|
Всего работ:1879
901. Тарасов Илья Сергеевич. Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе
Год: 2002 902. Тиллес Ванда Феликсовна. Исследование влияния рентгеновского облучения на релаксационные и переключательные процессы в перовскитоподобных сегнетоэлектриках
Год: 2002 903. Фещенко Игорь Сергеевич. Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами.
Год: 2002 904. Фридман Татьяна Петровна. Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе
Год: 2002 905. Черкашин Николай Анатольевич. Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAs
Год: 2002 906. Шалыгина Ольга Александровна. Оптические свойства квантовых нитей CdSe/Al2 O3 и квантовых точек CdSe/ZnSe
Год: 2002 907. Шляпин Александр Владимирович. Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем
Год: 2002 908. Щербаков Алексей Валерьевич. Люминесцентное детектирование неравновесных фононов в полумагнитных квантовых ямах
Год: 2002 909. Абрамов Алексей Станиславович. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе
Год: 2001 910. Благов Евгений Владимирович. Аддитивная теория силового взаимодействия в атомно-силовой микроскопии и ее приложения в диагностике поверхностных микроструктур
Год: 2001 911. Боженов Александр Вячеславович. Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза
Год: 2001 912. Варавин Василий Семенович. Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии
Год: 2001 913. Воробьёв Александр Борисович. Морфология гетерограниц и транспорт дырок в сверхрешетках GaAs/AlAs(311)А
Год: 2001 914. Воронцов Владимир Анатольевич. Структурная модификация свойств аморфного гидрогенизированного углерода
Год: 2001 915. Галкин Николай Геннадьевич. Полупроводниковые силициды хрома, железа и магния на Si(111)
Год: 2001 916. Гордо Наталья Михайловна. Фотоэлектрические процессы в объемных каналах полупроводниковых структур
Год: 2001 917. Гумаров Габдрауф Габдрашитович. Ионно-лучевой синтез силицидов металлов подгруппы железа в кремнии
Год: 2001 918. Джабраилов Тайяр Акбер оглы. Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии
Год: 2001 919. Жаринова Наталья Николаевна. Исследование явлений самоорганизации при эпитаксии гетероструктур
Год: 2001 920. Жмерик Валентин Николаевич. Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота : Применение для p-легирования ZnSe и роста GaN
Год: 2001 921. Зайцев Роман Владимирович. Эффект позиционного беспорядка и примесное поглощение света в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами и точками
Год: 2001 922. Иванов Павел Анатольевич. Полевые и биполярные приборы на основе карбида кремния
Год: 2001 923. Калитеевская Наталия Алексеевна. Взаимодействие вакуумного ультрафиолетового излучения с тонкими неорганическими пленками
Год: 2001 924. Колобаев Виктор Валентинович. Исследование тонкопленочных структур на основе CdTe и их применение в солнечных батареях
Год: 2001 925. Кудряшов Владимир Евгеньевич. Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
Год: 2001 926. Кузнецов Сергей Викторович. Фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного бором
Год: 2001 927. Львов Павел Евгеньевич. Термодинамика образования дефектов в полупроводниках с учетом кластеризации в жидкой и газовой фазах
Год: 2001 928. Нагорнов Юрий Сергеевич. Электронно-стимулированные изменения состава поверхности и фотолюминесценции кремниевых и карбидкремниевых наноразмерных структур
Год: 2001 929. Потапова Дарья Александровна. Кинетические коэффициенты прыжкового переноса и плотность электронных состояний в неупорядоченных системах с сильной локализацией носителей заряда
Год: 2001 930. Приходько Олег Владимирович. Моделирование и экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии
Год: 2001 931. Ромашко Лариса Николаевна. Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
Год: 2001 932. Субач Сергей Владимирович. Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs
Год: 2001 933. Тарасов Сергей Анатольевич. Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A III B V для селективных фотоприемников
Год: 2001 934. Тимошенко Виктор Юрьевич. Фотоиндуцированные электронные процессы и структурные перестройки в полупроводниковых системах пониженной размерности
Год: 2001 935. Титков Илья Евгеньевич. Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs
Год: 2001 936. Усачев Павел Анатольевич. Влияние подпороговых мод на шум интенсивности излучения полупроводникового лазера
Год: 2001 937. Фроленкова Лариса Юрьевна. Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами
Год: 2001 938. Черемухина Ирина Анатольевна. Анализ областей несмешиваемости квазибинарных твердых растворов III-V и II-VI групп
Год: 2001 939. Шайблер Генрих Эрнстович. Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения
Год: 2001 940. Юрченко Алексей Васильевич. Планарная неоднородность фоточувствительности кремниевых фотоэлектрических преобразователей
Год: 2001 941. Якимов Андрей Иннокентьевич. Электронные явления в массивах квантовых точек германия в кремнии
Год: 2001 942. Абдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат. Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
Год: 2000 943. Аветисян, Артак Араевич. Влияние непараболичности закона дисперсии носителей заряда на примесные состояния в низкоразмерных полупроводниковых системах
Год: 2000 944. Агасян, Мгер Мартиросович. Теоретическое исследование зонной структуры и оптических и кинетических свойств квазиодномерных электронных систем
Год: 2000 945. Акимов, Илья Андреевич. Свойства горячих электронов в квантовых ямах и сверхрешетках GaAs/Al x Ga1-x As
Год: 2000 946. Александрович, Елена Викторовна. Стеклообразование и электропроводность в халькогенидных системах
Год: 2000 947. Алешин, Алексей Николаевич. Фотоэлектрические свойства пленок сульфида свинца с различным потенциальным рельефом зон
Год: 2000 948. Ардышев Михаил Вячеславович. Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
Год: 2000 949. Асатрян, Рубен Симонович. Оптоэлектронные методы исследования полей излучения
Год: 2000 950. Астахов, Георгий Владимирович. Экситон-электронное взаимодействие в модулированно-легированных квантовых ямах на основе полупроводников А2В6
Год: 2000 |
