|
Всего работ:458
301. Подгорная Светлана Владимировна. Модифицированные составы и ресурсосберегающие процессы получения Mn-Zn-ферритов для высокочастотных силовых трансформаторов
Год: 2004 302. Простомолотов Анатолий Иванович. Разработка и применение методов моделирования в технологиях выращивания монокристаллов из расплава
Год: 2004 303. Самойликов Роман Вячеславович. Исследование эксплуатационных характеристик теплообменных систем оборудования полупроводникового производства
Год: 2004 304. Сизов Алексей Владимирович. Механизмы переноса носителей заряда в солнечных батареях на основе a-Si:H и его сплавов И c-Si
Год: 2004 305. Хлопов Борис Васильевич. Разработка физических принципов и создание оборудования для модификации магнитных состояний тонкопленочных слоев магнитных носителей информации
Год: 2004 306. Шишков Максим Викторович. Получение твердых растворов GalnAsP на подложках пористого фосфида индия
Год: 2004 307. Апраксин Дмитрий Васильевич. Разработка, исследование и моделирование процессов изготовления интегрально-оптических элементов в кристаллах ниобата лития
Год: 2003 308. Баранник Алексей Анатольевич. Исследование кристаллогенезиса полупроводников A^III B^V из висмутсодержащих расплавов (На примере InSbBi, AlInSbBi)
Год: 2003 309. Гурьянов Андрей Валерьевич. Формирование упорядоченных упаковок наносфер SiO_2 и применение структур на их основе в функциональной электронике
Год: 2003 310. Драка Оксана Евгеньевна. Гетероструктуры InSb_1-x Bi_x/InSb и GaSb_1-x Bi_x/GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства
Год: 2003 311. Драка Оксана Евгеньевна. Гетероструктуры InSb1-x Bi x /InSb и GaSb1-x Bi x /GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства
Год: 2003 312. Епимахов Игорь Дмитриевич. Оптимизация условий выращивания и использование "третьего" компонента в процессах получения совершенных монокристаллов кремния методом Чохральского для СБИС
Год: 2003 313. Зорин Андрей Владимирович. Фазовые равновесия в системах Cd-Te, Zn-Se-Cr, Zn-Se-Co
Год: 2003 314. Капустин Евгений Николаевич. Разработка и исследование методов и средств повышения технического уровня элементной базы вакуумных систем и эксплуатационных характеристик промышленного оборудования тонкопленочных технологий
Год: 2003 315. Каратунов Юрий Владимирович. Моделирование и оптимизация параметров технологических процессов химического осаждения тонких пленок из газовой фазы в производстве приборов электронной техники
Год: 2003 316. Каримбеков Мырзамамат Арзиевич. Физико-технологические основы пленочных термоэлектрических преобразователей измерительного назначения
Год: 2003 317. Копейкин Андрей Николаевич. Исследование и разработка материалов пленочных сорбентов и структур интегральных сорбционно-емкостных сенсоров для измерения влажности технологических газов микроэлектроники
Год: 2003 318. Малибашев Александр Владимирович. Моделирование технологически значимых процессов, определяющих термомиграцию жидких включений в полупроводниковых кристаллах
Год: 2003 319. Патаридзе Зураб Гивиевич. Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником
Год: 2003 320. Русаков Демьян Николаевич. Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероэпитаксиальных структур SiGe/Si
Год: 2003 321. Рыжов Максим Вадимович. Разработка процесса получения ВТСП пленок для устройств функциональной электроники
Год: 2003 322. Тарасов Роман Юльевич. Исследование и моделирование функциональных и эксплуатационных характеристик приборов и оборудования для высокоточных температурных технологий
Год: 2003 323. Фейгельсон Борис Николаевич. Получение и исследование крупных монокристаллов синтетического алмаза для применения в полупроводниковой технике
Год: 2003 324. Шермагина Елена Юрьевна. Исследование конструктивно-технологических особенностей проектирования высокоизбирательных фильтров на поверхностных акустических волнах в условиях крупносерийного производства
