|
Всего работ:1879
1101. Иващук, Ольга Александровна. Математическое моделирование электронного возбуждения полупроводников атомарным водородом
Год: 1998 1102. Ивкин, Андрей Николаевич. Исследование полупроводниковых эпитаксиальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания
Год: 1998 1103. Ильюшонок, Ирина Петровна. Электрофизические свойства ионно-легированных металлфталоцианинов
Год: 1998 1104. Камаев, Геннадий Николаевич. Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом
Год: 1998 1105. Карпасюк, Владимир Корнильевич. Структурные микронеоднородности и междоменное взаимодействие в оксидных ферримагнитных средах
Год: 1998 1106. Кириллов, Борис Адольфович. Получение монокристаллов карбида кремния методом сублимации: моделирование как метод совершенствования технологии
Год: 1998 1107. Клюев, Виктор Григорьевич. Фотостимулированные процессы на поверхностных дефектах широкозонных полупроводников
Год: 1998 1108. Козлова, Елена Ивановна. Свойства полиэтилена, модифицированного ионной имплантацией и последующей диффузией
Год: 1998 1109. Командин, Геннадий Анатольевич. Панорамные спектры легированных диэлектриков в субмиллиметровом и инфракрасном диапазонах волн
Год: 1998 1110. Коненкова, Елена Васильевна. Пассивация поверхности GaAs растворами сульфида натрия и сульфида аммония в спиртах
Год: 1998 1111. Корнейчук, Светлана Константиновна. Фоточувствительный гетеропереход GaAs/CuPc
Год: 1998 1112. Коровкин, Михаил Владимирович. Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках
Год: 1998 1113. Котов, Владимир Михайлович. Акустооптическая брэгговская дифракция многокомпонентного оптического излучения
Год: 1998 1114. Котов, Игорь Александрович. Закономерности формирования и свойства межфазных границ в структурах кремний-диэлектрик
Год: 1998 1115. Кошман, Андрей Ромуальдович. Исследование процессов воздействия атомарного водорода на электрическую прочность кремниевых р-n-перехдов и на границу раздела кремний - диоксид кремния.
Год: 1998 1116. Крестников, Игорь Леонидович. Оптические свойства гетероструктур (Zn, Cd)Se/(Zn, Mg)(S, Se) с массивами квантовых точек
Год: 1998 1117. Кудрявцев, Юрий Алексеевич. Эмиссия вторичных нейтральных частиц при распылении полупроводниковых соединений ионами низких энергий
Год: 1998 1118. Кузьменко, Татьяна Алексеевна. Электронные процессы в полевых гетероструктурах на основе системы Ga2 Se3 Si
Год: 1998 1119. Курбанов, Маликаждар Курбанович. Эпитаксия твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x из газовойфазы и физические свойства гетероструктур на их основе.
Год: 1998 1120. Курбанова, Угилой Хасановна. Автоколебательные процессы в компенсированном кремнии, легированном серой
Год: 1998 1121. Ланкин, Сергей Викторович. Механическое двойникование и его влияние на электрические свойства висмута и его сплавов
Год: 1998 1122. Латышев, Александр Васильевич. Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов
Год: 1998 1123. Лебедев, Александр Александрович. Емкостная спектроскопия карбида кремния
Год: 1998 1124. Лигачев, Валерий Алексеевич. Роль морфологии в формировании электронных спектров, оптических и электрофизических характеристик тонких пленок a-Si: Н, а-С: Н и а-Si1-x Cx : Н
Год: 1998 1125. Личманов, Юрий Олегович. Транспорт носителей в аморфных диэлектриках МДП структур с пространственными неоднородностями
Год: 1998 1126. Лундин, Всеволод Владимирович. Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств
Год: 1998 1127. Магомедова, Патимат Мустафаевна. Ассоциаты точечных дефектов собственной и примесной природы в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe
Год: 1998 1128. Мартынов, Александр Алексеевич. Исследование линейных и нелинейных оптических свойств скандобората церия
Год: 1998 1129. Мирина, Сейед Нуреддин. Разработка технологии получения пленок твердых растворов ZnxCd1-xSe методом испарения исходных соединений в квазизамкнутом объеме и исследования их кристаллической структуры и электрофизических свойств
Год: 1998 1130. Мосин, Юрий Викторович. Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы
Год: 1998 1131. Несмелов, Сергей Николаевич. Релаксационные процессы в Si-МДП-структурах, стимулированные слабым магнитным полем
Год: 1998 1132. Никифорова, Ирина Олеговна. Формирование и исследование зарядовых свойств МДП структур на основе оксида алюминия
Год: 1998 1133. Одноблюдов, Максим Анатольевич. Резонансные состояния в деформированных полупроводниках
Год: 1998 1134. Онаркулов, Каримберди Эгамбердиевич. Исследование влияния внешних воздействий на кинетические процессы в активных элементах пленочных ИК-детекторов на основе солей свинца
Год: 1998 1135. Орлов, Дмитрий Анатольевич. Исследование фотоэмиссии из GaAs с отрицательным электронным сродством методом спектроскопии эмитированных электронов
Год: 1998 1136. Осинский, Андрей Владимирович. Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений
Год: 1998 1137. Петров, Александр Александрович. Влияние молекулярных процессов на зарядовый транспорт в структуре кремний-пористый кремний
Год: 1998 1138. Пивченко, Елена Борисовна. Субструктурные изменения высокоглиноземистых керамических диэлектриков в результате нейтронного облучения
Год: 1998 1139. Питиримов, Алексей Николаевич. Исследование неизотермической электрической релаксации заряда в кристаллах природного алмаза
Год: 1998 1140. Плажченко, Вероника Ивановна. Особенности внутрикристаллического строения монокристаллов твердых растворов висмута с элементами IV и VI групп таблицы Д.И. Менделеева
Год: 1998 1141. Пономарь, Владимир Николаевич. Планаризация диалектрика и повышение термостабильности алюминия при создании интегральных схем
Год: 1998 1142. Птащенко, Федор Александрович. Пространственно-неоднородные рекомбинационные процессы и поляризация излучения в лазерных гетсроструктурах на основе GaAs-AlGaAs.
Год: 1998 1143. Раззаков, Алижон Шоназарович. Исследование условий эпитаксиального роста новых варизонных твердых растворов (Ge2)1-x(ZnSc)x и их некоторых электрических, фотоэлектрических свойств
Год: 1998 1144. Райчев, Олег Эдуардович. Кинетические явления в низкоразмерных электронных системах с туннельной связью
Год: 1998 1145. Резванов, Ренат Рашитович. Катодолюминесценция полумагнитных полупроводников на основе А2В6
Год: 1998 1146. Романов, Валерий Павлович. Ионные дрейфово-диффузионные процессы в диэлектрических слоях МДП-структур
Год: 1998 1147. Романюк, Оксана Степановна. Исследование рензонансных состояний в бесщелевых и узкозонных полупроводниках
Год: 1998 1148. Рудаков, Валерий Иванович. Неизотермические процессы в системах на основе кремния
Год: 1998 1149. Сабитов, Олег Юрьевич. Исследование методов повышения эффективности электролюминесценции в пленочных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем
Год: 1998 1150. Сапега, Виктор Федорович. Фотолюминесценция горячих электронов и комбинационное рассеяние света в структурах с квантовыми ямами CaAs/AlAs
Год: 1998 |
