Гибридные структуры на основе III-V полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремнии Резник Родион Романович

Краткое описание

Резник, Родион Романович.
Гибридные структуры на основе III-V полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремнии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Резник Родион Романович; [Место защиты: Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук]. - Санкт-Петербург, 2019. - 104 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Резник Родион Романович
Введение
Глава
Синтез нитевидных нанокристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии: современное состояние и перспективы развития
1.1. Механизмы роста нитевидных нанокристаллов на активированных поверхностях
1.2. Кристаллическая структура нитевидных нанокристаллов
1.3. Потенциальный профиль ННК, содержащий сегменты различной кристаллической структуры
1.4. Проблема интеграции Ш-У соединений на кремнии
1.5. Гибридные нитевидные нанокристаллы с квантовой точкой
1.6. Синтез Ш-К и других Ш-У материалов на подложке
Глава
Экспериментальные установки и методы
2.1. Ростовые методы и установки
2.2. Комплекс регистрации и анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение
2.3. Особенности калибровки потока материала из источника галлия
2.4. Особенности калибровки потока материала из источника алюминия
2.5. Метод растровой электронной микроскопии
2.6. Метод просвечивающей электронной микроскопии
2.7. Измерение оптических свойств наноструктур методом фотолюминесценции
2.8. Измерение оптических свойств наноструктур методом рамановского рассеяния
Глава
Нитевидные нанокристаллы на основе системы InAsP/InP на кремниевой подложке
3.1. МПЭ синтез и свойства 1пР нитевидных нанокристаллов
3.2. МПЭ синтез и свойства нитевидных нанокристаллов на основе InAsP/InP
3.3. Влияние термической обработки на структурные и оптические свойства InAsP/InP ННК
Глава
111-У нитевидные нанокристаллы на гибридной подложке SiC/Si
4.1. МПЭ синтез GaN, GaAs, AlGaAs и InAs нитевидных нанокристаллов на гибридной подложке ЙС/Й
4.2. Морфологические и оптические свойства GaN нитевидных нанокристаллов на гибридной подложке SiC/Si
4.3. Морфологические и оптические свойства GaAs, AlGaAs и 1пЛ8 нитевидных нанокристаллов на гибридной подложке SiC/Si
Глава
Нитевидные нанокристаллы на основе системы GaAs/AlGaAs на кремниевой подложке
5.1. МПЭ синтез AlGaAs нитевидных нанокристаллов на кремниевой подложке
5.2. Морфологические и структурные свойства AlGaAs нитевидных нанокристаллов на кремниевой подложке
5.3. Оптические свойства AlGaAs нитевидных нанокристаллов на кремниевой подложке
5.4. МПЭ синтез нитевидных нанокристаллов на основе GaAs/AlGaAs на кремниевой подложке
5.5. Морфологические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов на основе GaAs/AlGaAs на кремниевой подложке
5.6. Оптические свойства нитевидных нанокристаллов на основе GaAs/AlGaAs на кремниевой подложке
Заключение