Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках Воробьев, Юрий Васильевич

Краткое описание

Воробьев, Юрий Васильевич.
Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Киев, 1983. - 367 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Воробьев, Юрий Васильевич
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. Межпримесное взаимодействие и его роль в процессах генерации и захвата горячих носителей заряда в компенсированном полупроводнике
§ I. Особенности энергетического спектра и рекомби-национных характеристик, обусловленные наличием примесных комплексов
§ 2. Влияние донорно-акцепторного взаимодействия на равновесную электропроводность высокоомно-го компенсированного полупроводника
§ 3. Эффект модуляции сечений захвата носителей заряда на примесные центры и его влияние на неравновесные процессы.
§ 4. Оже-процессы с участием связанных носителей заряда.
ГЛАВА II.Горячие оже-электроны и процессы ионизации примесных центров.
§ I. Проявление ионизационных процессов в кинетике заполнения примесных центров электронами при низкотемпературном возбуждении . бб
§ 2. Влияние электрического поля на процессы ионизации примесных центров оже-электронами
§ 3. Оже-возбуждение фотопроводимости
§ 4. Влияние ионизационных процессов на ход энергетической релаксации горячих электронов
ГЛАВА III.Влияние электрического поля на релаксацию горячих электронов в полупроводнике с неэквивалентными долинами зоны проводимости
§ I. Энергетическая зависимость скорости остывания горячего электрона в полупроводнике с неэквивалентными долинами.
§ 2. Влияние электрического поля на процессы релаксации. "Убегание" электронов в верхние долины зоны проводимости в полупроводнике типа . . ИЗ
§ 3. Проявление особенностей релаксационного процесса в ионизационных эффектах
§ Некоторые параметры электронов высоких энергий в полупроводнике с неэквивалентными долинами
ГЛАВА 1У.Особенности влияния электрического поля на генерацию и рекомбинацию носителей заряда с участием примесных уровней в компенсированном полупроводнике
§ I. Влияние электрического поля на процессы захвата носителей заряда в компенсированном полупроводнике. Полевая перезарядка примесных уровней.
§ 2. Исследование оптической ионизации примесных центров в электрическом поле
§ 3. Фотопроводимость высокоомного компенсированного полупроводника в сильном однородном электрическом поле
§ 4. Проявление межпримесного взаимодействия в ге-нерационно-рекомбинационных полевых эффектах
ГЛАВА У. Захват и рекомбинация носителей заряда в условиях доменной неустойчивости электрического тока в высокоомном компенсированном полупроводнике
§ I. Методы исследования образцов с высокополевыми доменами.
§ 2. Механизмы N -образности ВАХ компенсированного полупроводника в условиях оптического возбуждения
§ 3.Исследование процессов формирования высокополевых областей в компенсированных кристаллах
§ 4. "Электронные" и "дырочные" рекомбинационные домены.
ГЛАВА У1. Процессы тепловой релаксации при оптическом возбуждении горячих носителей заряда
§ Г. Кинетика тепловыделения в кристалле при различных способах возбуждения
§ 2. Методика исследования кинетики тепловой релаксации при импульсном оптическом возбуждении
§ 3. Способы определения энергетических и кинетических характеристик полупроводника, основанные на изучении тепловой релаксации
§ 4. Некоторые результаты экспериментального исследования эффектов релаксационного и рекомбинационного нагрева
ГЛАВА УН.Некоторые способы и устройства обработки оптической информации, использующие эффекты горячих носителей в высокоомном компенсированном полупроводнике
§ I. Сканирование изображений с помощью полупроводникового кристалла с движущимся высокополевым доменом.
§ 2. Сканирующий приемник излучения с теневым штрихом.
§ 3. Одномерное разложение изображений при сканировании движущейся границей "свет-тень"
§ 4. Одномерное и двумерное разложение изображений на однородном кристалле при помощи быстро движущегося светового луча.