Каталог / Фізико-математичні науки / Фізика конденсованого стану
скачать файл: 
- Назва:
- Лошкарев, Иван Дмитриевич. Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии
- ВНЗ:
- Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
- Короткий опис:
- Лошкарев, Иван Дмитриевич. Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Лошкарев Иван Дмитриевич; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН].- Новосибирск, 2013.- 135 с.: ил. РГБ ОД, 61 13-1/982
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб