catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл: 
- title:
- Фуксман, Михаил Викторович. Особенности жидкофазного выращивания лазерных InGaAsP/GaAs РО ДГС ( =0.8 мкм) структур ориентации (100) и лазеры на их основе
- university:
- Российская Академия наук. Физ.-техн. ин-т.- Санкт-Петербург
- The year of defence:
- 1992
- brief description:
- Фуксман, Михаил Викторович. Особенности жидкофазного выращивания лазерных InGaAsP/GaAs РО ДГС ( =0.8 мкм) структур ориентации (100) и лазеры на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Российская Академия наук. Физ.-техн. ин-т.- Санкт-Петербург, 1992.- 16 с.: ил. РГБ ОД, 9 92-1/3494-5
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб