|
Всего работ:1879
1251. Сидорова-Бирюкова, Анна Алексеевна. Процессы дефектообразования и деградации параметров в кремниевых биполярных структурах при импульсном лазерном облучении
Год: 1997 1252. Соломкин, Федор Юрьевич. Нанесение коммутационных и антидиффузионных слоев на силициды переходных металлов и кремний
Год: 1997 1253. Стефанович, Генрих Болеславович. Переход металл-изолятор в пленочных структурах на основе оксидов переходных металлов
Год: 1997 1254. Стриха, Максим Витальевич. Оптические и рекомбинационные переходы в полупроводниках с дефектами, деформациями и неоднородностями состава
Год: 1997 1255. Стрыгин, Владимир Дмитриевич. Энергетический спектр и электрофизические свойства переходных слоев в гетероструктурах GaAs-A23 B36
Год: 1997 1256. Сулимов, Владимир Борисович. Точечные дефекты в диоксиде кремния, исследование с помощью численного моделирования
Год: 1997 1257. Супрун, Сергей Петрович. Особенности формирования гетерограниц в системах Ge-ZnSe-GaAs и Pt-Si
Год: 1997 1258. Таперо, Татьяна Юрьевна. Радиационные эффекты в активных областях кремниевых фотоприемных структур
Год: 1997 1259. Тер-Мартиросян, Александр Леонович. Исследование излучательных характеристик мощных полупроводниковых лазеров, лазерных линеек и фазированных лазерных решеток
Год: 1997 1260. Третьяков, Владимир Владимирович. Рентгеноспектральный микроанализ пленочных ВТСП материалов на основе Y-Ba-Cu-O
Год: 1997 1261. Трифаненко, Дмитрий Николаевич. Эффект Фарадея в полумагнитных полупроводниках типа AII1-xMxBVI
Год: 1997 1262. Трусова, Алла Юрьевна. Электрофизические свойства кремниевых МПД-структур с оксидом самария и иттербия в качестве диэлектрика
Год: 1997 1263. Тяжлов, Виталий Семенович. Особенности нелинейного поведения арсенидгаллиевого полевого транзистора с барьером Шотки, работающего в режиме усиления
Год: 1997 1264. Уваров, Евгений Иванович. Разработка неразрушающих автоматизированных методов исследования полупроводников и полупроводниковых структур
Год: 1997 1265. Филатов, Дмитрий Олегович. Диагностика квантоворазмерных гетероструктур GaAs/InхGa1-xAs методом спектроскопии конденсаторной фотоэдс
Год: 1997 1266. Филипп, Андрей Романович. Катодолюминесйенйия алмаза, имплантированного ионами высоких энергий
Год: 1997 1267. Хвальковский, Николай Аркадьевич. Медленная релаксация примесного возбуждения в легированных полупроводниках
Год: 1997 1268. Хохлов, Дмитрий Александрович. Модификация структуры и свойств аморфного кремния при ионной имплантации и отжиге
Год: 1997 1269. Храпко, Ростислав Радиевич. Формирование заготовок волоконных световодов методом легирования кварцевого стекла азотом, изучение их свойств
Год: 1997 1270. Шаварова, Ганна Петровна. Влияние дефектов структуры на электрические и оптические свойства монокристаллов CdS и AgхGaхGe1-хSe2
Год: 1997 1271. Шадрин, Евгений Борисович. Оптика фазовых превращений и электретных состояний в оксидах переходных металлов
Год: 1997 1272. Шалимова, Маргарита Борисовна. Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ
Год: 1997 1273. Шарафутдинова, Влада Владиславовна. Влияние факторов космического пространства на накопление собственных дефектов в оксиде цинка и терморегулирующих покрытиях на его основе
Год: 1997 1274. Шемонаев, Николай Викторович. Релаксационные процессы в электретных пленках политетрафторэтилена и стабилизация параметров приборов на их основе
Год: 1997 1275. Шлыков, Юрий Геннадьевич. Образование структур дефектов на поверхности полупроводников под действием мощного лазерного излучения
Год: 1997 1276. Шостак, Юрий Антонович. Диэлектрические свойства соединений А2В6 с переходными материалами
