Каталог / ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ / Физика полупроводников
скачать файл: 
- Название:
- Физические и конструктивно-технологические решения по созданию высоковольтных и лавинных 4H-SIC диодов Лебедева Наталья Михайловна
- Альтернативное название:
- Physical and design-technological solutions for the creation of high-voltage and avalanche 4H-SIC diodes Lebedeva Natalia Mikhailovna
- ВУЗ:
- ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
- Краткое описание:
- Лебедева, Наталья Михайловна.
Физические и конструктивно-технологические решения по созданию высоковольтных и лавинных 4H-SIC диодов : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 1.3.11. / Лебедева Наталья Михайловна; [Место защиты: ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук ; Диссовет ФТИ 34.01.02]. - Санкт-Петербург, 2024. - 131 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Лебедева Наталья Михайловна
Введение
Глава 1. Лавинный пробой идеализированного одномерного диода и краткий обзор основных постростовых технологий
§ 1.1 Лавинный пробой идеализированного одномерного диода
§ 1.2. Основные постростовые технологии, используемые при изготовлении приборов на 81С
1.2.1. Реактивно-ионное травление
1.2.2 Омические контакты
1.2.3. Барьеры Шоттки
1.2.4. Термическое окисление
1.2.5. Радиационные технологии
§ 1.3. Охранные системы высоковольтных приборов
Глава 2. Моделирование охранной системы в виде краевой полуизолирущей области для высоковольтных лавинных диодов с р-п-переходом
§2.1 Принципы формирования охранной системы с помощью краевых полуизолирующих слоев
§2.2 Моделирование высоковольтного диода с р-п-переходом и охранной системой в виде краевой полуизолирующей области
§3.2 Технология изготовления диодов
§ 3.3 Экспериментальные результаты
§4.2 Экспериментальные результаты
Глава 5. Микропрофилирование 4Н^С структур сухим травлением
§ 5.1. Структура полевого транзистора с затвором Шоттки на основе 4Н-81С
§ 5.2 Травление мезаструктур до полуизолирующей подложки методом ионно-лучевого травления
§5.3 Травление канала методом реактивного ионно-плазменного травления (РИПТ)
§5.4 Электрические характеристики полевого транзистора с затвором Шоттки, полученного с использованием методов сухого травления
Глава 6. Высоковольтные лавинные диоды с р-п-переходом и прямой фаской
§6.2 Технология создания охранного контура в виде прямой фаски
Заключение: основные результаты и выводы
Список основных публикаций по теме
Тезисы докладов и труды конференций:
Список литературы
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб