Тонкие плёнки широкозонных диэлектриков как физическая система для исследования аномального изомерного состояния в ядре тория-229 Борисюк Петр Викторович

Короткий опис

Борисюк, Петр Викторович.
Тонкие плёнки широкозонных диэлектриков как физическая система для исследования аномального изомерного состояния в ядре тория-229 : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07 / Борисюк Петр Викторович; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»]. - Москва, 2021. - 233 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор наук Борисюк Петр Викторович
ОГЛАВЛЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
1. Актуальность темы
2. Цель и задачи работы
3. Научная новизна работы
4. Научная и практическая значимость работы
5. Основные положения, выносимые на защиту
6. Достоверность научных положений, результатов и выводов
7. Личный вклад соискателя
8. Объем и структура работы
9. Апробация работы
10. Публикации по теме диссертации
1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Современное состояние проблемы
1.2. Выводы из обзора литературы
2. ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ МЕТОДЫ
2.1. Комплекс исследования и формирования тонкопленочных структур
2.1.1. СВВ комплекс XSAM-800
2.1.2. Импульсное лазерное осаждение (ИЛО)
2.2. Методы анализа тонкопленочных структур
2.2.1. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС)
2.2.2. Спетроскопия характеристических потерь энергии электронов (СХПЭЭ)
2.2.3. Спектроскопия рассеяния медленных ионов (СРМИ)
2.2.4. Растровая электронная микроскопия (РЭМ)
3. ЭЛЕКТРОННЫЕ И СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА СУБМОНОСЛОЙНЫХ ТОРИЕВЫХ ПОКРЫТИЙ TH:SЮ2/SI, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ
3.1. Формирование субмонослойных ториевых покрытий на поверхности
оксида кремния методом электрохимического осаждения
3.2. Иисследование морфологии образцов методом РЭМ
3.3. Электронная структура трехкомпонентных субмонослойных ториевых покрытий
3.4. Неупругое рассеяние ионов Не+ в системе 229ThSiO4/SiO2
3.5. Спектр рассеянных медленных ионов Не+ в системе 229ThSiO4/SiO2
3.6. Возбуждение изомерных ядер тория в квазимолекулах при неупругом рассеянии
ионов Не+ на атомах 229^
4. РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ МИШЕНИ
НА БАЗЕ СОЕДИНЕНИЯ СИЛИКАТА ТОРИЯ
4.1. Методика эксперимента
4.2. Моделирование каскадной генерации вторичных электронов при неупругом рассеянии быстрых электронов внутри твердотельной мишени с помощью метода Монте-Карло
4.3. Результаты моделирования каскадной генерации вторичных электронов при
неупругом рассеянии быстрых электронов в ThSi10O22
4.4. Сечение возбуждения изомерных ядер тория-229 при неупругом рассеянии
электронов в мишенях на базе силиката тория
4.5. Функция выхода изомерных ядер тория-229 при неупругом рассеянии
электронов в мишенях на базе силиката тория
5. ЛАЗЕРНАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ ВОЗБУЖДЕННЫХ ИЗОМЕРНЫХ ЯДЕР ТОРИЯ-229 В МАТРИЦУ
ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ОКСИДА КРЕМНИЯ
5.1 Подготовка ториевых мишеней для эксперимента с лазерной имплантацией
5.2. Электронная структура и ширина запрещенной зоны тонких пленок оксида кремния с имплантированными ядрами тория
5.3. Возбуждение изомерных ядер тория-229 при лазерной имплантации
5.4. Электронная спектроскопия ядер тория-229 при имплантации в тонкую пленку SiO2
5.5. Диаграмма зонной структуры серии исследуемых образцов и формирование спектров фотоэлектронов при облучении ВУФ излучением из газоразрядных ламп & и Xe
5.6. Перекрестная проверка
6. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ЗАКЛЮЧЕНИЕ
7. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
8. БЛАГОДАРНОСТЬ