РОЗРОБКА ПЛІВКОВИХ СТРУКТУР ОРГАНІЧНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ НА ОСНОВІ НАНОРОЗМІРНИХ ПЛІВОК ФТАЛОЦІАНІНІВ НІКЕЛЮ ТА ВАНАДІЛУ

Короткий опис

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ, МОЛОДІ ТА СПОРТУ УКРАЇНИ 

НАЦІОНАЛЬНИЙ  УНІВЕРСИТЕТ  “ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА” 

На правах рукопису 

КОСТІВ НАТАЛІЯ ВОЛОДИМИРІВНА 

УДК 539.234 

РОЗРОБКА ПЛІВКОВИХ СТРУКТУР ОРГАНІЧНОЇ 

ЕЛЕКТРОНІКИ НА ОСНОВІ НАНОРОЗМІРНИХ ПЛІВОК 

ФТАЛОЦІАНІНІВ НІКЕЛЮ ТА ВАНАДІЛУ (NiPc та VOPc ) 

05.27.01  – твердотільна  електроніка 

ДИСЕРТАЦІЯ 

на здобуття наукового ступеня 

кандидата  технічних  наук 

Науковий керівник: 

д.т.н., проф. Готра З.Ю. 

Ідентичність всіх примірників дисертації  

поданих до ради 

ЗАСВІДЧУЮ: 

Вчений секретар спеціалізованої 

 вченої ради Д 35.052.13 

/Заячук Д.М./ 

ЛЬВІВ -  2012 

РОЗРОБКА ПЛІВКОВИХ СТРУКТУР ОРГАНІЧНОЇ 

ЕЛЕКТРОНІКИ НА ОСНОВІ НАНОРОЗМІРНИХ ПЛІВОК 

ФТАЛОЦІАНІНІВ  НІКЕЛЮ ТА ВАНАДІЛУ (Ni Pc  та VOPc)  

ВСТУП  5 

РОЗДІЛ  1.  АНАЛІЗ  СУЧАСНОГО  СТАНУ  РОЗВИТКУ 

НАНОРОЗМІРНИХ  ПЛІВКОВИХ  СТРУКТУР 

ОРГАНІЧНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ  

15 

1.1.   Сучасний  стан  розвитку  плівкових  органічних 

фотовольтаїчних структур. 

16 

1.2.   Аналіз  сучасного  стану  розвитку  органічних 

бістабільних  структур (елементів  пам’яті).   

22 

1.3.   Газочутливі сенсорні структури на основі нанорозмірних 

органічних  плівок. 

24 

1.4.   Використання  органічних  напівпровідників  в 

світловипромінювальних  структурах. 

27 

1.5.   Аналіз технологічних методів формування тонких плівок 

органічних  напівпровідників  та структур на їх основі. 

30 

1.6.   Висновки  до  першого  розділу  та  постановка  задач 

досліджень. 

35 

РОЗДІЛ  2.  ФОРМУВАННЯ  ТОНКИХ  НАНОРОЗМІРНИХ 

ПЛІВОК ФТАЛОЦІАНІНІВ НІКЕЛЮ ТА ВАНАДІЛУ 

37 

2.1. Обґрунтування  вибору об’єктів досліджень.  37 

2.2.   Технологія  формування  нанорозмірних  плівок 

фталоціанінів  нікелю  та ванаділу. 

40 

2.3.   Контроль  температурних  режимів  термовакуумного 

осадження плівок  NiPc та VOPc. 

44 

2.4.    Дослідження молекулярного складу тонких плівок  VOPc 

методом інфрачервоної мікроскопії. 

52 

2.5.   Висновки до другого розділу.  56 

РОЗДІЛ  3.  ДОСЛІДЖЕННЯ  ЕЛЕКТРОФІЗИЧНИХ 

ПАРАМЕТРІВ  ТОНКИХ  ПЛІВОК  ФТАЛОЦІАНІНІВ 

НІКЕЛЮ ТА  ВАНАДІЛУ 

57 

3.1. Дослідження структурних параметрів тонких плівок VOPc 

методом рентгеноструктурного  аналізу. 

57 

3.2.  Аналіз  електронних  спектрів  поглинання  тонких  плівок  

VOPc . 

60 

3.3.  Морфологічні  особливості  термовакуумно  напилених 

нанорозмірних  плівок  VOPc . 

65 

3.4.  Дослідження  структурних  та  морфологічних  параметрів 

тонких  плівок  NiPc. 

67 

3.5. Висновки до третього розділу.  70 

РОЗДІЛ  4.  РОЗРОБКА  ПЛІВКОВИХ  ОРГАНІЧНИХ 

СТРУКТУР  НА  ОСНОВІ  НАНОРОЗМІРНИХ  ПЛІВОК 

ФТАЛОЦІАНІНІВ НІКЕЛЮ ТА ВАНАДІЛУ 

72 

4.1.   Розробка  органічних  бістабільних  структур  на  основі 

системи  ITO/NiPc / Al  та  світловипромінювальних  структур  із 

використанням  NiPc   як дірково-транспортного шару. 

72 

4.2.   Розробка  нанорозмірних  плівкових  органічних 

фотовольтаїчних  структур  систем  ITO/ VOPc /C60 / Alq3 / Al  та 

ITO/VOPc /C60/PyG/Al. 

79 

4.3.   Органічна  фотовольтаїчна  структура  на  основі 

фталоціаніну  металу  та  дірково-транспортного  шару  йодиду 

міді  (CuI). 

89 

4.4.   Дослідження  наноструктурованих  шарів  паладію  (Pd) 

для  органічних  фотовольтаїчних  структур  системи 

ITO/Pd/VOPc/DiMePTCDI/ Al. 

94 

4.5.   Висновки до четвертого розділу.  103 

РОЗДІЛ  5.  ДОСЛІДЖЕННЯ  ТОНКОПЛІВКОВИХ 

СЕНСОРІВ  ГАЗОВОГО  СЕРЕДОВИЩА  АМІАКУ  НА 

ОСНОВІ NiPc 

106 

5.1.   Дослідження впливу матеріалу  електроду  на властивості 

органічного сенсора газового середовища аміаку  у структурі 

ITO/NiPc/Al. 

108 

5.2.  Дослідження  вольт-амперних  характеристик  сенсорної 

структури ITO/NiPc/In. 

112 

5.3.   Дослідження  струмопроходження  в  системах 

ITO/NiPc / Al  та ITO/ NiPc / In  під впливом газового середовища 

аміаку  методом імпедансної спектроскопії. 

113 

5.4.   Висновки до п’ятого розділу.  123 

Загальні  висновки  125 

Список використаної літератури  128 

Додаток А  154 

Додаток Б  155 

5 

ВСТУП 

Актуальність  теми.  Одним  з  напрямків  сучасної 

твердотільної  електроніки  є  органічна  електроніка,  яка  базується 

на  використанні  органічних  матеріалів  як  функціональних  шарів 

елементів,  пристроїв  електронної  техніки,  зокрема 

фотовольтаїчних,  світловипромінювальних,  сенсорних,  елементів 

пам’яті,  тощо.  Результати  досліджень  органічних  матеріалів 

показують  їх  унікальні  провідникові,  напівпровідникові, 

діелектричні  властивості,  на  основі  яких  можливе  створення 

високоефективних,  технологічних,  екологічно  безпечних 

електронних  структур,  конкурентоспроможних  з  неорганічними 

електронними  структурами.  Використання  органічних  матеріалів 

також  дає  змогу  створювати  плівкові  структури  великої  площі  та 

на  гнучких  підкладках.  Опубліковані  результати  досліджень 

органічних  плівкових структур показують їх потенційно можливу 

високу  ефективність  фотовольтаїчних  структур,  яскравість 

органічних  світловипромінювальних  структур  у  межах  тисяч 

кд/м

2

,  високу  селективність  та  відновлюваність  сенсорів,  час 

перемикання  для  елементів  пам’яті  порядку  сотень  мс  при 

багаторазовому  перезаписі  даних,  тощо.  Сучасні  органічні 

напівпровідникові  структури  формують  на  основі  полімерних  та 

низькомолекулярних  матеріалах  в  основному  методами 

центрифугування  та  термовакуумного  напилення.  Необхідною 

умовою  при  формуванні  тонких  плівок  методом  центрифугування 

є  розчинність  матеріалів,  що  потребує  їх  хімічної  сумісності.  В 

основному  розчинними  матеріалами  є  полімери,  але  розчинники, 

що  при  цьому  використовуються  можуть  негативно  впливати  на 

параметри  інших  плівок  багатошарових  структурах.  При  цьому 

існує  складність  контролю  товщин  функціональних  плівок.  Для 

6 

формування  плівок  нерозчинних  низькомолекулярних  матеріалів 

використовують  метод  термовакуумного  напилення,  який  при 

формуванні  тонких  плівок  забезпечує  збереження  молекулярного 

складу матеріалу та рівномірність і впорядкованість тонких плівок 

з заданими параметрами, дає можливість  формувати багатошарові 

структури.  В  основному  методом  термовакуумного  напилення 

формують  тонкі  плівки  низькомолекулярних  органічних 

напівпровідників  таких  як  порфірину,  перилену,  віолантрену, 

фталоціанінів  металів  (MePc ),  тощо  на  основі  яких  вже  були 

розроблені  нові плівкові структури органічної електроніки. Серед 

цих  матеріалів  широко  досліджені  MePc ,  які  в  порівнянні  із 

іншими  низькомолекулярними  напівпровідниками 

характеризується  високою  термічною  та  хімічною  стабільністю, 

що  робить  їх  перспективними  з  точки  зору  використання  в 

структурах органічної електроніки. Також  MePc   характеризуються 

високою  рухливістю  носіїв  заряду,  що  забезпечує  ефективний 

перерозподіл струму в структурах на їх основі, значним оптичним 

поглинанням,  чутливістю  до  різних  газів,  що  дозволяє 

використовувати  їх  для  створення  нових  плівкових  структур 

органічної  електроніки,  а  саме  фотовольтаїчних,  елементів 

пам’яті,  сенсорів  моніторингу  навколишнього  середовища  тощо. 

Серед  MePc   можна  виділити  фталоціаніни  нікелю  (NiPc)  та 

ванаділу  (VOPc),  які  мають  найбільшу  рухливість  носіїв  заряду 

порівняно  з  іншими  MePc.  Також  перевагою  NiPc  та  VOPc   є  їх 

універсальність, яка  полягає в тому,  що один тип матеріалу може 

бути використаний як активний шар для різного роду електронних 

структур за рахунок поєднання широкого спектру властивостей. Ці 

матеріали  вже  досліджуються  в  структурах  органічної 

електроніки,  а  саме  у  фотовольтаїчних  та  газових  сенсорах. 

Водночас  недостатньо  дослідженими  залишаються  деякі 

7 

характеристики  нанорозмірних  плівок  NiPc  та  VOPc   -  

морфологічні,  структурні,  електрофізичні  та  їхній  вплив  на 

параметри  структур  де  вони  використовуються.  В  тонких  плівках 

NiPc   та  VOPc  існує  кілька  поліморфних  модифікацій,  які 

визначають  структурні,  морфологічні,  оптичні  властивості  цих 

плівок і залежить головним чином від умов їх формування. Проте, 

в науково-технічній літературі недостатньо відомостей  по впливу 

технологічних режимів осадження плівок VOPc на  фотовольтаїчні 

властивості гетероструктур на їх основі. Відомо також, що плівки 

деяких  MePc   під  впливом  електричного  поля  набувають 

бістабільної провідності, що створює передумови для створення на 

їх основі  елементів пам’яті, однак  немає даних по дослідженню в 

цьому  контексті  NiPc.  Аналіз  опублікованих  результатів 

досліджень  щодо  NiPc  показує  його  ефективне  використання 

також  в  газових  сенсорах  на  основі  діодів  Шотткі,  проте  мало 

уваги  приділяється  врахуванню  впливу  корозійних  процесів 

внаслідок  взаємодії  газового  середовища  та  металевого  контакту 

на сенсорні властивості структур на основі NiPc, тому це питання 

потребує  детальнішого  вивчення.  Крім  цього  відомо,  що  плівки 

MePc  можуть використовуватись як дірково- інжекційні та дірково-транспортні  шари  у  світловипромінювальних  структурах.  Тому 

комплексні  дослідження  електрофізичних  параметрів  NiPc   та 

VOPc   для  плівкових  структур  органічної  електроніки  -  

фотовольтаїчних,  сенсорів  газу,  бістабільних, 

світловипромінювальних  та  їх  модифікація  додатковими 

напівпровідниковими  шарами є актуальною  задачею. 

Зв’язок  роботи  з  науковими  програмами,  планами, 

темами.  

Дисертаційна  робота  виконана  на  кафедрі  електронних 

приладів  Національного  університету  «Львівська  політехніка»  в 

8 

рамках  держбюджетних  науково-дослідних  робіт:  «Розробка 

органічних  структур  для  альтернативних  джерел  живлення  та 

оптоелектронних пристроїв» (номер держреєстрації 0111U001211), 

«Розробка технології оптично  активних структур оптоелектроніки 

на  основі  неорганічних,  органічних  напівпровідників  та 

рідкокристалічних  матеріалів  з  нанорозмірними  домішками» 

(номер  держреєстрації  0109U001143),  а  також  у  рамках 

Міжнародного  українсько-литовського  проекту  М357- 2012 

«Розробка  органічних  електролюмінісцентних  структур  синьої  та 

ближньої  ультрафіолетової  області  спектра»  (номер 

держреєстрації  0112U005554).  Наукові  положення  та  висновки 

використовуються  в  науково-дослідних  роботах  науково-виробничого  підприємства  «Карат»  м.Львів,  ОКБ  «Рута» 

м.Чернівці, а  також впроваджені в  учбовий процес  Національного 

університету  «Львівська політехніка». 

Мета і задачі дослідження.  Метою роботи є розробка нових 

плівкових  структур  органічної  електроніки  на  основі 

нанорозмірних  плівок  NiPc  та  VOPc ,  а  саме  фотовольтаїчних, 

світловипромінювальних,  бістабільних  та сенсорних структур. 

Для  досягнення  поставленої  мети  визначено  основні 

напрямки досліджень: 

  провести  дослідження  морфологічних,  структурних  та 

електрофізичних  властивостей  тонких  плівок  NiPc ,  VOPc   та  їх 

вплив  як  функціональних  та  допоміжних  шарів  в  органічних 

плівкових  структурах,  а  саме  фотовольтаїчних,  газосенсорних, 

світловипромінювальних та структурах із бістабільним характером 

поведінки  провідності; 

  розробити  нові  структури  органічної  електроніки  на 

основі  NiPc   та  VOPc ,  а  саме  фотовольтаїчні  (на  основі 

гетеропереходів  VOPс/C60 ),  газочутливі  та  чутливі  до  дії 

9 

електричного  поля  та  провести  дослідження  їхніх  параметрів  та 

характеристик; 

  провести  модифікування  розроблених  органічних 

фотовольтаїчних  гетероструктур  нанорозмірними  плівками 

органічних  та  неорганічних  напівпровідників  (піроніну  Ж  (P yG),  

йодиду  міді  (CuI)),  що  виконуватимуть  функції  буферних  і 

транспортних шарів; 

  розробити  газосенсорну  структуру  на  основі  NiPc  для 

дослідження  впливу  природи  металевого  контакту  на  її  сенсорні 

властивості.   

Об’єктом дослідження  є нанорозмірні плівки  NiPc  та  VOPc , 

а  також  органічні  плівкові  структури  на  їх  основі  модифіковані 

додатковими  нанорозмірними  органічними  та  неорганічними 

шарами  P yG,  CuI  та  формування  нових  плівкових  елементів 

твердотільної електроніки. 

Предметом  дослідження  є  характеристики  та  параметри 

тонких  плівок  NiPc   та  VOPc   та  нанорозмірних  органічних 

плівкових  гетероструктур  та діодів Шотткі  на їх основі. 

Методи  досліджень:  комплекс  вимірювального  та 

вакуумного  технологічного  обладнання,  інфрачервона 

спектроскопія,  рентгеноструктурний  аналіз,  атомно-силова 

мікроскопія,  скануюча  електронна  мікроскопія, 

вольтамперометрія,  імпедансна  спектроскопія,  комп’ютерне 

моделювання. 

Наукова  новизна  одержаних  результатів  полягає  в  тому, 

що: 

  Показано,  що  нанорозмірний  шар  PyG  завтовшки  8- 10 

нм,  у  фотовольтаїчній  структурі  на  основі  гетеропереходу 

VOPc /С60,  виконує  функції  захисного  підкатодного  шару  та 

приводить  до  збільшення  струму  короткого  замикання  Jкз  у 

10 

фоточутливому  гетеропереході  на  0,13  мА/см

2 

за  рахунок 

проникнення молекул  PyG в шар фулерену.   

  Виявлено,  що  неорганічна  нанорозмірна  плівка  CuI  у 

фотовольтаїчній  гетероструктурі  ІТО/C uI /SubPc/C60 /Al  виконує 

функцію  дірково-транспортного  шару,  що  приводить  до 

пониження потенціального бар’єра для генерованих дірок між ІТО 

та SubPc на 0,4 еВ та підвищення  Jкз. до 4 мА/см

2

. 

  Вперше  виявлено  ефект  струмової  бістабільності  в 

структурі  ITO/NiPc/Al,  який  характеризується  перемиканням 

сформованої структури з стану низької провідності у стан високої 

провідності,  що  зумовлено  наявністю  домішкових  пасткових 

станів  високої  густини  в  плівці  NiPc  ,  що  беруть  участь  у 

струмопроходженні  та  генеруються  на  швидкостях  осадження 

≥1нм/с. 

  В  органічній  світловипромінювальній  структурі  на 

основі  трихінолінату  алюмінію  Alq3   з  довжиною  хвилі  530  нм 

транспортний шар NiPc понижує потенціальний бар’єр між Alq3  та 

ІТО  та  приводить  до  підвищення  яскравості  до  2600  кд/м

2

  при 

зменшенні  порогової напруги до 7,5 В.  

  Виявлено  домінуючий  вклад  іонної  складової  струму  в 

загальний  струмовий  відгук  сенсорної  структури  ІТО/NiPc/Al  під 

дією  тиску  насиченої  пари  водного  розчину  аміаку.  Природа 

іонної  складової  струму  зумовлена  електро-корозійними 

процесами  алюмінієвого  електрода.  В  аналогічній  структурі  з 

індієвим  контактом вклад іонного струму відсутній.   

  Розроблено плівкові фотовольтаїчні структури на основі 

нанорозмірних  плівок  фталоціанінів  металів  ITO/VOPc-s/C60 / Alq3 /Al  та  ITO/VOPc-s/C60 /P yG/ Al  ( VOPc -s   плівки  отримані 

при  швидкості  термовакуумного  осадження  0,02  нм/с).  Для 

структури  ITO/VOPc -s/C60 / Alq 3/ Al  Jкз=0,09  мА/см

2

,  Uхх=350  мВ, 

11 

фактор заповнення FF=0,18, для структури ITO/VOPc-s/C60 /PyG /Al  

Jкз=0,22  мА/см

2

,  Uхх=370  мВ,  FF=0,20.  Фотовольтаїчна  структура 

модифікована  шаром  СuI  ІТО/СuI/SubPc/C60 /Al,  характеризується 

Jкз=4 мА/см

2

,  Uхх=0,75  В.  

Достовірність  наукових  результатів  та  запропонованих 

автором  рішень,  висновків,  рекомендацій  підтверджується 

обґрунтуванням  базових  положень,  результатами  апробації, 

отриманими  експериментальними  результатами  на  сучасному 

технологічному  та  вимірювальному  обладнанні,  доброю 

відтворюваністю  параметрів  органічних  плівкових  нанорозмірних 

структур  на  основі  відпрацьованих  технологічних  режимів  їх 

формування, а також результатами  в цій галузі  інших  авторів. 

Практичне значення одержаних результатів:   

На  основі  виявлених  закономірностей  органічних 

напівпровідників  NiPc   та  VOPc ,  залежно  від  умов  осадження, 

розроблено  фотовольтаїчні  структури  на  основі  гетеропереходу 

MePc /C60,  які  крім  того  модифіковані  нанорозмірними  плівками 

органічних (Alq3, PyG) та неорганічних (CuI) напівпровідників, що 

зумовило підвищення ефективності  перетворення ними світлового 

потоку.  Практично  реалізовано  фотовольтаїчні  гетероструктур 

ITO/VOPc -s /C60 / Alq 3/ Al,  ITO/ VOPc -s /C60 /PyG /Al  та 

ITO/CuI/SubPc /C60 /Al. 

Виявлений  ефект  бістабільної  поведінки  провідності  в 

структурах  на  основі  фталоціаніну  нікелю  ITO /NiPc / Al  створює 

передумови використання цього матеріалу як базового в елементах 

пам’яті. 

Особистий  внесок  здобувача.  У  роботі  наведено  аналіз 

науково- технічної  літератури,  представлено  основні  результати 

експериментальних досліджень, проведених дисертантом особисто 

та  у  співпраці  з  науковцями  кафедри  електронних  приладів  НУ 

12 

«Львівська політехніка». Автор разом із науковим керівником брав 

участь  у  постановці  задач,  проведенні  експериментальних 

досліджень,  їх  аналізі,  що  представлено  в  дисертаційній  роботі. 

Автором  сформовано  нанорозмірні  тонкі  плівки  MePc   методом 

термовакуумного осадження [111- 115,   117- 119,   152,  159,   160,  166,  

172-175,  178,  202,  215,  218]  та  досліджено  їх  у  плівкових 

структурах  органічної  електроніки,  зокрема  у  фотовольтаїчних 

[117,  166,  172 - 175,  178,   201,  202 ],  бістабільних  [113,  118,  11 9,  

152],  світловипромінювальних  [159,  160]  та  сенсорах  газового 

середовища  [111,   114,  115,  215,  218].  Отримано  спектри 

поглинання,  ІЧ-спектри,  проведено  аналіз  морфологічних  та 

електрофізичних  властивостей  тонких  плівок  NiPc   та  VOPc   та 

реалізовано  гетероструктури  ITO/VOPc-s /C60 / Alq 3/ Al,   ITO/ VOPc -s /C60 /P yG/ Al  [117,  172],  ІТО/CuI/SubPc/C60 / Al  [ 178],  

світловипромінювальні  структури  ITO/NiPc/ Alq3 /PEG DE/ Al  [ 159,  

160],  бістабільні  ITO/ NiPc / Al  [118,  119]  та  сенсорні  структури 

ITO/NiPc /In  [ 111,  215 ].  Реалізовано  ефективні  сигнальні 

перетворювачі  для  термопарних  сенсорів  температури,  зокрема 

типу хромель- алюмель, для прецизійного контролю температурних 

режимів  термовакуумного  осадження  тонких  органічних  плівок 

[127,  129]. 

Апробація роботи: Основні результати роботи доповідались 

і обговорювались на таких конференціях: 

8- th  Int er nat io nal  Conf erence  on  Electro nic  Processes  in 

Organic   and  I nor ganic  Mat er r ials.  -  Івано- Франківська 

область(Україна).  - 2010. 

13-та  відкрита  науково-технічна  конференція  Інституту 

телекомунікацій,  радіоелектроніки  та  електронної  техніки  НУ 

«Львівська  політехніка» з проблем електроніки.  -  Львів (Україна). 

– 2010. 

13 

IV  Міжнародна  наукова  конференція  молодих  вчених 

"Комп'ютерні  науки  та  інженерія  2010"CSE- 2010.  –  Львів 

(Україна).  – 2010. 

Warsztaty  Doktoranckie  WD2010.  - Lublin  (Poland).  -  2010. 

V  Міжнародна  конференція  з  оптико- електронних 

інформаційних  технологій,  Фотоніка ODS.  –  Вінниця  (Україна).  – 

2010. 

Mult ifunct io nal  Nano mater ials :  Med it er ranean  -  East  Europe 

meeting.  – Ужгород (Україна).  – 2011. 

14-та  відкрита  науково-технічна  конференція  Інституту 

телекомунікацій,  радіоелектроніки  та  електронної  техніки, 

Національного  університету  “Львівська  Політехніка”  з  проблем 

електроніки.  – Львів (Україна).  – 2011. 

IIPhDW  2011.  -  Zielona  Gura  (Poland).  – 2011. 

1- ша  Всеукраїнська  науково-практична  конференція 

«Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів 

телекомунікацій, нано-   та мікроелектроніки». -   Чернівці(Україна). 

– 2011. 

XI -t h  Int er nat io nal  Confer enc e  TCSET  2012.  –  Львів-Славське 

(Україна).  – 2012. 

15-та  відкрита  науково- технічна  конференція  інституту 

телекомунікацій,  радіоелектроніки  та  електронної  техніки  НУ 

«Львівська  політехніка»  з  проблем  електроніки  та 

інфокомунікаційних  систем. – Львів (Україна).  – 2012. 

ІІ  Міжнародна  науково  практична  конференція.ю  фізико 

технологічні  проблеми  радіотехнічних  пристроїв,  засобів 

телекомунікацій,  нано-   та  мікроелектроніки  2012.  -  Чернівці, 

(Україна).  – 2012. 

Публікації.  За  матеріалами  дисертації  опубліковано  23 

наукові праці, що включають 7 статей у фахових виданнях, з них 2 

14 

статі,  що  входять  до  науково  метричних  баз  даних,  13  тез 

доповідей на наукових регіональних та міжнародних конференціях 

та симпозіумах, новизна отриманих результатів підтверджена 3-ма 

патенти  України на корисні моделі. 

Структура  і  обсяг  дисертації.  Дисертаційна  робота 

складається з вступу,  5 розділів, списку використаної літератури. 

Загальний  обсяг  дисертації  становить  155  сторінок  та  містить  59 

рисунків,  11  таблиць.  Список  використаних  джерел  складається  з 

224 найменувань

Список літератури

Загальні висновки 

1.   Введення  у  фотовольтаїчну  плівкову  органічну 

структуру  ITO/ VOPc -s /C60  /PyG/Al  буферного  підкатодного  шару 

PyG  n-типу провідності завтовшки ~8- 10 нм забезпечує уникнення 

пробою  нанорозмірної  структури  ITO/VOPc-s /C60  /PyG /Al  під  час 

формування  алюмінієвого  електрода,  а  також  приводить  до 

підвищення  густини  струму  короткого  замикання  та  напруги 

холостого ходу на 0,13 мА/см

2

  та 20 мВ відповідно. 

2.   Виявлено,  що  плівки  VOPc   сформовані  методом 

термовакуумного  напилення  з  швидкістю  осадження  0,02  нм/с 

(VOPс-s ),   характеризуються  більш  складною  кристалічною 

структурою  (виявлені  дифракційні  максимуми  для  кутів  2θ=7,4

0

12, 5

0

  15

0

,   22, 4

0

)  у  порівнянні  з  плівками,  сформованими  з 

швидкістю  осадження  0,22  нм/с  (VOPс-f ),  у  яких  виявлені 

дифракційні  максимуми  для  кутів  2θ=7,4

0

  та  15

0

.  Більш 

розвинений  рельєф  поверхні  плівки  VOPс-s   (середня  товщина 

плівки  90  нм  при  перепаді  висот  30- 40  нм)  визначає  бар’єрні 

властивості фоточутливого гетеропереходу  VOPc /C60   та приводить 

до  підвищення  ефективності  перетворення  енергії 

фотовольтаїчних  структур  на  основі  гетеропереходу  VOPc -s /C60  

приблизно  на  0,025  %  порівняно  з  структурами  на  основі  VOPc -f/C60 .   

3.   Введення  транспортного  шару  неорганічного 

напівпровідника  CuI  завтовшки  10- 12  нм  в  органічну 

фотовольтаїчну  структуру  на  основі  субфталоціаніну  бору  SubPc  

(40  нм)  забезпечує  збалансовування  енергетичних  рівнів  між  ІТО 

та  SubPc ,  що  приводить  до  підвищення  струму  короткого 

замикання  сформованої  фотовольтаїчної  структури 

ІТО/СuI/SubPc/C60 /Al  на  1,2  мА/см

2

.

Аналіз  спектрів  поглинання 

126 

структур  ІТО/СuI/SubPc/C60 /Al  та  ІТО/SubPc/C60 /Al  показує 

прозорість плівки  CuI.  

4.   Вперше  виявлено  ефект  струмової  бістабільності  в 

термовакуумно осаджених плівках NiPc  завтовшки 40 нм на основі 

системи  ІТО/NiPc/Al,  що  зумовлено  генерацією  пасткових  станів 

великої  густини  в  міжзерновій  фазі  плівки,  які  утворюються  на 

швидкостях  осадження  плівки  NiPc   ≥  1  нм/с.  Струмова 

бістабільність  нанорозмірної  структури  ІТО/NiPc/Al 

характеризується  перемиканням  структури  з  низького  стану 

провідності у високий стан провідності після порогового значення 

напруги  4,3  В,  що  своєю  чергою  відбувається  за  рахунок 

міжзернових  пасткових  станів,  які  беруть  участь  у 

струмопроходженні.  В  розробленій  структурі  величина  струму  в 

стані  низької  провідності  дорівнює  I=0,1  мА,  у  стані  високої 

провідності  І=5,8 мА. 

5.   Виявлено,  що  введення  у  світловипромінювальну 

структуру на основі Alq3  з довжиною хвилі 530 нм, транспортного 

шару  NiPc  приводить  до  підвищення  яскравості  на  1100  кд/м

2

  за 

рахунок пониження потенціального бар’єру між  Alq3  та ІТО та до 

зменшення  порогової  напруги  на  2,5  В  за  рахунок  пониження 

потенціального  бар’єра для дірок.  

6.   При  впливі  на  сенсорну  структуру  ІТО/NiPc/Al  тиску 

насиченої пари водного розчину аміаку NH3  виникає Jкз  та Uхх  при 

чому, із збільшення тиску насиченої пари водного розчину аміаку 

збільшується  Jкз  в  діапазоні  2·10

- 3

–1,1·10

- 2 

мА/см

2

  та  Uхх–0,1- 0,32 

В.  Збільшення  Jкз  та  Uхх  в  структурі  ІТО/NiPc/Al  відбувається  за 

рахунок  іонної  складової  струму,  що  виникає  внаслідок 

проходження окисно-відновних  реакцій  на інтерфейсі  NiPc/Al. 

7.   Результатом  впливу  зміни  тиску  насичених  парів 

водного  розчину  аміаку  на  струмові  характеристики  структури 

127 

ІТО/NiPc/In  є  поступове  зменшення  струму  короткого  замикання 

Jкз  (1,8·10

- 5

- 0,6·10

- 5

)  при  незмінному  значенні  Uхх=0,32В  та 

практична  відсутність  іонної  складової  струму.  Зменшення  Jкз  

зумовлено  компенсацією  молекулами  аміаку  молекул  кисню,  які 

присутні  в плівці  NiPc. 

128 

Список використаної літератури 

1.    Shaw  J.  M.  Or ganic  elec tronics :  I nt roduct io n  /  Shaw  J.  M.,  

Seid ler  P.  F.  / /  IBM  Jour nal  r esearc h  and   develop ment.  –  2001.  -  

Vol.45  №.  1. – P.3-9. 

2.   Recent P rogr ess  in O rganic  Elect ronics :  Mat er ials,  Devic es,  

and Processes / Kelley T. W. [та ін.] // Chemical Materials.  –  2004.  -  

№. 16. – P. 4413-4422 

3.   Mat er ials  and  Devic es  for  Or ganic  Electro nics  /  Reyes  M.  

R.  [та  ін.]  //  Journal  of  Nanotechnology.  –  2011.  –  Vo l.2011.  -  2 

pages. 

4.   Pope  M.  Elec tronic  processes  in  or ganic  c ryst als   and  

polymers  /  Pope  M.,    S wenber g  C. E.  //  O xford  Sc ience  Pub lic at ions,  

Oxford  Univers it y  Press,  New  York.  2nd  ed  - 1999.,  658  p.  

5.   Forrest  S.  R..  The  pat h  to  ub iquitous  and  lo w -cost  organic  

electro nic  appliances  on  p last ic  //  Nat ure.  –  2004.  –  Vo l. 428.  -  P.911 -918. 

6.   Overcoming  ef f ic iency  challenges  in  organic  solar  cells :  

rational development of conjugated polymers / Hae Jung Son [та ін. ] / /  

Energy  Environment  Science.  - 2012.  – Vol.5.  P.8158-8170. 

7.   Organic electronics on paper / Florian E. [та ін.] // Applied 

Physics  Letters.  – 2004.  – Vol. 84, № 4. - Р. 2673-2675. 

8.    Luebben  S.  New  cond uct ing  and  semiconduc t ing  po lymers  

for  p last ic  elec tro nics  /  Luebben  S.,  Sapp  S.  //  Mat er ial  Mat ters.  – 

2007.  – Vol.  2.3.  – P.11-15. 

9.   Amb ipo lar  copper  p ht halocyanine  tr ans istors  with  carbon 

nanotube  array  electrodes  /  Cicoira  F.  [та  ін.]  //  App lied  Phys ics 

Letters .  – 2011.  - Vol.18.  – p.183303. 

10.   Elect r ical  Engineer ing/ Elect ronics  Comp ut er  

Telecommunic at io ns  and  I nfor mat ion  Tec hno lo gy  ( ECTI -CO N),  2010 

Internat io nal   Kladsomboon,  S., 2010.  - P.536  – 539. 

129 

11.   Саркисян  Т.А.  исследование  cu- фталоцианинового 

тонкопленочного полевого органического транзистора с  помощью 

ближнеполевого  микроволнового  микроскопа  //  Известия  НАН 

Армении, Физика.  – 2011.  – т.4.№3. – С.195-193. 

12.   Mult ilayer  pho tovo ltaic  st r uctur es  based  on 

tetr at hiad iazo loporphyr azine/subpht halocyanine  het ero junct io n  /  

Stuzhin  P.A.  [та  ін.]  //  Макрогетероциклы.  –  2012.  –  Т.2.(5).  – 

С.162-165. 

13.   .Shinar.  R.  S.  J.  Organic  light - emitt ing  devic es  (OLEDs )  

and  O LED-bas ed  chemical  and  b io logical  sensors :  an  o verview  / /  

Jour nal  o f  Phys ics  D:  App lied  pf ys ics.  –  2008.  –  vo l. 41.  –  Р. 133001-133027. 

14.   Organic  Semicond uctors  in Sensor  App lic at io ns . /  Ber nards,  

D. A.;  O wens  R. M. ;  Mall iar as  G.G.  / /  Spr inger  Ser ies  in  Mater ials  

Science,  Vol.  – 2008.  - 107.XVI,  183  illus.  -  p.290. 

15.   Inkjet  pr int ed  elec trochemical  or ganic  elect ronics   /  R ic hard  

Mannerbro  //  Synthetic  Metals .  – 2008.  – 158(13).  –Р.556–560. 

16.   M.  Pope,  Ch.  E.  S wenber g.  Elec tronic  Processes  in  Or ganic  

Cryst als  and  Po lymers  //  O xfo rd  Univers it y  Pr ess,  New  Yor k,  O xford.  

-  1999.  -  p.1328. 

17.   Gopel  W.,  Schierb aum  K. - D.  Handbook  of  Organic  

Conduc ive  Mo lec ules  and  Polymers :  Conduct ive  Po lymers.  Transport,  

Pholophysics  and  Appplications.  – 1997.  -  Vol.  4. – Р.621-659. 

18.   Pht haloc yanine  bas ed  photoelec tr ic al  cells :  Eff ect  o f  

environment on power conversion efficiency / Pakhomov G. L. [та ін.] 

//  Journal  of  materials  science.  – 2010.  – Vol.45.  – p.1854 

19.   Pht haloc yanine  bas ed  photoelec tr ic al  cells :  Eff ect  o f  

environment on power conversion efficiency / Pakhomov G. L. [та ін.] 

//  Journal  of  materials  science.  – 2010.  – Vol.45.  – p.1854. 

130 

20.   Würfel  P.  Photovoltaic  Principles  and  Organic  Solar  Cells 

//  Chimia.  – 2007.  – Vol.61.  – P.770–774. 

21.   Трошин  П.А.,  Органические  солнечные  батареи: 

структура,  материалы,  критические  параметры  и  перспективы 

развития  /  Трошин  П.А,  Любовская  Р.  Н.,  Разумов  В.Ф.  // 

российские нанотехнологии  – 2008.  – том 3, №5-6.  -  C.56-77. 

22.   Dir ect  obser vat io n  of   int ernal  potent ial  d is tr ib ut ions  in  a 

bulk  heterojunction  solar  cell  /  Lee  J.  [та  ін.]  //  App lied  Phys ics 

Letters .  – 2011.  – Vol.  99.  - p.243301. 

23.   P-typ e  dop ing  ef f ect  on  t he  perfor mance  of   or ganic -inorganic  hybrid  solar  cells  /  Lei  X  [та  ін.  ]  //  App lied  Phys ics 

Letters .  – 2011.  – Vol.  99.  - p.233305   

24.   Tammer,  M.   and  A.   P.  Mo nkman.  Measurement  o f  t he 

Anisotrop ic  Ref ract ive  Ind ic es  of  Sp in  Cast  T hin  Po ly( 2 - metho xy -5-(2-et hyl- hexylo xy) -pphenylenevinylene)  ( MEH -PPV)  F ilms/ /    Adv.  

Mater.  -  2003.  - №14(3).  – P.210-216. 

25.   Пахомов  Л.Г.,  Леонов  Е.С.  Пленочные  структуры  на 

основе  органических  полупроводников.  //  Учебно-методический 

материал  по  программе  повышения  квалификации  «Физико-химические основы нанотехнологий».  Нижний Новгород. –  2007.  –

79  c. 

26.   Organic   photovo lt aic  mat er ials   and  t hin - f ilm  so lar  cells  /  

Xin Wang [та ін.] // Front. Chem. China. –  2010.  –  Vo l.  5( 1).  –  P.45–

60. 

27.   Chid ichimo  G.  Or ganic   So lar  C ells :  Prob lems  and  

Perspect ives  /  C hid ic himo  G.  and  F ilippell i  L.   / /  I nternat ional  Jo ur nal  

of Photoenergy.  – 2010.  – Vol.2010.  Article  ID  123534,  11  pages.  

28.   Ef fec ts  of  intr ins ic   layer  t hic kness  on  so lar   cell  p ar ameters  

of organic p - i- n het ero junct io n p hotovo lt aic cells  /  Taima T. [та ін.] // 

Applied  Physics  Letters.  – 2004.  -  Vol.85.  -  P.6412-6414. 

131 

29.   Charge S epar at io n at  Mo lecular  Do nor –Accepto r  Inter faces :  

Correla t io n  Bet ween  Mo rpho lo gy  and  Solar   Cell  Per for mance  /  Op it z 

A. [та ін.] // IEEE journal of selected topics in quantum electronics.  – 

2010.  - Vol.16.  – P.1707-1717. 

30.   Peumans  P.  Ver y -high-eff ic ienc y  doub le -het erostr uctur e 

copper  phthaloc yanine/C 60  photo vo lt aic   c ells  /  Peumans  P.,  Forr est  

S.R. //  Applied  Physics  Letters .  - 2001.  - Vol.79.  - P. 126-128. 

31.   High  ef f ic iency  or ganic  solar  cells  based  on  single  or  

multiple  PIN  structures  /  Drechsel  J.  [та  ін.]  //  Thin  Solid  Films.  -  

2004.  - Vol.451.  -  P.515-517. 

32.    Kim,  D. Y.  Aluminum  P ht halocyanine  Chlo r id e/C 60 

Organic  p hotovo ltaic  cells  with  high  open  c irc uit  vo ltage  /  Kim,  D. Y.,  

Gao  S.F.  //  So lar  Ener gy  Mat er ials  &  So lar  C ells.   –  2009.  Vo l.  93.  -  

p.1688.   

33.   Ef f ic ient   po lymer -based   int erp enetr at ed  net wor k 

photovo ltaic  cells  /  Alem S.[та ін.]  //  App lied P hys ics  Lett ers . –  2004.  

– 84. Р.2178–2180. 

34.   Near- infr ared s ens it ive s mall  mo lec ule o rganic p hotovo ltaic  

cells  based  on  c hloro aluminum  p ht halocyanine  /  Ba iley -Salzman  R.  F. 

[та ін.] // Applied  Physics  Letters .  – 2007.  – Vol.91.  – p.013508. 

35.   Enhanc ed  open-c ircuit  vo ltage  in  subphthalocyanine/C 60  

organic  photovoltaic  cells  /  Mutolo  K.L  [та  ін.]  //  Jour nal  of  the 

American  Chemical  Society.  – 2006.  Vol.128.  -  P.8108–8109. 

36.   Ef f ic ient  or ganic  so lar  cells  bas ed  on  planar  

metallophthalocyanines  /  Kim  I.  [та  ін.]  //  Chemical  Materials.  – 

2009.  – Vol.21.  - P.4256–4260. 

37.   Ramc handr a  Pode.  On  the  prob lem  of  open  c irc uit  vo ltage 

in  metal  pht halocyanine/C 60   or ganic  so lar  cells  / /  Ad vansed  Mater ials  

Letters.  – 2011.  – Vol.  2(1).  – P. 3-11. 

132 

38.   Photovo ltaic  propert ies  of  CdS/phthalocyanine 

hetero junct io n  cells 1  /  A.  M.  Ho r  / /  Pres ented  at  t he  65t h  Annual  

Chemical  Institute  of  Canada  Confer-  70.  – 1983.  – P.901-905. 

39.    Titanyl  Phthalocyanine/C60  Het ero junct io ns :  Band - Edge 

Offsets and Photovoltaic Device Performance / Michael Brumbach [та 

ін.]  //  Journal of Physics Chemistry C.  –  2008.  –  Vo l. 112.  –P.  3 142 -3151. 

40.   Organic  so lar  cells  wit h  sens it ivit y  extend ing  into  t he  near  

infrared  /  Rand  B.P.  [та  ін.]  //  App lied  Phys ics  Let ters .  -  2005.  -  

Vol.87.  -  p.233508. 

41.   Polymer  elect ronic  memor ies :  Mat er ials,  devic es  and  

mec hanis ms  /  Linga  Q.  [та  ін.]  //  Progress  in  Polymer  Science.  – 

2008.  –Vol.33.  – Р.917-978. 

42.    Qi  C.  Memor y  d evices  bas ed  on  or ganic  elec tr ic   b ist ab le 

mat er ials  /  Q i  C.,  Hua  B.,  GaoQuan  S.  / /  Chinese  Science  Bullet in.  – 

2007.  – Vol.52(15).  – P.2017-2023. 

43.    Memo ry  ef fect  fro m  char ge  t r apping  in  layer ed  organic  

structure  /  Kang  S.  [та  ін.]  //  Applied  physics  letters.  -  2004.  – 

Vol.20(85).  – P.4666-4668. 

44.   Deler uyelle  D.  /  Elect r ic al  nanocharact er izat io n  of   copper  

tetr acyanoquinod imethane  layers  dedic at ed  to  res ist ive  r and o m  access 

memories / Deleruyelle D. [та ін.] // Applied physics letters. – 2010. – 

Vol.  96.  – p. 263504. 

45.   Tunhoo  B.  St r uct ur al  and  opt ical  propert ies  of   lo w 

temperat ur e  evaporated  iron  phthaloc yanine  t hin  f ilms   /  Tunhoo  B.;  

Nukeaw  J.  //   Mater ials  R esearc h  I nno vat io ns.  –  2009.  –  Vo l.13.  -  

P.145-148. 

46.   Tuning  of  t he  elect r ic al  char act er ist ics  of  or ganic  b ist ab le 

devic es  by  var ying  t he  deposit io n  r at e  of  Alq 3  t hin  f ilm  /  Po -Tsung 

Lee [та ін.] // Organic  Electronics.  – 2008.  – Vol.9.  – P.916–920. 

133 

47.   Keil  C.   Develop ment  of  t he  f ield - eff ect  mob ilit y  in  thin  

f ilms  of   F16PcCu  char act er ized  by  elect r ic al  in  s it u  meas ur ements  

dur ing  device  p rep ar at io n  /  Keil  C.,  Schlett wein  D.   / /  Or ganic  

electronics .  – 2011.  – Vol.12.  – P. 1376-1383. 

48.   Mukher jee  B.  Progr ammab le  memory  in  or ganic  f ield - ef fec t  

tr ans is tor  b asedon  lead  pht haloc yanine  /  Mukher jee   B.,   Mukher jee  M.  

//  Organic  electronics.  – 2009.  – Vol.10.  – P.1282-1287. 

49.   Tuning  of  t he  elect r ic al  char act er ist ics  of  or ganic  b ist ab le 

devic es  by  var ying  t he  depos it io n  r at e  of   Alq Electr ical  b is tab le 

propert ies  of   copper  pht halocyanine  at  d if f er ent  depos it ion  r at es  /  K.  

Onlaor  [та ін.] // Solid-State  Electronics .  -  2012.  - Vol.72.  – P.60-66. 

50.    thin  f ilm  /   Po -Tsung Lee [та ін.] // Organic Electronics. – 

2008.  – Vol.9.  – P.916–920. 

