Исследование электронных состояний на поверхности теллура при низких температурах Березовец, Вячеслав Анатольевич

brief description

Березовец, Вячеслав Анатольевич.
Исследование электронных состояний на поверхности теллура при низких температурах : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1984. - 185 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Березовец, Вячеслав Анатольевич
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ТЕЛЛУР И ЕГО СВОЙСТВА (обзор) II
§ I.I. Основнаые сведения о теллуре II
§ 1.2. Гальваномагнитные свойства теллура при низких температурах
§ 1.3 Исследование МОП структур на теллуре
ГЛАВА П. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ В Те НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА ОКИСЕЛ-ПОЛУПРОВОДНИК
§ ПЛ. Методика эксперимента
§ П.2. Экспериментальные результаты измерений C(l)~ и JМ-характеристик и определение параметров
ГЛАВА Ш. ИССЛЕДОВАНИЕ ГМЬВАНОМАГНИТНЫХ СВОЙСТВ ОБОГАЩЕННОГО СЛОЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ТЕЛЛУРА В КВАНТУЮЩИХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
§ Ш.1. Методика эксперимента
§ Ш.2. Сильные квантующие магнитные поля. Экспериментальные результаты и их анализ
ГЛАВА 1У.КЛАССИЧЕСКИ СЛАШЕ МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ (<^«1).
ИССЛЕДОВАНИЕ КВАНТОВЫХ ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫХ ЭФФЕКТОВ НА ОБРАЗЦАХ Те С АС ПРИ СВЕРХНИЗКИХ
ДО 0,4 К) ТЕМПЕРАТУРАХ
§ 1У.1. Анализ зависимости квантовых поправок к двумерной проводимости вырожденных носителей от температуры и магнитног» поля
§ 1У.2. Обзор экспериментальных работ по исследованию квантовых поправок к двумерной проводимости
§ 1У.З. Квантовые поправки к проводимости двумерных дырок в теллуре.
§ 1У.4. Результаты измерений магнитосопротивления образцов чистого Те с сильным АС. Предварительный анализ
§ 1У.5. Зависимость квантовых поправок от поверхность ной концентрации в АС и от температуры. Качественное подтверждение формулы (1У.14)
§ ТУ.6. Количественный анализ эффекта АПМС и обсуждение полученных результатов
ВЫВОДЫ