс германия в ЩЩ-структурах
5.4. Определение рекомбинационного сопротивления
§ 6. Импеданс полупроводника при наличии поверхностных состояний
§7. Импеданс полупроводника при больших уровнях возбуждения.
§ 8. Малосигнальный эффект поля в освещенном полупроводнике
Выводы к 3-й Главе.
ГЛАВА. 4. МАЛОСЖНАЛЬНАЯ ФОТОЭДС В ПОЛУПЮВОДЕЖОВЫХ
ОБРАЗЦАХ С ЕМКОСТНЫМИ КОНТАКТАМИ.
§ I. Распределение неравновесных носителей заряда в подупроводнике при гармоническом фото возбуждении.
§ 2. ФотоЭДС в ВДП-структуре
2.1. Инверсионные изгибы зон.
2.2. Мало сигнальная фотоЭДС в освещенном полупроводнике
§ 3. ФотоЭДС в ОДПДМ-структуре
§ 4. Квазистационарная фотоЭДС и фотоемкостной ток
§ 5. Осциллирующая поверхностная фотоЭДС в n-GuAs на горячих фотоэлектронах.
Выводы к 4-й Глазе.
ГЛАВА 5. КИНЕТИКА ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПШ НАЛИЧИИ ЦШПОВЕРХНОСТЙЫХ ОБЛАСТЕЙ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА
§ I. Стационарная поверхностная фотопроводимость
§ 2. Кинетика малосигнальной импульсной фотопроводимости при наличии приповерхностных ОПЗ
§ 3. Кинетика фотопроводимости в тонких образцах при больших уровнях фотовозбуждения
§ 4. Влияние поверхностных состояний на поверхностную фотопроводимость полупроводников.*
§ 5. Фотопроводимость и фотоЭДС, связанные с фотоионизацией поверхностных состояний
5.1. Токи, текущие в поверхностные состояния
5.2. Распределение неравновесных носителей заряда
5.3. ФотоЭДС.
5.4. Фотопроводимость
5.5. Обсуждение результатов
Выводы к 5-й Главе.
ГЛАВА 6. ПРОДОЛЬНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
§ I. Уравнение продольной диффузии в тонких образцах полупроводников
§ 2. Характерные расстояния продольной диффузии . . * неравновесных носителей заряда
§ 3. Зависимость латеральной фотоЭДС от поверхностного изгиба зон и стационарной подсветки
§ 4. Продольный импеданс тонкой пластины полупроводника
§ 5. Влияние заряженной формы адсорбции на проводимость поверхностных каналов в полупроводниках
Выводы к 6-й Главе.
ГЛАВА 7. О НЕКОТОРЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ЯВЛЕНИЯХ В ГЕТЕРОПЕРЕХОДА! И ШлкжТАМйЧЕСШХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
§ I. Импеданс гетероперехода при наличии электронных состояний на его границе раздела
§ 2. Фоточувствительность гетеропереходов при разрывах краев зон на их границах раздела
§ 3. ФотоЭДС в напыленных пленках сернистого свинца . . . 273 Выводы к 7-й Главе.
ГЛАВА. 8. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ЗАХВАТА НА ГЕРМАМИ
И СТАБИЛЬНОСТИ ГЕРМАНИЕВЫХ ЩЩ-СТРУКТУР
§ I. Поверхностный захват и рекомбинация на реальных и окисленных поверхностях германия
§ 2. Исследование ВДДП-структур на основе системы бе - At
§ 3. Поверхностный захват в германиевых ЩШ-структурах с диэлектрическими слоями Si-O^ и Sc
§ 4. Характеристики германиевых полевых транзисторов
§ 5. Стабильность германиевых ВДП-структур с диэлектрическими слоями и Sis^+SiQ £
§ 6. Электрофизические характеристики слоев StjfJ^.
6.1. Токи термостимулированной деполяризации.
6.2. Проводимость слоев
6.3. О механизмах проводимости и релаксации тока
§ 7. Об одной модели квазинепрерывного спектра поверхностных состояний
§ 8. Статистика рекомбинации через квазинепрерывный спектр поверхностных состояний.
§ 9. Влияние дискретности поверхностных зарядов на величину их потенциала
Выводы к 8-й Главе
ГЛАВА. 9. НЕРАВНОВЕСНОЕ ИМПУЛЬСНОЕ ОЕВДЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКА 1 ЩЩЗ-СТРШУРАХ
§ I. Общие представления о термических механизмах генерации поверхностного зарада
§2. Термическая генерация поверхностного зарада в германиевых ВДП-структурах
§ 3. Аномальная генерация в германиевых
ЩШ-структурах.
§ 4. О генерации поверхностного заряда через приповерхностные состояния
§ 5. Германиевая МДП-структура в качестве фотоприемного элемента
§ 6. Спектральная зависимость фотогенерации в : германиевых ЩЩ-структурах
§ 7. Генерационное время жизни носителей заряда в германиевых ВДП-структурах
§ 8. Фотогенерация за краем фундаментального поглощения кремния в приборах с зарядовой связью.
Выводы к 9-й Главе