51.   Invest igat io n  of  t her mally  robus t  single -component  

res ist ive  switching  or ganic  memor y  cell  /   Y.   Kuang  [та ін.] // Device 

Research  Conference,  2009.    – 2009.  – P.137-138. 

52.   Sat yajit  S ahu.  Non- int er act ing  wr it e  and  read  processes  in 

organic  memo ry  devic es  /  Sat yajit  Sahu,  Amlan  J.  Pal  / /  Or ganic  

Electronics.  – 2008.  – Vol.9.  -  P. 873–877. 

53.   Takhee  Lee.     Or ganic   r es ist ive  nonvo lat ile  memor y 

mat er ials   /   Takhee  Lee  and  Yong  C hen.   / /  MRS  bullet in.  –  2012.  – 

Vol.37.  – P.144-149. 

54.   Dat a-stor age  devic es  based  on  layer-by- layer  self -assembled films of a phthalocyanine derivative / Himadri S. [та ін.] // 

Organic  Electronics.  – 2003.  – Vol.4.  – P.39–44. 

55.   Sens it ive  Elements  of  Res ist ive  Gas  Sensors  Based  on 

Organic  Semiconductors  /  Tsizh  B.  R.  [та  ін.]  //  Molecular  crystals 

and  liquid  crystals.  – 2011.  – Vol.535.  – P.220-224. 

56.   Elect r ical  c harac ter ist ics  of  top  cont act  pentacene  or ganic  

thin  f i lm  t r ans is tors  with  S iO 2  and  poly( met hyl  met hacrylat e)  as  gat e 

134 

dielect r ics   / Lohani, J. [та ін.] // Pr amana.  –  2008.  –  Vo l.  71.  -  P.579 -589. 

57.   З.Ю.Готра. Мікроелектронні сенсори фізичних величин: 

Науково-навчальне видання в 3 томах. –  Львів: Ліга- Прес, 2002. – 

475  c.  

58.   Електронні  процеси  в  плівках  електропровідних 

поліаміноаренів  в  пртонних  електролітах  /  Глушик  І.П.  [та  ін.]  // 

Тези  X  Міжнародної  конференції  з  фізики  і  технології  тонких 

плівок  (МКФТТП-X).  -  Івано-Франківськ  (Україна).  -  2005.  - c.294. 

59.   Електронні  процеси  в  плівках  електропровідних 

поліаміноаренів у протонних електролітах  / Глушик І.П. [та ін.] // 

Фізика  та хімія  твердого тіла.  – 2005.  -  Т.6, №3. – С.455-460. 

60.   Напівпровідникові  резистивні  сенсори  для  моніторингу 

якості  харчових  продуктів  /  Ціж  Б.Р  [та  ін.]  //  Електроніка.  Л.  : 

Вид-во Нац. ун-ту  "Львів. політехніка".-  2008.  - № 619.  -  С.57-60. 

61.   Pht haloc yanine-b ased  photoelec tr ic al  c ells :  ef fect  o f  

environment on power conversion efficiency / Pakhomov G.L. [та ін.] 

//  Journal  of  Materials  Science.  – 2010.  – Vo.45.  – P.1854-1858. 

62.   Вивчення  бар’єрних  структур  на  основі  тонких  плівок 

фталоціаніну нікелю при взаємодії з газовим середовищем аміаку / 

З.Ю. Готра  [та  ін.]  //  Вісник  Національного  університету 

«Львівська політехніка»,  «Електроніка».  – 2008.  – N619.  – C.37-41. 

63.   Tang  C.W.  Or ganic  elect ro luminescent   d iodes  /  C.W.Tang,  

S.A.  Vans lyke.  //   App lied  P hys ics  Jour nal.   –  1987.  –  vo l, 51.  –  P.913 -915. 

64.   Органические светоизлучающие структуры  -  технологии 

XXI  века / В.М. Сорокин [та ін.] // Технология и конструирование 

в электронной  аппаратуре.  – 2009.  – № 1. – С. 3-9. 

135 

65.   Par k  J.W.    Lar ge- ar ea  OLED  light ings  and  thier  applicat io n 

/  J.W.  Par k,  D.C.  Shin,  S.H.  Par k  //  Semico nductor  Sc ience  and  

Technology.  – 2011.  – vol.26.  – Р. 034002-034011. 

66.   Zmija  J.  Organic  light  emitt ing  d iodes  ope rat io n  and  

applicat io n  in  d isp lays  /  J. Zmija,  M. J.  Malacho wski  //  Arc hives  of 

Mat er ials  Scienc e  and  Engineer ing.  –  2009.  –  vo l.  40.  –  № 1. –  Р. 5-12. 

67.   Кухто  А.В.  Электролюминесценция  тонких  пленок 

органических  соединений  /  А.В.  Кухто  //  Журнал  прикладной 

спектроскопии.  – 2003.  – Т. 70. – № 2. – c. 151. 

68.   Br utt ing  W.   Devic e  p hys ics  of   or ganic   light - emit t ing  d iod e 

based  on  mo lec ular   mater ials  /  W.  Br ut t ing,  S.  Ber leb,  A.G.  Muckl.  / /  

Organic  Electronics.  – 2001.  – Vol.  2.  – P. 1–36. 

69.   A  compar at ive  st udy  of   elec trode  ef f ects  on  t he  elec tr ic al  

and  luminescent  char act er is t ics  of  Alq 3/TPD  OLED:  Imp rovements  

due  to  conduct ive  polymer  (PEDOT)  anode   /  H.  Mu  [та  ін.]  / /  Jo ur nal  

of Luminescence.  – 2007.  – 126. Р.225–229. 

70.   Suppiah  S.  Fabr icat io n  of  MEH -PPV  b ased  organic  light  

emit t ing  d iod e  and  t rans istor   / /  Mic ro  and  Nanoelect ronics  (RSM).  – 

2011.  – Р.388 – 391. 

71.   Fabr icat io n  of  Red,  Green,  and  Blue  Or ganic  Light -Emitt ing  Diodes  Us ing  m - MTDAT A  as  a  Commo n  Ho le -I nject io n 

Layer  /  J.  Kim  [ та  ін. ]  / /  Ko rean  Journal  o f  Chemic al  Engineer ing.  – 

2005.  – № 22. – P. 643–647.   

72.   Elect ron  T ransport   Mater ials   for   Or ganic   Light - Emit t ing 

Diodes  /  A.P.  Kulkar ni  [ та  ін.]  / / C hemis t ry of  Mat er ials.  – 2004.  – № 

16.  – P. 4556–4573. 

73.   Inf luenc e  of  t he  thic kness  of  N,N′- Bis (naphthalene - 1- yl) -N,N′-b is(phenyl)   benzid ine  layer   on  the  p er for mance  o f  or ganic   l ight -

136 

emit t ing  d iodes  /  Bo  Jiao   [та  ін.]  / /  App lied  Phys ics  A:  Mater ials  

Science  & Processing.  – 2010.  – № 98. – P. 239–243. 

74.   Organic   elec tro luminescent  d evic es  with  i mpro ved  st ab ilit y  

/  S.A.  Van  S lyke.  [та  ін.]  //  App lied  Phys ics  Lat ters. -  1996. - Vo l. 69. -p.2160. 

75.   High  contr ast  r at io  organic  light -emit t ing  devic es  based  on 

CuPC  as  elect ron  t ransport  mat er ial   /  Jiun- Haw  Lee  [та  ін.]  // 

Synthetic  Metals .  – 2004.  – 144.  – Р.279–283. 

76.   Dihexylq uat er thiophene,  a  Two -  Dimens ional  Liquid  

Cryst al- like  Or ganic  S emiconduc tor  wit h  High  Tr ansport  Propert ies   / 

Garnier,  F. [та ін.]  //  Chemical  Materials.  – 1998.  – 10.  –p.3334. 

77.   High  Car r ier  Mob ilit y  Po lyt hiop hene  T hin  F ilms :  St r uctur e 

Det er minat ion b y  Exp er iment  and Theor y.  D. M.  DeLongchamp  [та ін.] 

//  Advanced  Materials   – 2007.  – 19(6).  – P.833–837. 

78.   Clar isse,  C.  Field -eff ect  t r ans isto r  wit h  d iphthalocyanine 

thin  film  / Electronics  Letters .  – 1988.  – 11.  – P.674-675. 

79.   Struc tural  charact er isat io n  of  ultr a- high  vac uum  s ub limat ed  

polycrys tall ine  t hin  f ilms  of  hexat hiop hene   /  M.  Camp ione  [та  ін.]// 

Thin  Solid  Films .  – 2006.  – 500.  – P.169-173.   

80.   Trans -t rans - 2, 5- Bis -[2- {5-(2,2′-b ithienyl)} et henyl] 

thiop hene:  S ynt hes is,  char act er izat io n,   t hin  f ilm  depos it io n  and  

fabr icat io n  of  organic  f ield - ef fec t  tr ans istors  /  Dimit rakopoulos,  C.D.  

[та ін.]  //  Synthetic  Metals .  – 1997.  – 89(3).  – P.193-197. 

81.   Intr amo lecular  Char ge  C ar r ier  Mob ilit y  in  F luor ene -Thiophene  Copolymer  F ilms  Stud ied  by  Micro wave  Cond uct ivit y  / 

Akino r i  S aeki  [та  ін.]  //  Macromo lecules.  –  2011.  -  44( 9).  –  P.3416–

3424. 

82.   Enhanc ed  Mob ilit y  of  Poly(3 - hexylt hiop hene)  Tr ans is tors  

by  Spin -Coat ing  fro m  High- Bo iling -Po int  So lvents  /  Jui-Fen  Chang 

[та ін.]  //  Chemical  Materials.  – 2004.  -  16(23).  – P.4772–4776. 

137 

83.   Spin  coat ing  of  conjugat ed  polymers  for  electro nic  and  

optoelect ronic  app licat io ns  /  Chao -Ching Chang  [та  ін.] // Thin Solid 

Films.  – 2005.  – 479.  – Р.254–  260. 

84.   The  I mpact  o f  Mo lec ular   Or ient at ion  on  the  P hotovo ltaic  

Propert ies   of  a  P ht halocyanine/Fuller ene  Het ero junct ion  /   Barr y  P.  

Rand [та  ін.]  //  Advanced Functional  Materials.  –  2012.  –  Vol.22, № 

14.  -  P.2987–2995. 

85.   Elect r ical  propert ies  of p ht halocyanine  bas ed  sand wic hcells  

with  embedded  ultrathin  metallic  layer  /  Pakhomov  G.  L.  [та  ін.]  // 

Molecular  crystals  and  liquid  crystals.  – 2011.  – Vol.535.  – p.42. 

86.   Симон  Ж.,  Андре  Ж.-Ж.    Молекулярные 

полупроводники.  Фотоэлектрические  свойства  и  солнечные 

элементы /  Симон Ж., Андре Ж.-Ж. –  Москва «Мир». –  1988.  –  344 

c. 

87.   Wr ight  J.  D.  G as  adsorpt ion  on  pht halocyanines  and  its  

ef fects o n  elect r ical p roper t ies / / Pro gr.  Surf.  Sc i.  –  1989. –  Vo l.  31. – 

P.1-60 

88.   Cryst al  st ruc ture  of  vanadyl  p ht halocyanine  /  Zio lo  R.  F.  

[та ін.] //phase 2 JCS Dalton  Trans. – 1980.  - № 11. Р. 2300-2302. 

89.   Ef fec t  of  mo lecular  conf igurat io ns  on  t he  elec tr ic al  

resistivity of  titanylphthalocyanine  thin films /  Kontani T.  [та  ін.] // 

Jpn.  J.  Appl.  Phys.  Pt.  -  19951.  -  34, № 7. – P.3654-3657. 

90.   Mod if icat io ns  in  t he  microscopic  struc ture  of  Ru  and  Pb 

pht haloc yanine  f ilms  by  int er mo lecular  interact ions  /  Schmeisser  D.  

[та ін.] // Synth. Met.  – 1993.  – 61.  - Р.115-120. 

91.   Kobayashi  T.   / /  Act a  Cr yst.   ( a).   –  1981.  -  37 №5. –  P. 697 -703. 

92.   El- Nahass  M.M.  I nvest igat io n  of  elect r ical  cond uct ivit y  in 

Schottky -bar r ier  devices  bas ed  on  nic kel  p ht halocyanine  thin  f ilms  /  

138 

M. M.  El-Nahass,  K.F.  Abd  El-Rahman  / /  Jour nal  of  Alloys  and  

Compounds. -  2007.  - №430. –P. 194–199. 

93.    Kr asniko v  S.A.  Elec tro nic  s tr uctur e  of  Ni( II )  porphyr ins  

and  phthaloc yanine  stud ied  by  sof t  X - ray  absorpt io n  spect roscopy  / 

S.A.  Kras nikov,  A.B.  Pr eobr ajens ki,  N. N.  Ser geeva,  M. M.  

Br zhezinskaya,   M. A.  Nes terov,   A. A.   Cafo lla,  M.O.   Senge,  A.S.  

Vinogradov  //  Chemical  Physics.  -  2007.  - № 332. – P. 318–324. 

94.   Struc tural contro l of  evaporated  lead -p ht halocyanine f ilms  /  

Miyamoto  A  [та ін.] //  Thin  So lid  Films.  – 1995.  – 256.  – Р.64-67. 

95.   Infr ared sens it ive or ganic  photoconducto r. /  Gr ammat ica S.,  

[та ін.] // Appl. Phys. Lett.  - 1981.  -  V.  38.  N.  6. -  P. 445-446. 

96.   The  I nf luence  of  Dop ing  of   Fuller ene  Der ivat ive  (PCBM)  

on  t he  Opt ical  P roper t ies  of  Vanadyl   Phthaloc yanine  (VOPc)  /  Fakhr a 

Aziz  [та  ін.]  //  World  Academy  of  Science,  Engineering  and 

Technology.  – 2011.  - 58.  – Р.132-135. 

97.   Прототипы  фотовольтаических  ячеек  на  основе 

субфталоцианина  с  нижним  буферным  слоем  /  Пахомов  Г.Л.  [та 

ін.]  //  Физика и техника  полупроводников.  -   2012.  -  том 46, вып. 

11.  – C.1408-1413. 

98.   Elect r ical  Tr ansport  P roper t ies  of  Ther mally  Evapor at ed  

Pht haloc yanine  ( H 2 Pc)  Thin  F ilms  /  M. M.  El- Nahass [та ін.] // Egypt. 

J.  Solids.  – 2005.  -  Vol.  (28),  No. (2).  – Р.217-230. 

99.   Weak  Ep it axy  Growth  Af ford ing  High -Mob ilit y  T hin  F ilms  

of  Dis kLike  Or ganic  Semico nducto rs   /  H.  Wang,  F.  [та  ін.]  //  Zhu 

Journal:  Advanced  Materials.  – 2007.  -  Vol.  19,  no. 16.  - P.2168-2171. 

100.   Invest igat io n  of  temp er at ure -dependent  elect r ical  proper t ies  

of p -VOPc/ n-s i het ero junct io n  under  dar k cond it io ns /  S hahid  M.  Khan  

//  Ionics .  – 2011.  -  Vol.17,  Issue  4.  – P. 307-313. 

101.   A  novel  str uct ur al  s ingular ity  in  vac uumd eposited  thin  

f ilms :  T he  mechanis m  of  cr it ic al  opt imizat io n  of  t hin  f ilm  proper t ies  /  

139 

Vincett P. S. [та  ін.] // Thin Solid Films.  –  1981.  –  Vo l. 82.  –  P.357 -376. 

102.   Opt imizing t he growth of  vanadyl-pht haloc yanine t hin  f ilms  

for  high- mob ilit y  or ganic   t hin -f ilm  t rans istors  /  X.   J.  Yu  [та  ін.]  // 

Journal  of  Applied  Physics.  – 2007.  – vol.  102.  – P. 103711(6  pages).  

103.   Observat io n  of   pers istent  photoconduct ivit y  in  vanadyl  

phthalocyanine / L. F. Santos [та ін.] // Journal of Physics D: Applied 

Physics.  – 2008.  – vol.  41.  – p. 125107. 

104.   Stead y-s tate  pho tovo ltaic  and  elec tror ef lect ive  spectr a  in 

Al/ vanad yl  p ht halocyanine  ( VOPc,  in  p has e  I I) / ind ium –t in–oxid e 

(ITO) s and wich cell /  Yo ng - le Pan [та ін.] // Thin Solid Films. – 1998.  

– vol.  324.  – P.209-213. 

105.   Contro lled  p -dop ing  of  p igment  layers  by  cosub limat io n:  

Bas ic  mechanis ms  and  imp licat io ns  for  t heir  use  in  or ganic  

photovo ltaic  cells  /  M.  Pf eiff er  [та  ін.] // Solar Energy  Mat er ials  and  

Solar  Cells.  – 2000.  – vol.63.  – P. 83–99 

106.   Struc tural  cont ro l  of  o rganic  solar  cells  b ased  on  nonp lanar  

met allop ht halocyanine/C 60   het ero junct io ns  us ing  organic  b uf fer  layers  

/ Takeaki Sakurai  [та  ін.] // Organic  Electronics.  –  2011.  –  vo l. 12.  – 

p.966. 

107.   Magnet ic   f ield   inf luence  on  the  mo lecular  alignment  o f  

vanadyl phthalocyanine thin films Kolotovska V. Friedrich M. [та ін] 

//  J.  Cryst.  Growth.  2006.  -V.  291,  N  1.-P.  166-174.   

108.   Struc ture  and  spectroscopic  char act er izat ion  o f  

polycrys tall ine  vanad yl  p ht halocyanine  ( VOPc)  f ilms  f abr ic at ed  by 

vacuum deposition / Pan Y.L. [та ін] // Appl. Phys. A. -  1998.  -  V.  66.  

-  P. 569–573. 

109.   Depos it ion  P rocess  and  Morp ho logy  of   Metal–

Pht haloc yanine  Thin  F ilm  Evaluated  b y  Analyzing  t he  Ultr avio let –

140 

Vis ib le  Spect rum  and  X- ray  Diffraction Profile / Jiasheng Ru [та  ін.] 

//  Japanese  Journal  of  Applied  P hysics.  – 2010.  – vol.  49.  – p.01AE07. 

110.   MacKay  A.G.  Heats  o f  sub limat io n  of   phthalocyanines   // 

Australian  Journal  of  Chemistry.  – 1973.  –Vol.  26(11).  P.2425-2433. 

111.   Hotra  Z. Тhe  electrical- generat ing  str uct ur e  bas ed  on  NiPc  

in  ammonia  med ium  /  Hot ra  Z.,  Vo lynyuk  D.,   Bakhmatyuk  B.,  Kost iv 

N.,  Voznyak  L.  //  P roceed ings  of  elect rot echnical  inst it ut e.  –  2010.  -  

lssue  247.  -  P.5-11.   

112.   Hot ra  Z.  Ipro vements  OLED  operat io n  due  to  us ing 

addit io nal  layers /  Hot r a Z.,  Vo lynyuk  D.,  Bakhmat yuk B.,  Vo znyak  L,  

.Kost iv  N.  //  Proceed ings  of  elect rotec hnic al  ins tt it ute,  lssue  .  –  2010.  

-  lssue  247.  - P.19-24. 

113.   The  elect r ic al  char act er is t ics  of  bist ab le  devic e  based  on 

ZnO / HfO 2/ NiPc/ Al  memo ry  cell  /  Hot ra  Z.,   Cherp ak  V.,  St akhir a  P.,  

Vo lynyk  D.,  Luka  G.,  Pakhomo v  G.,  Kost iv  N.,  G ieralto wska  S   //  8-t h 

Inter nat io nal  Conf erence  o n  Elec tronic  Processes  in  O r ganic  and  

Inorganic  Materrials .  - 2010.  – p.271. 

114.   Готра  З.Ю.  Сенсор  С2 Н5 ОН  на  основі  органічного 

напівпровідника фталоціаніну нікелю  NiPc   / Готра З.Ю., Волинюк 

Д.Ю., Костів  Н.В., Возняк Л.Ю. // тези доповідей  5-ї міжнародної 

конференції  з  оптоелектронних  інформаційних  технологій 

«Photonics -ODS  2010».  – 2010.  -  c.185. 

115.   З.Готра.  Сенсор  аміаку  на  основі  структури 

ITO/CuI/ NiPc / Al  та його електрофізичні характеристики /  З.Готра, 

Д.Волинюк,  Н.Костів,  Л.Возняк.  //  Proceed ings   of  t he  4th 

inter nat io nal  conference   of  young  sc ient ists   «Comput er  sc ienc e  and  

engineer ing  2010  (CSE-2010)».  – 2010.  -  Р.302-303. 

116.   Костів  Н.  Дослідження  електричних  параметрів 

органічного  напівпровідника  фталоціаніну  нікелю  NiPc   для 

використання  його  в  тонко  плівкових  польових  транзисторах  // 

141 

Науково-публіцистичний  часопис  “Технічні  вісті”  –  2010р.  –  № 

1(31),2(32).  – С. 44-46.   

117.   Г.Л.Пахомов.  Тонкоплёночные  фотовольтаические 

ячейки  на  основе  фталоцианина  ванадия  и  фуллерена  / 

Г.Л.Пахомов,  В.В.Травкин,  А.Ю.Лукьянов,  П.Й.Стахира, 

Н.В.Костив // Журнал технической физики. – 2013.  -  том 83, вып.2. 

-  С.74-81. 

118.   З.Ю.Готра.  Дослідження  нанорозмірних  плівок 

фталоціаніну  нікелю  (NiPc )  для  елементів  памяті  /  З.Ю.Готра, 

Д.Ю.Волинюк,  Н.В.Костів  //Вісник  національного  університету 

«Львівська політехніка».  Електроніка.  – 2012.  - № 734. - С.85-90.   

119.   Патент  України  №76569  на  корисну  модель  № 

u201207205.  Готра  З.Ю.,  Стахіра  П.Й.,  Черпак  В.В.,  Волинюк 

Д.Ю., Костів Н.В. / Спосіб виготовлення елемента пам’яті // заявл. 

13.02.2012,  опубл. 10.01.2013,  Бюл № 1. 

120.   Stadnyk  B.  Prob lems  of  T emp er at ure  Sensor  Checking  at  

the Exploitation Place with the Calibrator’s Usage [text]  /  B.  Stad nyk,  

Yu.  Yatsuk,  V.  Parakuda  //  “Pomiary.  Automatyka.  Kontrola” 

(Poland).  -  №12. -  2006.  -  С.38-40. 

121.   Яцук  Ю.В.  Вдосконалення  системи  температурного 

контролю  робочих  еталонів  Вольта  [текст]  /  Ю.В.  Яцук,  Г.І. 

Барило  //  Тези  доповідей  XIII  Міжнародної  конференції  з 

автоматичного  управління  (Автоматика- 2006).  –  Вінниця,  25-28 

вересня 2006  р. – Універсум-Вінниця.  – 2006.  – c. 160. 

122.   Саченко А.А. Разработка методов повышения точности и 

создание  систем  прецизионного  измерения  тепературы  для 

промышленных  технологий.  Дис.  д-ра  техн.  наук:  05.11.16.  – 

Ленинград, 1988.  – 278 с. 

123.   Кочан  Р.  В.  Вдосконалення  компонентів  прецизійних 

розподілених  інформаційно-вимірювальних  систем.  Автореферат 

142 

дис.  к.т.н.:  05.11.16  –  “Інформаційно-вимірювальні  системи”  – 

Львів,  Фізико-механічний  інститут  ім.  Г.  В.  Карпенка  НАН 

України, 2005. 

124.   Поліщук  Є.С.  Метрологія  та  вимірювальна  техніка  / 

Поліщук Є.С., Дорожовець М.М., Яцук  В.О. [та  ін.]  За ред. проф. 

Є.С.Поліщука  // Львів:  Бескид Біт.  - 2003.  – 544 с. 

125.   Дорожовець  М.  Основи  метрології  та  вимірювальної 

техніки  /  Дорожовець  М.,  Мотало  В.,  Стадник  Б.  [та  ін.].  За  ред. 

проф.  Б.Стадника  //  Львів:  Видавництво  НУ  “Львівська 

політехніка”.  -  2005.  – Т.2. Вимірювальна  техніка.  – 656 с.  

126.   ДСТУ  2837- 94  Перетворювачі  термоелектричні. 

Номінальні  статистичні  характеристики  перетворення. 

127.   О.В.Бойко.  Пристрій  компенсації  температури  вільних 

кінців  первинних  термоелектричних  перетворювачів  /  О.В.Бойко, 

З.Ю.Готра,  О.З.Готра,  Н.В.Костів  //  Вимірювальна  техніка  та 

метрологія  НУ  «Львівська  політехніка».-.  2010.  -  №  71.  -  С.120 -125. 

128.   З.Ю.Готра.  Spice  модель  cmos  rail- to -rail  операційного 

підсилювача  /  З.Ю.Готра,  Р.Л.Голяка,  І.І.  Гельжинський, 

Н.В.Костів  // Електроінформ.  – 2010.  -  № 1. - С.22-26. 

129.   R.  Ho lyaka.   Ener gy- ef f ic ient  s ignal  convert ers  of  

ther mocoup le  temper at ur e  s ensors  /R.  Ho lyaka,   N.  Kost iv/ /  

Informatyka  Automatuka  Pomiary.  -  № 4. – 2011.  -  P.26-29. 

130.   Петерс Д., Хайес Дж., Хифтье Г. Химическое разделение 

и  измерение.  Теория  и  практика  аналитической  химии.  —  М., 

1978.  —  Т.  2;  Юинг  Г.  Инструментальные  методы  химического 

анализа.  — М., 1989.  235  c. 

131.   Кореляційні  залежності  в  інфрачервоних  спектрах 

металлофталоціанінов  /  А.В.  Зімін  [та  ін.]  //  Фізика  і  техніка 

напівпровідників.  - 2006.  -  Т. 40. - № 10. - С. 1161-1166. 

143 

132.   Exp er iment al  and  t heor et ic al  invest igat ion  of  vibr at ional  

spectra  of  copper  pht halo -cyanine:  po lar ized  single-c ryst al  R aman 

spectra,  iso tope  eff ect  and  DFT  c alculations / Basova T.V [та ін.]// J. 

Raman  Spectrosc. -  2009.  -  V.  40,  N  12.  -  P. 2080-2087.   

133.   Towards  c lar ifying  the  N M  vibr at ional  nat ur e  of  metallo -pht haloc yanines :  I nf rared   spectr um  of   phthalocyanine  magnes ium 

complex:  d ens it y  f unct io nal  calc ulat io ns  /  Zhang,  X.  [та  ін.]  // 

Spectrochim  Act a  A  Mo l  Bio mo l  Spect rosc. .  –  2004.   -  60  ( 10).  – 

Р.2195-2200. 

134.   Polymo rphis m  in  Vanad yl  Pht haloc yanine  /  G r iff it hs  C. H.  

[та ін] //Mol.  Cryst. Liq. Cryst. 1976.  -V.  33.  - P. 149-170.   

135.   Charact er izat io n  of  evapor at ed  tr ivalent  and. tetr avalent  

pht haloc yanines  t hin  f ilms :  d iff er ent  d egr ee  o f  or ganizat io n  /  Del  

Cano T. [та ін]//  Appl. Surf. Sci. &n