Биэкситоны в полупроводниках Бобрышева, Анна Ихильевна

brief description

Бобрышева, Анна Ихильевна.
Биэкситоны в полупроводниках : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.02. - Кишинев, 1984. - 296 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Бобрышева, Анна Ихильевна
ВВЕДЕНИЕ.
РАЗДЕЛ I. БИЭКСИТОНЫ В ОБЪЕМНЫХ ПРЯМ030НШХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
ГЛАВА I. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ДОКАЗАТЕЛЬСТВА
СУЩЕСТВОВАНИЯ БИЭКСИТОНА И ТРИОНОВ. ОБЗОР.
§ I. Стабильность биэкситона относительно распада на два экситона.
§ 2. Оптические свойства биэкситона
§ 3. Экспериментальные доказательства существования биэкситона.
§ Коллективные и оптические свойства поверхностных эк сито нов.
ГЛАВА 2. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР
БИЭКСИТОНОВ.
§ 5. Волновые функции двух экситонов в объеме полупроводника.
§ 6. Фурье-образ энергии взаимодействия двух экситонов в недеформируемой решетке.
§ V. Энергия взаимодействия двух параэкситонов.
§ 8. Энергия связи биэкситона в недеформируемой решетке.
§ 9. Смещение экситонного уровня при больших плотностях возбуждения.
§ 10. Стабильность биэкситона в случае нескольких типов экситонов.
§ II. Спиновая структура и вращательные уровни биэкситона.
§ 12. Когерентное спаривание экситоное и бозе-эйнштейновская конденсация биэкситонов в полупроводниках
§ 13. Энергия связи отрицательного экситонного иона.
ВЫВОДЫ.
ГЛАВА 3. ЭКСИТОН-ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И ЕГО ВЛИЯНИЕ
НА ЭНЕРГИЮ СВЯЗИ БИЭКСИТОНА.
§ 14. Эффективный гамильтониан биэкситона в деформируемой решетке.
§ 15. Энергия диссоциации биэкситона в деформируемой решетке.
§ 16. Нетрадиционные механизмы экситон-фононного взаимодействия. Изотопическое смещение экситонных серий в кристалле
§ 17. Связывание экситонов в молекулу при взаимодействии с колебаниями решетки.
§ 18. Вероятность образования биэкситона, обусловленная экситон-экситонным взаимодействием
§ 19^ Вероятность излучения фотона при связывании двух экситонов в биэкситон.
§ 20. Длина свободного пробега биэкситона при рассеянии на акустических фононах
§ 21. Возбуждение биэкситона при поглощении оптического фонона.1^
ВЫВОДЫ.
ГЛАВА 4. НОВЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ СУЩЕСТВОВАНИЕМ ЭКСИТОНОВ БОЛЬШОЙ ПЛОТ
НОСТИ И БИЭКСИТОНОВ.
§ 22. Двухфотонное рамановское рассеяние в кристалле CvCt.
§ 23. Двухфотонное поглощение биэкситоном в кристалле Сивт.
§ 24, Двухфотонное резонансное рамановское рассеяние в Сцвг.
§ 25. Люминесценция из бозе-конденсированного состояния биэкситонов в кристалле GjCt
§ 26. Двухфотонное ДЕухэкситонное поглощение света и бозе-эйнштейновская конденсация экситонов в ОуъО.
§ 27. Правила отбора для излучательной Оже-рекомбинации с участием двух экситонов.
§ 28. Влияние ориентированной деформации и постоянного электрического поля на двухфотонное экситонное поглощение Ov^O.
ВЫВОДЫ.
РАЗДЕЛ II. БИЭКСИТОНЫ И ТРИОНЫ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА.
ГЛАВА 5. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР БИЭКСИТОНОВ И ТРИО НОВ.
§ 29. Эффективный гамильтониан поверхностного биэкситона.
§ 30. Фурье-образ энергии взаимодействия поверхностных экситонов. Смещение экситонного уровня в зависимости от концентрации экситонов
§ 31. Энергия диссоциации биэкситона.
§ 32. Возбужденные состояния поверхностного биэкситона. •
§ 33. Энергия связи триона Х^.
- 5
§ 34. Энергия сеязи отрицательного иона X" ■ (ее&) поверхностного экситона
ВЫВОДЫ.
ГЛАВА б. ДВУХФОТОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЭКСИТОНОВ И БИЭКСИТОНОВ.
§ 35. Общая постановка задачи, гамильтониан и волновые функции.
§ 36. Однофотонные прямые разрешенные и запрещенные дипольные переходы.
§ 37. Двухфотонное поглощение поверхностными экситонами.
§ 38. Двухфотонное поглощение поверхностным биэкситоном.
§ 39. Угловые зависимости двухфотонного поглощения поверхностными состояниями.
ВЫВОДЫ.
ТАБЛИЦЫ
РИСУНКИ.