Физические и конструктивно-технологические решения по созданию высоковольтных и лавинных 4H-SIC диодов Лебедева Наталья Михайловна




  • скачать файл:
  • Название:
  • Физические и конструктивно-технологические решения по созданию высоковольтных и лавинных 4H-SIC диодов Лебедева Наталья Михайловна
  • Альтернативное название:
  • Physical and design-technological solutions for the creation of high-voltage and avalanche 4H-SIC diodes Lebedeva Natalia Mikhailovna
  • Кол-во страниц:
  • 131
  • ВУЗ:
  • ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
  • Год защиты:
  • 2025
  • Краткое описание:
  • Лебедева, Наталья Михайловна.
    Физические и конструктивно-технологические решения по созданию высоковольтных и лавинных 4H-SIC диодов : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 1.3.11. / Лебедева Наталья Михайловна; [Место защиты: ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук ; Диссовет ФТИ 34.01.02]. - Санкт-Петербург, 2024. - 131 с. : ил.
    Оглавление диссертациикандидат наук Лебедева Наталья Михайловна
    Введение
    Глава 1. Лавинный пробой идеализированного одномерного диода и краткий обзор основных постростовых технологий
    § 1.1 Лавинный пробой идеализированного одномерного диода
    § 1.2. Основные постростовые технологии, используемые при изготовлении приборов на 81С
    1.2.1. Реактивно-ионное травление
    1.2.2 Омические контакты
    1.2.3. Барьеры Шоттки
    1.2.4. Термическое окисление
    1.2.5. Радиационные технологии
    § 1.3. Охранные системы высоковольтных приборов
    Глава 2. Моделирование охранной системы в виде краевой полуизолирущей области для высоковольтных лавинных диодов с р-п-переходом
    §2.1 Принципы формирования охранной системы с помощью краевых полуизолирующих слоев
    §2.2 Моделирование высоковольтного диода с р-п-переходом и охранной системой в виде краевой полуизолирующей области
    §3.2 Технология изготовления диодов
    § 3.3 Экспериментальные результаты
    §4.2 Экспериментальные результаты
    Глава 5. Микропрофилирование 4Н^С структур сухим травлением
    § 5.1. Структура полевого транзистора с затвором Шоттки на основе 4Н-81С
    § 5.2 Травление мезаструктур до полуизолирующей подложки методом ионно-лучевого травления
    §5.3 Травление канала методом реактивного ионно-плазменного травления (РИПТ)
    §5.4 Электрические характеристики полевого транзистора с затвором Шоттки, полученного с использованием методов сухого травления
    Глава 6. Высоковольтные лавинные диоды с р-п-переходом и прямой фаской
    §6.2 Технология создания охранного контура в виде прямой фаски
    Заключение: основные результаты и выводы
    Список основных публикаций по теме
    Тезисы докладов и труды конференций:
    Список литературы
  • Список литературы:
  • -
  • Стоимость доставки:
  • 230.00 руб


ПОИСК ДИССЕРТАЦИИ, АВТОРЕФЕРАТА ИЛИ СТАТЬИ


Доставка любой диссертации из России и Украины


ПОСЛЕДНИЕ СТАТЬИ И АВТОРЕФЕРАТЫ

ГБУР ЛЮСЯ ВОЛОДИМИРІВНА АДМІНІСТРАТИВНА ВІДПОВІДАЛЬНІСТЬ ЗА ПРАВОПОРУШЕННЯ У СФЕРІ ВИКОРИСТАННЯ ТА ОХОРОНИ ВОДНИХ РЕСУРСІВ УКРАЇНИ
МИШУНЕНКОВА ОЛЬГА ВЛАДИМИРОВНА Взаимосвязь теоретической и практической подготовки бакалавров по направлению «Туризм и рекреация» в Республике Польша»
Ржевский Валентин Сергеевич Комплексное применение низкочастотного переменного электростатического поля и широкополосной электромагнитной терапии в реабилитации больных с гнойно-воспалительными заболеваниями челюстно-лицевой области
Орехов Генрих Васильевич НАУЧНОЕ ОБОСНОВАНИЕ И ТЕХНИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЭФФЕКТА ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ КОАКСИАЛЬНЫХ ЦИРКУЛЯЦИОННЫХ ТЕЧЕНИЙ
СОЛЯНИК Анатолий Иванович МЕТОДОЛОГИЯ И ПРИНЦИПЫ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССАМИ САНАТОРНО-КУРОРТНОЙ РЕАБИЛИТАЦИИ НА ОСНОВЕ СИСТЕМЫ МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА