Исследование электронной и атомной структуры систем Gd/GaAs(110) и Dy/GaAs(110) в широком интервале температур Чайка, Александр Николаевич

Краткое описание

Чайка, Александр Николаевич.
Исследование электронной и атомной структуры систем Gd/GaAs(110) и Dy/GaAs(110) в широком интервале температур : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 1999. - 123 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Чайка, Александр Николаевич
Введение.
Глава 1. Литературный обзор.
1.1. Атомарно-чистая поверхность ОаАБ(110).
1.2. Формирование пленок металлов.
1.3. Электронные свойства контакта металл-полупроводник.
1.4. Формирование интерфейсов в системах редкоземельный элемент-поверхность ОаАз(110).
1.5. Краткие выводы и постановка задачи.
Глава 2. Методика эксперимента.
Общие замечания.
2.1. Методы анализа атомной структуры поверхности.
2.1.1. Дифракция медленных электронов.
2.1.2 Оже-электронная спектроскопия.
2.2. Методы анализа электронной структуры поверхности.
2.2.1. Спектроскопия характеристических потерь энергий электронов.
2.2.2. Фотоэлектронная спектроскопия.
2.3. Методика формирования слоев Ос! и Эу на поверхности ОаАБ(110).
2.4. Методика низкотемпературного эксперимента.
2.5. Экспериментальные установки.
Глава 3. Исследование системы Ос1/ОаА8(110) в диапазоне температур 20—300 К.
3.1. Экспериментальные результаты.
3.1.1. Дифракция медленных электронов.
3.1.2. Фотоэлектронная спектроскопия.
3.1.3. Спектроскопия характеристических потерь энергий электронов.
3.2. Обсуждение результатов.
3.2.1. Формирование интерфейса вс1/ОаА8(110) при низких и комнатной температурах.
3.2.2. Зависимость механизма роста от температуры подложки.
3.2.3. Формирование барьера Шоттки в системе 0(ШаА8(110).
3.3. Краткие выводы.
Глава 4. Исследование системы Бу/ваАз^ 10) в диапазоне температур 20—300 К.
4.1. Экспериментальные результаты.
4.1.1. Дифракция медленных электронов.
4.1.2. Фотоэлектронная спектроскопии.
4.1.3. Спектроскопия характеристических потерь энергий электронов.
4.2. Обсуждение результатов.
4.2.1. Зависимость морфологии слоя и образующихся в интерфейсе продуктов реакции от температуры подложки.
4.2.2. Формирование барьера Шоттки в системе Оу/ОаАз(ПО) при
100 К и 300 К. Связь величины барьера со структурой интерфейса.
4.3. Краткие выводы.