catalog / TECHNICAL SCIENCES / Technology and equipment for the production of materials and electronic devices
скачать файл: 
- title:
- Санина Виктория Вячеславовна Исследование зарядового состояния ионов хрома и возможных механизмов его формирования в кристаллах форстерита
- Альтернативное название:
- Саніна Вікторія В'ячеславівна Дослідження зарядового стану іонів хрому та можливих механізмів його формування у кристалах форстериту
- The year of defence:
- 2019
- brief description:
- Санина Виктория Вячеславовна Исследование зарядового состояния ионов хрома и возможных механизмов его формирования в кристаллах форстерита
ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
кандидат наук Санина Виктория Вячеславовна
Введение
1. Обзор литературы
1.1 Потенциальные области применения лазеров на кристаллах хром-форстерита
1.2 Генерационные характеристики хром-форстеритовых лазеров и история достижений этих характеристик
1.3 Состав, структура и физико-химические свойства форстерита
1.3.1 Точечные дефекты в кристаллах форстерита
1.3.2 Фазовая диаграмма
1.4 Недостатки хром-форстерита как лазерного кристалла
1.4.1 Развитая безызлучательная многофононная релаксация
1.4.2 Малый стоксов сдвиг между поглощением и люминесценцией
1.4.3 Технологически устранимые недостатки
1.5 Изученные пути устранения недостатков хром-форстерита
1.6 Выводы из обзора литературы
2. Материалы и методы исследования
2.1 Материалы и реактивы
2.2 Подготовка образцов
2.2.1 Рост
Ориентация
Резка
2.2.4 Шлифовка и полировка
свете
2
Измерение спектров оптического поглощения в поляризованном
2.4 Разложение спектров поглощения на элементарные гауссианы
2.5 Отжиг кристаллов
2.6 Рентгеноспектральный микроанализ
2.7 Измерение гидростатической плотности
2.8 Рентгено-фазовый анализ
2.9 Расчет параметров элементарной ячейки
2.10 Проведение лазерного генерационного эксперимента
2.11 Измерение кинетики затухания люминесценции
3. Выращивание кристаллов в различных атмосферах и с дополнительными примесями и их исследование
3.1 Рост и характеризация кристаллов
3.2 Исследование кристаллов Сг, Sc: Mg2SiO4
3.3 Измерение кинетики затухания кристаллов
4. Длительный высокотемпературный окислительный отжиг кристаллов Сг: Mg2SiO4
5. Кристаллы Cг:Mg2SiO4, выращенные из нестехиометрических расплавов
6. Выводы работы
7. Список используемой литературы
Введение
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб