Исследование фотоэлектрических и кинетических характеристик модифицированных сплавов халькогенидов свинца Богоявленский, Владислав Александрович

brief description

Богоявленский, Владислав Александрович.Исследование фотоэлектрических и кинетических характеристик модифицированных сплавов халькогенидов свинца : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.09. - Москва, 2001. - 135 с. : ил.

Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Богоявленский, Владислав Александрович
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ.
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ЗОННАЯ СТРУКТУРА, ПРИМЕСНЫЕ СОСТОЯНИЯ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОДИФИЦИРОВАННЫХ СПЛАВОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА.
1.1 Кристаллическая и зонная структура полупроводников А4В
1.2 Особенности глубоких примесных состояний в сплавах А4В6.
1.3 Создание фото приемных устройств на основе материалов А4 В6.
ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ОБРАЗЦЫ.
2.1 Методики синтеза и структурный анализ образцов.
2.1 Л Получение эпитаксиальнфх. пленок
РЬТе(Оа) и РЬ [ ху5пхОеуТс(1п) методом «горячей стенки».
2.1.2 Синтез монокристаллов РЬТе(Са) методом «пар-жидкость-кристалл».
2.1.3 Исследование структурных параметров образцов.
2.2 Устройство низкотемпературной камеры и монтаж образцов.
2.3 Описание и блок-схемы экспериментальных установок.
2.4 Оценка ошибок измерений.
ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И КИНЕТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК
ТЕЛЛУРИДА СВИНЦА, ЛЕГИРОВАННОГО ГАЛЛИЕМ.
3.1 Свойства образцов пленок п-РЬТе(Оа) в диэлектрическом состоянии • • • 53 ЗЛ.ЬСпектры фотопроводимости и температурные зависимости удельного сопротивления при экранировании и ИК-подсветке.
3.1.2 Кинетика переходных процессов при релаксации.
3.1.3 Определение параметров неравновесных носителей заряда.
3.1.4 Обсуждение кинетических зависимостей фотопроводимости.
3.2 Свойства образцов пленок п-РЬТе(Са) в металлическом состоянии.
3.2.1 Температурные зависимости удельного сопротивления образцов с эффектом отрицательной фотопроводимости.
3.2.2 Кинетика релаксации отрицательной фотопроводимости.
3.2.3 Теория отрицательной фотопроводимости: Модель примесного уровня двухвалентного атома Оа" на фоне разрешенных состояний ■ • • ■
ГЛАВА IV. ОСОБЕННОСТИ КИНЕТИКИ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ МЕТАСТАБИЛЬНЫМИ ПРИМЕСНЫМИ СОСТОЯНИЯМИ ИНДИЯ, В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ ТЕЛЛУРИДОВ СВИНЦА-ОЛОВА-ГЕРМАНИЯ.
4.1 Температурные зависимости удельного сопротивления.
4.2 Переходные процессы при ИК-подсветке, явление низкотемпературной неустойчивости (бистабильности) фотоотклика образцов.
4.3 Кинетические явления, обусловленные метастабильными примесными состояниями: Пики термостимулированных токов.
ГЛАВА V. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И ВОЛЬТ
АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БАРЬЕРА ШОТТКИ
НА КОНТАКТЕ ИНДИЙ - ТЕЛЛУРИД СВИНЦА.
5.1 Температурные зависимости сопротивления омического
Р1— [р-РЬТе(Оа)]) и неомического (1п— [р-РЬТе(Оа)]) контактов.
5.2 Вольт-амперные характеристики контакта 1п—[р-РЬТе(Са)] при экранировании и ИК-подсветке.
5.3 Теория неомического контакта 1п—[р-РЬТе(Са)].