Салех М М Журбан. Елементи та пристрої автоматики на базі потенційно-нестійких двозатворних напівпровідникових структур Шоттки

brief description

Салех М М Журбан. Елементи та пристрої автоматики на базі потенційно-нестійких двозатворних напівпровідникових структур Шоттки. : Дис... канд. наук: 05.13.05 2007
Салех М М Журбан. Елементи та пристрої автоматики на базі потенційно-нестійких двозатворних напівпровідникових структур Шоттки. Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.13.05 Елементи та пристрої обчислювальної техніки та систем керування. Вінницький національний технічний університет, Вінниця 2007.
У дисертації, на базі проведеного аналізу сучасних досягнень побудови елементів і пристроїв автоматики на базі напівпровідникових структур Шоттки, показано перспективність застосування з цією метою двозатворних напівпровідникових структур Шоттки, що є багатофункціональними електронними приладами. Їхнє використання в режимі потенційної нестійкості дозволяє покращити технічні характеристики ряду елементів і пристроїв автоматики. Вперше розроблено узагальнену імітансну математичну модель двозатворної напівпровідникової структури Шоттки, що забезпечує проведення її досліджень, як 18 узагальнених перетворювачів імітансу в частотній області при будь-яких значеннях імітансу, що перетворюється. Вперше отримано аналітичні залежності робочих параметрів польових структур Шоттки в областо потенційної нестійкості від частоти імітансів, що перетворюються, і визначені умови реалізації на їх основі високодобротних аналогів індуктивності і керуючих елементів. Одержала подальший розвиток теорія оцінки ефективності керуючих елементів на базі узагальнених перетворювачів імітансу, що використовують потенційно-нестійкі двозатворні польові структури Шоттки. Вперше досліджено імітансні параметри 18 чотириполюсників на базі двозатворних транзисторів Шоттки, що дозволили виявити їх властивості, як узагальнених перетворювачів імітансу і визначити умови потенційної нестійкості. Розроблено і досліджено схему включення двозатворної потенційно-нестійкої структури Шоттки, що забезпечує реалізацію напівпровідникового еквівалента індуктивності у виглді напівпровідникової мікросхеми в широкому діапазоні частот. Вперше розроблено схеми комбінованих динамічних негатронів на базі ПТШ2. Розроблено і досліджено схеми активних однокристальних фільтрів, що здатні працювати на частотах у кілька десятків гігагерц. Досліджено імпедансні керуючі елементи на базі узагальнених перетворювачів імітансу на базі потенційно-нестійких структур Шоттки, що забезпечують у кілька разів більше значення коефіцієнта керування, у порівнянні з керуючими елементами на базі варикапів і р-і-n діодів.