Механизмы электропроводности и оптические характеристики Cu2ZnSnS4 и Cu2SnS3, полученных термическим разложением прекурсоров в вакууме Нгуен Тхи Тхам Хонг

brief description

Нгуен, Тхи Тхам Хонг.
Механизмы электропроводности и оптические характеристики Cu2ZnSnS4 и Cu2SnS3, полученных термическим разложением прекурсоров в вакууме : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Нгуен Тхи Тхам Хонг; [Место защиты: ФГБОУ ВО «Юго-Западный государственный университет»]. - Белгород, 2020. - 167 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Нгуен Тхи Тхам Хонг
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1 Общие характеристики полупроводников используемых для создания солнечных элементов
1.1.1 Основные параметры при оценке качества солнечных элементов
1.1.2 Оптимальная ширина запрещенной зоны для материалов солнечных батарей
1.1.3 Оптическое поглощение в полупроводниковых тонких пленках
1.2 Основные физико-химические свойства четверного полупроводникового материала Сщ/пБ^
1.2.1 Кристаллическая структура Си2/п8пБ4
1.2.2 Оптические свойства Си27п8пБ4
1.2.3 Электрические свойства Си27п8пБ4
1.3 Основные физико-химические свойства тройных полупроводниковых материалов Си28пБ3
1.3.1 Кристаллическая структура Сщ8п83
1.3.2 Оптические свойства СщБпБз
1.3.3 Электрические свойства Си^пБз
1.4 Методы получения Си2/п8п84 и С^Б^э
1.4.1 Электронно - лучевое напыление с последующей сульфуризацией
1.4.2 Магнетронное напыление с последующей сульфуризацией
1.4.3 Растворно-термический синтез
1.4.4 Метод «спрей-пиролиз»
1.4.5 Спин-технология нанесения покрытия
1.4.6 Золь - гель метод
1.5 Выводы к главе 1 и постановка задач исследований
ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ ПОЛУЧЕННЫХ ОБРАЗЦОВ И С^Б^в
2.1 Рентгеновский дифракционный анализ
2.2 Рамановская спектроскопия (спектроскопия комбинационного рассеяния)
2.3 Растровая электронная микроскопия
2.4 Просвечивающая электронная микроскопия
2.5 Исследование эффекта Холла
ГЛАВА 3. СИНТЕЗ И ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНЫХ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СТАННИТА Си2^п8п84
3.1 Синтез объемных и тонкоплёночных образцов станнита Си27п8п84
3.2 Исследование свойств объёмных образцов Си27п8п84
3.2.1 Исследование структуры, элементного и фазового состава образцов Си^п8п84
3.2.2 Исследование электрических свойств четверного соединения Си27п8п84
3.3 Исследование свойств тонких пленок Си27п8п84
3.3.1 Влияние температуры подложки на структуру и морфологию поверхности осажденных пленок Си27п8п84
3.3.2 Влияние температуры подложки и времени напыления на оптические свойства осажденных пленок Си27п8п84
3.3.3 Влияние процесса сульфуризации на ширину запрещенной зоны осажденных пленок Си27п8п84
3.4 Выводы к главе
ГЛАВА 4. СИНТЕЗ И ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРНЫХ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТРОЙНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА Сш8п83
4.1 Синтез объемных и тонкоплёночных образцов Си28п8з
4.2 Исследование свойств объёмных образцов Си28п83
4.2.1 Исследование структуры, элементного и фазового состава образцов Сщ8п83
4.2.2 Исследование электрических свойств тройного соединения Си28п83
4.3 Исследование свойств тонких пленок Си28п83
4.3.1 Влияние температуры подложки на структуру и морфологию поверхности осажденных пленок Си28п83
4.3.2 Влияние процесса сульфуризации на ширину запрещенной зоны осажденных пленок Си28п83
4.4 Выводы к главе
ГЛАВА 5. ЭЛЕКТРОННАЯ ЗОННАЯ СТРУКТУРА И ОСНОВНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР КЕСТЕРИТА И СТАННИТА Сщгп8п84:
РАСЧЕТЫ ИЗ ПЕРВЫХ ПРИНЦИПОВ
5.1 Детали расчетов из первых принципов
5.2 Структурные и энергетические зонные характеристики
5.3 Оптические характеристики
5.4 Выводы к главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ОСНОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