Рентгенотопографический анализ дефектов структуры монокристаллического карбида кремния Окунев, Алексей Олегович

Короткий опис

Окунев, Алексей Олегович.
Рентгенотопографический анализ дефектов структуры монокристаллического карбида кремния : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Новгород, 1999. - 263 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Окунев, Алексей Олегович
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. Современное состояние исследований дефектов кристаллической решетки карбида кремния (обзор литературы).
1.1. Карбид кремния: основные параметры и характеристики, методы выращивания, области применения.
1.2. Прямые разрушающие методы исследования дефектов структуры монокристаллических полупроводников.
1.3. Рентгенотопографические методы исследования дефектов структуры монокристаллических полупроводников.
1.4. Применение рентгеновских методов для определения политипного состава карбида кремния.
1.5. Исследование дислокаций в кристаллах поляризаци-онно-оптическим методом (метод фотоупругости).
1.6. Дефекты структуры монокристаллического карбида кремния.
1.7. Выводы и постановка задач диссертационного исследования.:.
ГЛАВА Н. Усовершенствование аппаратуры и рентгеновских методик исследования монокристаллического карбида кремния.
2.1. Аппаратура для рентгенотопографических исследований карбида кремния.
2.2. Определение политипной принадлежности кристаллов карбида кремния.
2.3. Выводы.
ГЛАВА III. Моделирование бормановского контраста интенсивности от дефектов структуры монокристаллического карбида кремния.
3.1. Метод расчета бормановского контраста интенсивности от дефектов с медленно изменяющимися полями деформаций.
3.2. Расчет бормановского контраста интенсивности от винтовых дислокаций.
3.3. Расчет бормановского контраста интенсивности от краевых дислокаций.
3.4. Расчет бормановского контраста интенсивности от квазиточечных дефектов.
3.5. Выводы.
ГЛАВА IV. Исследование дефектов структуры монокристаллов и эпитаксиальных слоев карбида кремния.
4.1. Дислокационная структура монокристаллического карбида кремния, выращенного по методу Лели.
4.2. Дефекты структуры монокристаллического карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ.
4.3. Исследование дефектов структуры эпитаксиальных слоев карбида кремния.
4.4 Применение метода фотоупругости для исследования дислокационной структуры карбида кремния.
4.5. Исследование квазиточечных дефектов в монокристаллах карбида кремния.
4.6. Выводы.