Каталог / Фізико-математичні науки / Фізика напівпровідників
скачать файл: 
- Назва:
- Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона Бритов, Александр Дмитриевич
- Альтернативное название:
- Semiconductor tunable lasers of the middle and far IR range Britov, Alexander Dmitrievich
- Короткий опис:
- Бритов, Александр Дмитриевич.
Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 1983. - 300 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Бритов, Александр Дмитриевич
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА. I. Катодолюминесценция узкозонных полупроводил ков.
1.1. Некоторые физические свойства твердых растворов халькогенидов свинца-олова.
1.2. Электроннолучевая установка и методика исследования.
1.3. Излучательная рекомбинация в халькогенидах свинца-олова.
1.3.1. Элементы теории спонтанного и вынужденного излучения при рекомбинации свободных электронов и дырок.
1.3.2. Влияние исходной концентрации носителей и уровня возбуждения на спектр рекомбинационного излучения.
1.3.3. Температурная зависимость спектра излучения.
1.3.4. Квантовая эффективность узкозонных твердых растворов.
1.4# Лазерное излучение халькогенидов свинца-олова при электронной накачке.
1.4.1. Потери при преобразовании энергии накачки в узкозонных полупроводниках.
1.4.2. Генерация излучения сульфида-селенида свинца теллурида и селенида свинца-олова (4-28 мкм).
1.4.3# Излучение изопериодического ряда твердых растворов теллурида-селенида свинца-олова.
1,5. Катодолюминесценция теллурида кадмия-ртути.
Выводы к главе I.,.
ГЛАВА. П. Лазерное излучение гетероструктур из халькогенидов свинца-олова.
2.1. Инжекционные лазеры на узкозонных полупроводниках. .•••••••.•.••••••••.
2.2. Методика отбора кристаллов и пленок для активной среды.••••••••••
2.3. Фотостимулированный метод эпитаксиального выращивания гетероструктур.•••••••••••••••.•••••••.
2.4. Технология изготовления инжекционных лазеров.
2.5. Свойства вынужденного излучения (спектр,поляризация, направленность).,.,.,.,.
2.6. Порог и мощность лазерного излучения.
2.7. Влияние поглощения свободными носителями на генерацию в узкозонных полупроводниках.
Выводы к главе П.••••.•••••••.•••••»•••.•••••«••.
ГЛАВА Ш. Перестройка частоты излучения длинноволновых инжекционных лазеров и спектрометр на их основе.
3.1. Классические и линейные лазерные методы ИК спектроскопии.
3.2. Методы перестройки частоты полупроводниковых лазеров •••••••.
3.3. Исследование перестроечной характеристики.
3.3.1 „Температурный сдвиг излучения лазерных диодов с разным составом активной области.
3.3.2„Расширение областей плавной перестройки при комбинированном воздействии температуры и магнитного поля.
3.4. Быстродействующий спектрометр высокого разрешения на инжекционных лазерах.
3*4.1. Оптическая схема.
3.4.2. Разрешающая способность лазерного спектрометра при быстрой перестройке частоты.
3.4.3. О градуировке лазерного спектрометра.
Выводы к главе Ш.
ГЛАВА 1У. Диодная лазерная спектроскопия некоторых высокосимметричных молекул.
4.1. О задачах лазерной ИК спектроскопии.
4.2. Спектры эталонных газов по сверхвысоким разрешением.
4.2*1. Ширина и форма спектральных линий паров воды и аммиака при разных давлениях.
4.2.2. Тонкая структура спектра полос поглощения аммиака и бензола. •••••••••••••»••••••.••
4.3. Спектроскопия переохлаяоденных газов.
4.3.1. Особенности спектров молекул с симметрией сферического волчка.
4.3.2. Лазерный спектрометр для исследования переохлажденных газов. Методика исследования.
4.3.3. Изотопическая структура спектра полосы гексафто-рида вольфрама.
Выводы к главе 1У.
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб