Модификация свойств поверхности эпитаксиальных слоев GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа Прасолов Никита Дмитриевич

Короткий опис

Прасолов, Никита Дмитриевич.
Модификация свойств поверхности эпитаксиальных слоев GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Прасолов Никита Дмитриевич; [Место защиты: Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена]. - Санкт-Петербург, 2019. - 158 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Прасолов Никита Дмитриевич
Введение
1 Литературный обзор
1.1 Сканирующая зондовая микроскопия
1.2 Сканирующая зондовая литография
1.3 Нанотрибология
1.4 Наноиндентирование
1.5 Моделирование процесса наноиндентирования методом молекулярной динамики
1.6 Выводы к первой главе и постановка задачи
2 Моделирование методами молекулярной динамики процесса наноиндентирования эпитаксиальных слоев GaAs
2.1 Межатомные потенциалы и параметры моделирования
2.2 Методы молекулярной динамики
2.3 Моделирования кристалла GaAs методами молекулярной динамики
2.4 Моделирование наноиндентирования поверхности кристалла GaAs
2.4.1 Определение площади контакта и силы взаимодействия индентора с поверхностью GaAs
2.4.2 Моделирование пластической деформации кристалла GaAs при наноиндентировании
2.4.3 Реконструкция поверхности GaAs под воздействием индентора и при разных температурах
2.5 Выводы ко второй главе
3 Наноиндентирование с помощью зонда атомно-силового микроскопа
3.1 Взаимодействие зонда-индентора с поверхностью
3.2 Описание экспериментальной установки для модификации поверхности методом наноиндентирования
3.3 Эксперименты по наноиндентированию эпитаксиальных слоев GaAs зондом атомно-силового микроскопа
3.4 Выводы к третьей главе
Заключение
Список сокращений и условных обозначений
Список литературы