Формирование двумерных слоев Sb и Pb: их атомная и электронная структура Ксёнз Андрей Сергеевич

Краткое описание

Ксёнз, Андрей Сергеевич.
Формирование двумерных слоев Sb и Pb: их атомная и электронная структура : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Ксёнз Андрей Сергеевич; [Место защиты: ФГБУН «Институт физики твердого тела Российской академии наук»]. - Черноголовка, 2020. - 124 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Ксёнз Андрей Сергеевич
Оглавление
Введение
Глава 1. Обзор литературы
1.1. Модель свободных электронов
1.2. Электрон в периодическом потенциале
1.3. Пайерлсовская неустойчивость
1.4. Локальное нарушение пайерлсовского перехода
1.5 Рост тонких пленок РЬ на поверхности Si(111)
1.6 Модель электронного роста
1.7. Выбор объектов исследования
1.7.1. Пайерлсовские полуметаллы БЬ(111) и Б1(111)
1.7.2. Расслоение наноостровков РЬ при росте на вицинальной поверхности
Выводы к Главе
Глава 2. Методика моделирования в приближении ТФП
2.1 Уравнение Шредингера для многочастичной задачи
2.2 Катастрофа Ван Флека
2.3 Приближение Борна-Оппенгеймера (приближение закрепленных атомов)
2.4 Приближение невзаимодействующих электронов
2.5 Принцип Паули
2.6 Приближение среднего поля (потенциал Хартри)
2.7 Уравнение Хартри-Фока
2.7 Приближение Томаса-Ферми
2.8 Теория функционала плотности
2.8.1 Полная энергия основного состояния
2.8.2 Теоремы Хоэнберга-Кона
2.8.3 Самосогласованное уравнения Кона-Шэма
2.8.4 Обменно-корреляционные функционалы
2.8.5 Численное решение уравнений Кона-Шэма
2.9 Программа УЛБР
2.10 Моделирование СТМ изображений
2.11 Создание структур и выбор параметров расчетов
2.11.1 Моделирование объемного кристалла
2.11.2 Моделирование поверхности
Выводы к главе
Глава 3. Локальное нарушение пайерлсовского перехода на поверхности 8Ъ(111)
3.1 Кристаллическая структура Sb(111)
3.2 Атомная структура дефекта
3.3 Энергетические вклады дефектов
3.4 Электронная структура дефекта
3.5 Зонная структура БЪ и поверхностные состояния на поверхности БЪ(111)
Выводы к Главе
Глава 4. Особенности интерфейса тонкой пленки РЪ и БЪ(111)
4.1 Атомная структура тонкой пленки РЪ на поверхности БЪ(111)
4.2 Моделирование СТМ изображения тонкой пленки РЪ на поверхности БЪ(111)
4.3 Перераспределения заряда на интерфейсе РЬ/БЬ(111)
Выводы к Главе
Глава 5. Формирование двойниковой границы в тонкой пленке Pb(111)
5.1 Энергия образования планарного дефекта
5.2 Моделирование кристаллической структуры с двойниковой границей в тонкой пленке
5.3. Начальная стадия формирования двойниковой границы
5.3.1. Одиночный атом на поверхности РЬ(111)
5.3.2. Формирование кластера атомов на поверхности РЬ(111)
5.3.3. Формирование димеров РЬ на поверхности РЬ(111)
Выводы к Главе
Заключение
Приложения
Приложение 1. Метод оценки энергии напряжения слоистой структуры
Благодарности
Список использованной литературы