Каталог / ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ / Физика приборов, элементов и систем
скачать файл: 
- Название:
- Экспериментальные методы изготовления и исследования диодных структур на базе нанокристаллического пористого кремния Рогожина Галина Андреевна
- Альтернативное название:
- Experimental methods of manufacturing and studying diode structures based on nanocrystalline porous silicon Rogozhina Galina Andreevna
- ВУЗ:
- Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева
- Краткое описание:
- Рогожина, Галина Андреевна.
Экспериментальные методы изготовления и исследования диодных структур на базе нанокристаллического пористого кремния : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.01 / Рогожина Галина Андреевна; [Место защиты: Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева]. - Самара, 2019. - 122 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Рогожина Галина Андреевна
Введение
Глава 1. Структуры с пористым кремнием, методы получения и области применения
1.1 Структурные свойства и состав пористого кремния
1.2 Области применения структур с пористым кремнием
1.2.1 Применение ПК в качестве основы для фотодиодных структур
1.2.2 Применение ПК в качестве основы для светодиодов
1.2.3 Биомедицинское применение структур с ПК
1.3 Методы получения структур с пористым кремнием
1.4 Механизм формирования пористого кремния при электролитическом травлении
1.4.1 Химические процессы при образовании пористого кремния
1.4.2 Распределение потенциала в системе кремний-электролит и условия начального формирования пор
1.5 Основные факторы, влияющие на порообразование в кремниевых структурах
1.6 Компьютерное моделирование процессов порообразования
1.6.1 Моделирование электрических полей в электролитах с планарной границей «электрод-электролит» на основе интервальных вычислений
1.6.2 Модель порообразования на основе вероятностных клеточных автоматов
1.7 Выводы к главе
Глава 2. Методы изготовления нанокристаллических пористых кремниевых структур
2.1 Исходные характеристики и параметры образцов
2.2 Экспериментальная установка по получению ПК
2.3 Создание гетероструктуры SiC / Si
2.4 Метод легирования кремниевых пластин
2.5 Метод создания контактов к структурам с ПК
2.6 Выводы к главе
Глава 3. Методы исследование структур на базе ПК
3.1 Методы исследования структуры и состава
3.1.1 Оптическая микроскопия
3.1.2 Электронная микроскопия
3.1.3 ИК-спектроскопия и фотолюминесценция
3.2 Методы исследование электрических и оптических характеристик диодных структур на основе пористого кремния
3.2.1 Удельное сопротивление
3.3 Фотоэлектрические и оптические характеристики
3.3.1 Люкс-амперные характеристики
3.3.2 Измерение спектральных характеристик
3.4 Выводы к главе
Глава 4. Модель распределения поля в электролитической ячейке при образовании ПК на поверхностях с микрорельефом
4.1 Основные положения и уравнения модели
4.2 Распределение поля в объеме электролита
4.3 Распределение поля вблизи и внутри поры
4.4 Выводы к главе
Основные результаты и выводы
Список литературы
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб