|
Всего работ:1879
651. Зыков Алексей Владимирович. Исследование неупругого рассеяния быстрых электронов на внутренних оболочках атомов гетерокомпозиций
Год: 2006 652. Каданцев Алексей Васильевич. Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников
Год: 2006 653. Камалудинова Халимат Эхоевна. Термоактивационные процессы с участием медленных электронных ловушек в халькогенидах цинка
Год: 2006 654. Кастро Арата Рене Алехандро. Двухэлектронные примесные центры с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидных структурно-разупорядоченных полупроводниках
Год: 2006 655. Качоровский Валентин Юрьевич. Аномальный транспорт и спиновая динамика в двумерных полупроводниковых системах
Год: 2006 656. Каштанкин Илья Александрович. Моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
Год: 2006 657. Кенгерлинский, Лятиф Юлдуз оглы. Колебательные спектры сложных халькогенидных соединений
Год: 2006 658. Клюхина Юлия Вячеславовна. Оптическая неоднородность кристаллов лангасита
Год: 2006 659. Колесникова Анна Алексеевна. Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si
Год: 2006 660. Комков Олег Сергеевич. Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения
Год: 2006 661. Криворучко Артем Александрович. Моделирование диффузии примесей в полупроводниках при неравновесных условиях
Год: 2006 662. Курятков Владимир Вениаминович. Разработка и исследование электрических и оптических характеристик фотодетекторов ультрафиолетового диапазона спектра на основе твердых растворов Al(x)Ga(1-x)N
Год: 2006 663. Логозинская, Елена Станиславовна. Люменесценция и фотоэлектрические свойства полупроводниковых монокристаллов La2S3 и La2O2S, легированных редкоземельными ионами
Год: 2006 664. Ломов Андрей Александрович. Развитие рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии высокого разрешения для исследования многослойных гетероструктур
Год: 2006 665. Лонская Екатерина Ивановна. Отражение света в полупроводниковых гетероструктурах при воздействии модулированным электрическим током
Год: 2006 666. Любинский Илья Семенович. Эффекты памяти в спиновой динамике двумерных электронов
Год: 2006 667. Макаренко Владимир Александрович. Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2 (P)-Si
Год: 2006 668. Медведев Павел Георгиевич. Аномальный эффект Косселя в полупроводниковых структурах
Год: 2006 669. Меньшикова Татьяна Геннадьевна. Планарная неоднородность и радиационные эффекты в МДП структурах
Год: 2006 670. Набок, Алексей Васильевич. Процессы переноса и захвата заряда в системе электролит-нитрид кремния-окисел-кремний
Год: 2006 671. Нальгиева Мадина Алихановна. Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства модифицированных пленок a-Si:H
Год: 2006 672. Нестоклон Михаил Олегович. Оптические свойства гетероинтерфейсов типа II в теории сильной связи
Год: 2006 673. Никитина Екатерина Викторовна. Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающие на длине волны 1.3 мкм
Год: 2006 674. Николаенко Андрей Евгеньевич. Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и тв#рдых растворах на его основе
Год: 2006 675. Никольская Людмила Владимировна. Гетероструктуры на основе халькогенидов европия и свинца
Год: 2006 676. Овчаров Владимир Викторович. Особенности концентрационных профилей при неизотермической диффузии в полупроводниках
Год: 2006 677. Павленко Максим Николаевич. Электронные процессы в гетероструктурах на основе монокристаллического кремния и неупорядоченных материалов
Год: 2006 678. Петров Павел Вячеславович. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs
Год: 2006 679. Погосов Артур Григорьевич. Кинетические явления в твердотельных электронных биллиардах
Год: 2006 680. Полетаев Николай Константинович. Экситонная фотолюминесценция арсенида галлия высокой степени чистоты
Год: 2006 681. Потанахина Любовь Николаевна. Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN
Год: 2006 682. Путято Михаил Альбертович. Встраивание мышьяка и фосфора при молекулярно-лучевой эпитаксии твёрдых растворов (AIII)PxAs1-x
Год: 2006 683. Рембеза Екатерина Станиславовна. Структура и электрофизические свойства полупроводниковых металлооксидных нанокомпозитов при взаимодействии с газами
Год: 2006 684. Савельев Артем Владимирович. Спектроскопия самоорганизующихся INAS/GAAS квантовых точек в полупроводниковых лазерных структурах
Год: 2006 685. Савинов Иван Сергеевич. Функциональные характеристики элементов энергонезависимой памяти на основе халькогенидных полупроводников
Год: 2006 686. Сдобняков Виктор Владимирович. Радиационно-стимулированное формирование нитрида кремния в кремнии при последовательном облучении встречными пучками ионов азота и аргона
Год: 2006 687. Седова Ирина Владимировна. Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике
Год: 2006 688. Семенов Алексей Николаевич. Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства низкоразмерных гетероструктур на основе узкозонных соединений A3B5
Год: 2006 689. Сизов Дмитрий Сергеевич. Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
Год: 2006 690. Сизов Сергей Викторович. Электронные процессы в системе Me-Ga2Se3-(SiOx)Si с различными металлическими контактами
Год: 2006 691. Стародубцев Александр Александрович. Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs
Год: 2006 692. Старчук Александр Сергеевич. Проявление электрон-фононного взаимодействия в квантово-размерных структурах
Год: 2006 693. Стукова Елена Владимировна. Поведение сегнетоэлектриков в наноразмерных силикатных матрицах
Год: 2006 694. Татаринцев Александр Владимирович. Воздействие ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на поверхностные свойства полупроводников
Год: 2006 695. Требунских Сергей Юрьевич. Особенности электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения
Год: 2006 696. Трифонов Олег Александрович. Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия
Год: 2006 697. Тягинов Станислав Эдуардович. Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si
Год: 2006 698. Хабарова Ксения Юрьевна. Влияние легирования и длительного освещения на плотность электронных состояний в щели подвижности микрокристаллического и аморфного гидрированного кремния
Год: 2006 699. Хамидов Марасилав Магомедович. Структура, параметры и физико-химическая природа центров с глубокими уровнями в соединениях A2B6
Год: 2006 700. Хамидуллин Рустам Ангамович. Кинетические свойства размерно-квантованных систем в электрическом и магнитном полях
Год: 2006 |