Год: 2003 325. Белянин Алексей Федорович. Выращивание плазменными методами пленок алмаза и родственных материалов (алмазоподобных, нитрида алюминия, оксида цинка) и применение многослойных структур на основе этих пленок в микро- и акустоэлектронике
Год: 2002 326. Гончарова Наталья Вячеславовна. Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра
Год: 2002 327. Казанцев Сергей Геннадьевич. Проходная оптика мощных широкоапертурных импульсных лазеров среднего ИК диапазона
Год: 2002 328. Ковалгин, Алексей Юрьевич. Исследоввание процессов плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния
Год: 2002 329. Кох Александр Егорович. Метод управления процессами тепломассопереноса при выращивании кристаллов посредством изменения симметрии и вращения теплового поля
Год: 2002 330. Красников Анатолий Сергеевич. Технология, фазовый состав, тонкая структура и свойства фотоситаллов и алюмооксидной керамики
Год: 2002 331. Мышкин Алексей Леонидович. Получение твердых растворов AllnGaPAs и InGaPSbAs на основе арсенида галлия из жидкой фазы
Год: 2002 332. Олива Эдуард Владимирович. Получение гетероструктур на основе германия и арсенида индия для термофотоэлектрических преобразователей
Год: 2002 333. Панкрашкин Алексей Владимирович. Технология и исследование конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца
Год: 2002 334. Панфилов Игорь Владимирович. Применение математического моделирования для анализа процессов теплообмена при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского в промышленных установках
Год: 2002 335. Семенова Ирина Александровна. Тонкие пленки углерода: выращивание пучками заряженных частиц, фазообразование, строение и свойства
Год: 2002 336. Столярова Валентина Вячеславовна. Моделирование и получение твердых растворов InAlGaPAs на подложках GaAs и InP
Год: 2002 337. Фролов Андрей Михайлович. Материаловедческие основы технологии получения термоэлектрических модулей из слитков твердых растворов Bi2 Te3-Bi2 Se3 и Bi2 Te3-Sb2 Te3 большого диаметра
Год: 2002 338. Чухраев Игорь Владимирович. Повышение оперативности управления технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика МДП-ИС
Год: 2002 339. Шерченков Алексей Анатольевич. Закономерности формирования и свойства гетероструктур на основе неупорядоченных полупроводников
Год: 2002 340. Благина Лариса Васильевна. Кристаллизация твердых растворов InSbBi, AllnSbBi и AlGaInSbBi с заданным энергетическим спектром в поле температурного градиента
Год: 2001 341. Воробьев, Владимир Александрович. Материаловедческие аспекты разработки материалов для диэлектрических слоев ГИС на металлодиэлектрических подложках
Год: 2001 342. Горбулин Григорий Львович. Фотопроводимость и плотность состояний в a-Si: H и сплавах на его основе
Год: 2001 343. Дворников Сергей Александрович. Синтез и исследование стекловидных диэлектрических материалов и пленок на их основе, полученных золь-гель методом
Год: 2001 344. Емельченко Александр Геннадьевич. Выращивание и некоторые свойства кристаллов розового фосфорсодежащего кварца
Год: 2001 345. Ермолаева Наталия Вячеславовна. Выращивание многокомпонентных твердых растворов соединений А3 В5 в области термодинамической неустойчивости методом зонной перекристаллизации градиентом температуры
Год: 2001 346. Зотова Милена Олеговна. Исследование влияния неточности изготовления на дополнительные аберрации магнитных быстродействующих отклоняющих систем и квадрупольных линз
Год: 2001 347. Калугин Виктор Владимирович. Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе
Год: 2001 348. Лысенко Любовь Николаевна. Использование нейтральных примесей, компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния
Год: 2001 349. Науменко Наталья Васильевна. Разработка и исследование гетероструктур InP/InGaAsP для систем волоконно-оптических линий связи и промышленной технологии их производства
Год: 2001 350. Образцов Андрей Александрович. Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюминия для преобразователя-генератора импульсов света
Год: 2001 |
