Модификация оптических и резистивных свойств каскадных А3В5 фотоэлектрических преобразователей и AlGaAs/GaAs светоизлучающих диодов Малевская Александра Вячеславовна

Короткий опис

Малевская, Александра Вячеславовна.
Модификация оптических и резистивных свойств каскадных А3В5 фотоэлектрических преобразователей и AlGaAs/GaAs светоизлучающих диодов : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Малевская Александра Вячеславовна; [Место защиты: ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук ; Диссовет ФТИ 34.01.02]. - Санкт-Петербург, 2025. - 171 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Малевская Александра Вячеславовна
Введение
Основные положения, выносимые на защиту
Глава 1. Оптоэлектронные приборы на основе А3В5 структур: принцип действия и формирование
1.1. Фотоэлектрические преобразователи солнечного и лазерного излучения
1.2. Светоизлучающие диоды
1.3. Методы формирования структуры: диффузия из газовой фазы, жидкофазная, молекулярно-пучковая и газофазная эпитаксии
1.4. Основные методы постростовой обработки структур: фотолитография, осаждение металлических и диэлектрических
покрытий, травление
Глава 2. Структуры фотоэлектрических преобразователей и светоизлучающих диодов
2.1. Оа1пР/Оа1пЛв/Ое гетероструктура фотоэлектрического преобразователя солнечного излучения
2.2. Влияние глубины залеганияр-п перехода на характеристики GaSb фотоэлектрических преобразователей
2.3. AlGaAs/GaAs гетероструктуры фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (800-860 нм) и инфракрасных (850-940 нм) светоизлучающих диодов
2.4. Исследование методов переноса тонких слоев гетероструктуры на подложку-носитель
2.5. Методы исследования гетероструктур
Глава 3. Каскадный фотоэлектрический преобразователь солнечного
излучения на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge
3.1. Расчет конфигурации контактных шин для оптимального введения оптической мощности в фотоэлектрический преобразователь
3.2. Омические контакты
3.2.1. Удельное контактное сопротивление
3.2.2. Последовательное сопротивление прибора
3.2.3. Исследование различных типов омических контактов
3.2.4. Увеличение электрической проводимости контактных систем
3.2.5. Влияние омических контактов на параметры каскадных фотоэлектрических преобразователей
3.3. Антиотражающие покрытия
3.3.1. Исследование методов травления контактного слоя GaInP/GaInAs/Ge гетероструктуры
3.3.2. Влияние обработки поверхности и состава антиотражающего покрытия на характеристики фотоэлектрических преобразователей
3.4. Меза-структура каскадных фотоэлектрических преобразователей
3.4.1. Исследование методов формирования мезы GaInP/GaInAs/Ge структуры
3.4.2. Влияние методов формирования мезы на скорость поверхностной рекомбинации фотоэлектрических преобразователей
3.4.3. Снижение деградации характеристик фотоэлектрических преобразователей при воздействии факторов окружающей среды
3.5. Характеристики концентраторных каскадных фотоэлектрических
преобразователей
Глава 4. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (А=1300-1700 нм) на основе GaSb структуры
4.1. Омические контакты к GaSb п- и^-типа проводимости
4.2. Исследование характеристик GaSb фотоэлектрических
преобразователей
Глава 5. Оптические свойства многослойного комбинированного
отражателя
5.1. Конструкция комбинированного отражателя
5.2. Расчет оптических параметров отражателей
5.3. Влияние диффузии индия на характеристики комбинированного
отражателя
Глава 6. Фотоэлектрические преобразователи и светоизлучающие диоды на основе AlGaAs/GaAs гетероструктур с комбинированным отражателем
6.1. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (800-860 нм) прямого и инвертированного роста
6.1.1. Снижение омических и оптических потерь фотоэлектрических преобразователей
6.1.2. Влияние комбинированного отражателя на характеристики фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения
6.1.3. Анализ соотношения оптических и омических потерь для преобразования лазерного излучения различной плотности
6.2. Увеличение эффективности вывода излучения из кристаллов инфракрасных (850 нм и 930 нм) светоизлучающих диодов
6.2.3. Влияние методов текстурирования световыводящей поверхности на интенсивность электролюминесценции инфракрасных светоизлучающих диодов
6.2.4. Влияние состава комбинированных отражателей на параметры инфракрасных (850 нм) светоизлучающих диодов
6.2.5. Конструкции инфракрасных (930 нм) светоизлучающих диодов
Заключение