Электронная энергетическая структура некоторых полупроводниковых халькогенидов и их твердых растворов Габрельян, Борис Витальевич

Краткое описание

Габрельян, Борис Витальевич.
Электронная энергетическая структура некоторых полупроводниковых халькогенидов и их твердых растворов : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Ростов-на-Дону, 1999. - 144 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Габрельян, Борис Витальевич
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ, ЭЛЕКТРОННО- 8 ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ А^СУ1, АПВУ1 И ИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ.
1.1. Халькогениды типа А11В ^
1.1.1. Кристаллическая структура и общая характеристика полупро- 8 водников типа АПВМ
1.1.2. Особенности ЭЭС полупроводников типа А11В41 по результатам 12 зонных расчетов.
1.1.3. Результаты рентгеноэлектронных и рентгеноспектральных ис- 17 следований ЭЭС полупроводников типа А^В^.
1.2. Халькогениды типа А1ВШС2У1.
1.2.1. Кристаллическая структура и общая характеристика полупро- 20 водников типа А'В"1^1.
1.2.2. Особенности ЭЭС полупроводников типа А'В111^1 по результа- 25 там зонных расчетов.
1.2.3. Результаты рентгеноэлектронных и рентгеноспектральных ис- 32 следований ЭЭС полупроводников типа А'В™^1 •
1.3. Твердые растворы на основе халькогенидов типа АПВУТ.
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА РАСЧЕТА ЭЛЕКТРОННОЙ ЭНЕРГЕТИЧЕ- 40 СКОЙ СТРУКТУРЫ И РЕНТГЕНОВСКИХ СПЕКТРОВ ПОГЛОЩЕНИЯ ТРОЙНЫХ И ДВОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ.
2.1. Применение метода многократного рассеяния высокого порядка 40 (программа РЕРГ7) для расчета рентгеновских спектров поглощения.
2.2. Применение метода полного многократного рассеяния в прибли- 52 жении локального когерентного потенциала для расчета электронной энергетической структуры твердых тел.
2.3. Методика расчета электронной энергетической структуры с ис- 62 пользованием метода локального когерентного потенциала и программы РЕРР7.
ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРОННАЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И РЕНТ- 64 ГЕНОВСКИЕ СПЕКТРЫ БИНАРНЫХ И ТРОЙНЫХ СОЕДИНЕНИЙ СТЕХИОМЕТРИЧЕСКОГО СОСТАВА.
3.1. Электронная энергетическая структура и особенности химической 64 связи бинарных халькогенидов типа АПВУ1.
3.1.1. ХАЫЕ8 К-спектры и плотность незанятых состояний соединений л По VI типа А В
3.1.2. Плотность состояний у вершины валентной полосы и ширины 76 запрещенных полос соединений типа АПВУ1.
3.2. Электронная энергетическая структура и особенности химической 82 связи тройных халькогенидов типа А1ВШС21.
3.2.1. Расчет параметров решетки халькопиритов типа А'ВШС^.
3.2.2. ХАМЕБ К-спектры и плотность незанятых состояний соединений 86 типа А1ВШСУ1.
3.2.3. Плотность состояний у вершины валентной полосы и ширины 96 запрещенных полос соединений типа А'В™^1.
ГЛАВА 4. ЭЛЕКТРОННАЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ПСЕВ- 113 ДОБИНАРНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ г^е^.
4.1. Кристаллическая структура и общая характеристика полупровод- 113 никовых твердых растворов 7п5х5е1.х.
4.2. Приближение виртуального кристалла.
4.3. Учет химического разупорядочения.
4.4. Простая тетрагональная структура.
4.5. Структура халькопирита.