Год: 1997 1277. Шох, Владимир Федорович. Электрофизические и рекомбинационные свойства трансмутационно легированных монокристаллов и эпитаксиальных слоев арсенида галлия
Год: 1997 1278. Щедрина, Наталия Васильевна. Теория корреляционных эффектов при фазовых переходах в твердых телах
Год: 1997 1279. Щербакова, Елена Владимировна. Некоторые аспекты влияния нейтронного облучения на диэлектрические и оптические свойства керамических материалов в видимой, УФ и ИК - областях
Год: 1997 1280. Абдель Монем, Абдель Вахаб Ибрагим. Влияние термообработок и гамма облучения на свойства поликристаллических пленок CdGa2S4
Год: 1996 1281. Абрамян, Юрий Арсенович. Электрофизические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых материалов и приборов на основе легированного кремния и соединений А4В6
Год: 1996 1282. Алексеев, Александр Евгеньевич. Структурные свойства поверхностного нарушенного слоя монокристаллов кремния
Год: 1996 1283. Алексеенко, Маргарита Васильевна. Кинетика нейтронного легирования германия и его электрофизические свойства
Год: 1996 1284. Амброзевич, Александр Сергеевич. Дефектообразование в фосфидогаллиевых светодиодных структурах зеленого свечения при воздействии внешних факторов
Год: 1996 1285. Андриевский, Богдан Викторович. Оптико-электронные спектры кристаллов с фазовыми переходами в областях прозрачности и фундаментального поглощения
Год: 1996 1286. Базиевна, Наталья Ерахцаовна. Синтез аморфного гидрогенизированного углерода, легированного медью
Год: 1996 1287. Барышев, Михаил Геннадьевич. Размерные эффекты в слоистых полупроводниковых структурах с распределенным р +-n-переходом
Год: 1996 1288. Березовский, Михаил Михайлович. Влияние изовалентной примеси кадмия на физические свойства кристаллов селенида цинка
Год: 1996 1289. Бокотей, Александр Александрович. Явления переноса и динамика решетки при фазовых переходах в сегнетоэлектриках-полупроводниках типа Sn2P2S6
Год: 1996 1290. Болеста, Иван Михайлович. Электронная структура и оптические спектры примесей в галогенидах типа А2ВХ4 и ВХ2.
Год: 1996 1291. Болотов, Валерий Викторович. Радиационная модификация структур на основе кремния и германия
Год: 1996 1292. Болотов, Леонид Николаевич. Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия поверхностей (III) невырожденного кремния
Год: 1996 1293. Ван Вэньли. Прыжковый перенос по примесям в квантовых ямах
Год: 1996 1294. Ванина, Елена Александровна. Изучение радиационных изменений в керамических диэлектриках методом ИК-спектроскопии
Год: 1996 1295. Векслер, Михаил Исаакович. Исследование физических эффектов, связанных с инжекцией горячих электронов в кремниевых МДП-структурах с туннельно-тонким диэлектриком
Год: 1996 1296. Величко, Олег Иванович. Моделирование процессов совместной диффузии примесных атомов и собственных точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах
Год: 1996 1297. Войцеховская, Оксана Николаевна. Теория спектра квазичастиц, взаимодействующих с фононами в многозонных системах разной размерности
Год: 1996 1298. Вьюн, Владимир Алексеевич. Нелинейные акустоэлектронные явления в слоистых структурах пьезоэлектрик-полупроводник
Год: 1996 1299. Гаджиалиев, Магомед Магомедович. Экспериментальное исследование явлений переноса в полупроводниках в квантующем магнитном поле и при большом градиенте температуры
Год: 1996 1300. Гаджиева, Солтанат Магомедовна. Исследование полупроводниковых термоэлектрических интенсификаторов теплопередачи и разработка устройств для термостабилизации радиоэлектронных систем
Год: 1996 |
