|
Всего работ:1879
501. Панютин Евгений Анатольевич. Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпитаксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства
Год: 2009 502. Прудаев Илья Анатольевич. Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr
Год: 2009 503. Разжувалов Александр Николаевич. Туннельные явления в напряженных вюртцитных гетероструктурах с сильными встроенными полями
Год: 2009 504. Родионов Николай Викторович. Влияние водорода на электрофизические свойства германия в системе полупроводник-электролит
Год: 2009 505. Сабитов Олег Юрьевич. Электрофизические и излучательные процессы в пленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка
Год: 2009 506. Сивакова Ксения Петровна. Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация
Год: 2009 507. Соболев Николай Алексеевич. Физические основы инженерии дефектов в технологии кремниевых силовых высоковольтных и светоизлучающих структур
Год: 2009 508. Солонин Александр Павлович. Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами
Год: 2009 509. Спицын Алексей Сергеевич. Оптические свойства фотонных кристаллов и волноведущих структур на их основе
Год: 2009 510. Тарасенко Сергей Анатольевич. Спиновые и фотогальванические эффекты в полупроводниковых гетероструктурах
Год: 2009 511. Хабибуллин Илдар Хайдарович. Исследование электронных и магнитных свойств многокомпонентного магнитного полупроводника CuFeS2
Год: 2009 512. Харламов Фёдор Владимирович. Математические модели процессов, протекающих на границе "полупроводник - газ" и межфазных границах структуры "металлическая плёнка - полупроводник", помещённой в активный газ
Год: 2009 513. Хвостикова Ольга Анатольевна. Фотоэлектрические преобразователи излучения на основе узкозонных полупроводников (GaSb, Ge, InAs)
Год: 2009 514. Хосам Елдин Хелми Фатхалла Хегази. Собственное оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов полупроводников A3B5
Год: 2009 515. Чиненков Максим Юрьевич. Процессы намагничивания, спинового транспорта и спиновой динамики в наноразмерных планарных структурах с ферромагнитными слоями
Год: 2009 516. Чусовитин Евгений Анатольевич. Формирование и свойства наногетероструктур на основе кремния и дисилицида железа
Год: 2009 517. Чучева Галина Викторовна. Электронно-ионное взаимодействие и туннельный эффект в кремниевых структурах металл–окисел–полупроводник
Год: 2009 518. Шашкин Владимир Иванович. Нелинейные транспортные эффекты в селективно легированных гетероэпитаксиальных микроструктурах металл-полупроводник
Год: 2009 519. Шмидт Екатерина Вадимовна. Исследование квадрупольных эффектов в спектрах ЯМР 63Cu, 115In, 69Ga полупроводниковых соединений со структурой халькопирита
Год: 2009 520. Шмидт Наталия Михайловна. Полупроводниковые самоорганизованные наноматериалы - нелинейные системы с фрактальной размерностью
Год: 2009 521. Юкечева Юлия Сергеевна. Оболочки с двумерным электронным газом и их магнитотранспортные свойства
Год: 2009 522. Агаларов Агалар Шахэмирович. Диэлектрическая релаксация и процессы переключения в сегнетоэлектриках в быстронарастающих сильных электрических полях
Год: 2008 523. Азатьян Сергей Геннадьевич. Формирование тонких пленок и наноструктур в системе Mn/Si(111)
Год: 2008 524. Аракчеева Екатерина Михайловна. Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений AIIIBV, полученные методом реактивного ионного травления
Год: 2008 525. Аржанникова София Андреевна. Электропроводность тонких диэлектрических пленок с нанокристаллами кремния
Год: 2008 526. Воронцов Александр Сергеевич. Управление концентрацией свободных носителей заряда в кремниевой наноструктуре
Год: 2008 527. Горлачев Егор Сергеевич. Морфологические свойства нано- и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния
Год: 2008 528. Грешнов Андрей Анатольевич. Целочисленный квантовый эффект Холла и циклотронный резонанс в двумерном электронном газе с разъединенными уровнями Ландау
Год: 2008 529. Григорьев Леонид Владимирович. Исследование ловушек и электронного транспорта в оксидокремниевых композитах
Год: 2008 530. Грозная Елена Владимировна. Электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах, связанный с эффектом фотонного увлечения и диссипативным туннелированием
Год: 2008 531. Демин Вячеслав Александрович. Исследование фотосенсибилизированной генерации синглетного кислорода в ансамблях кремниевых нанокристаллов
Год: 2008 532. Евлюхин Андрей Борисович. Взаимодействие полупроводников и систем, содержащих наночастицы, с электромагнитным полем
Год: 2008 533. Заварин Евгений Евгеньевич. Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений
Год: 2008 534. Зиновьева Айгуль Фанизовна. Спиновая релаксация в массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек
Год: 2008 535. Зобов Марат Евгеньевич. Влияние внутренних электрических и упругих полей моно-, микро- и нанокристаллов на характеристические параметры глубоких центров в халькогенидах цинка
Год: 2008 536. Игнатьев Иван Владимирович. Энергетическая и спиновая динамика носителей в полупроводниковых квантовых точках
Год: 2008 537. Калагин Александр Константинович. Электронный транспорт в GaAs/AlAs гетероструктурных при большом числе заполненных уровнений Ландау
Год: 2008 538. Кацоев Валерий Витальевич. Разработка и исследование арсенидгаллиевых детекторов ионизирующих излучений с разделенными областями накопления и считывания заряда
Год: 2008 539. Кацоев Леонид Витальевич. Разработка базовых функциональных структур для детекторного модуля ионизирующих излучений
Год: 2008 540. Келбиханов Руслан Келбиханович. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля
Год: 2008 541. Кислякова Анна Юрьевна. Полупроводниковые лазеры среднего инфракрасного диапазона, работающие на модах шепчущей галереи
Год: 2008 542. Котельников Игорь Николаевич. Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAs
Год: 2008 543. Кузьменков Александр Георгиевич. Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры на основе самоорганизующихся квантоворазмерных гетероструктур в системе материалов InGaAs-AlGaAs
Год: 2008 544. Матиева Тоита Ахметовна. Закономерности оптических и колебательных спектров твердых растворов Ti1-xCuxInS2(0X0,015)
Год: 2008 545. Мидерос Мора Даниэль Алехандро. Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории непересекающихся зон : на примере системы ZnS-ZnSe
Год: 2008 546. Мицук Сергей Васильевич. Особенности резистивных и гальваномагнитных явлений в анизотропных полупроводниках
Год: 2008 547. Мишустин Владислав Геннадьевич. Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников
Год: 2008 548. Московский Сергей Борисович. Светоэкситоны и неклассические интегральные эффекты в спектрах оптических функций отклика полупроводниковых кристаллов
Год: 2008 549. Пахневич Андрей Александрович. Вклады поверхностных и объёмных состояний в фотоэмиссии электронов из p+-GaAs(Cs,O) и p-GaN(Cs,O)
Год: 2008 550. Петров Анатолий Арсеньевич. Гетерофазные границы в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе
Год: 2008 |
