Поверхностная миграционная нестабильность МДП - структур Славова, Магдалена Ламбова

brief description

Славова, Магдалена Ламбова.
Поверхностная миграционная нестабильность МДП - структур : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 1985. - 136 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Славова, Магдалена Ламбова
ВВВДЕБИЕ.
Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ. II
1.1. Общие представления физики ВДП-структур . II
1.1.1. Область пространственного заряда на поверхности полупроводника . II
1.1.2. Основные характеристики МИД-структуры . II
1.1.3. МЩ-транзистор.
1.2. Влияние ионной миграции на функционирование полупроводниковых приборов.
1.2.1. Биполярные приборы
1.2.2. Униполярные приборы.
1.2.3. Способы борьбы с поверхностной миграционной нестабильностью ЩП-структур.
1.2.3.а. Способы борьбы с нежелательными последствиями поверхностной миграции ионов.
1.2.3.6. Способы предотвращения поверхностной ионной миграции
1.3. Математические модели поверхностной миграционной нестабильности.
1.3.1. Миграция ионов при произвольном соотношении концентрации индуцированных и начальных ионов.
1.3.2. Диффузионная модель поверхностной миграционной нестабильности
1.3.3. Дрейфовая модель поверхностной миграционной нестабильности.
1.4. Экспериментальное исследование поверхностной миграционной нестабильности ЩЛ-структур
1.4.1. Экспериментальное наблюдение ионной миграции.
1.4.2. Методы определения параметров ионного дрейфа.
1.5. Природа мигрирующего заряда.
1.5.1. Гидратный покров окисла.
1.5.2. Протонные процессы в ЩЩ-системе.
1.5.3. Химически-чувствительные приборы.
1.6. Анализ литературы и постановка задачи
Глава П. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ МЕТОДИКА.
2.1. Метод исследования. Тестовые структуры.
2.2. Метод определения значения потенциала поверхности диэлектрика.
2.3. Измерительная установка.
2.4. Стандартизация условий измерения.
Глава Ш. ЭКСЖРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЙ
МИГРАЦИОННОЙ НЕСТАБИЛЬНОСТИ В СРЕДАХ С ПОВЫШЕННОЙ ВЛАЖНОСТЬЮ.
3.1. Кинетика распространения потенциала по поверхности диэлектрического слоя ЩП-структуры.
3.2. Стационарное распределение потенциала по поверхности диэлектрического слоя ВДП-структуры.
3.3. Термические эффекты в поверхностной миграционной нестабильности ВДП-структур.
3.4. О возможности прогнозирования кинетики распространения потенциала по поверхности диэлектрика.
Глава 17. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИГРАЦИОННОЙ НЕСТАБИЛЬНОСТИ В С РЖАХ С НИЗКОЙ ВЛАЖНОСТЬЮ.
4.1. Обоснование методики уширения инверсионного канала.
4.1.1. О кинетике распространения потенциала по поверхности диэлектрика
4.1.2. Ток инверсионного канала ЩП-транзистора
4.1.3. Экспериментальное апробирование методики
Глава У. О СПОСОБАХ СНИЖЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИГРАЦИОННОЙ
НЕСТАБИЛЬНОСТИ.
5.1. Изотопный эффект в поверхностной миграционной нестабильности
5.2. О влиянии адсорбции паров пиридина на поверхностную подвижность протонов.
5.3. Снижение поверхностной подвижности протонов на поверхности 3ь02 в результате облучения низкоэнергетическими электронами
5.3.1. Зависимость темпа миграции ионов от энергии электронов.
5.3.2. Зависимость темпа миграции ионов от дозы облучения.
ВЫВОДЫ.