Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия Гим Гван Дё, 0

Краткое описание

Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Гим Гван Дё, 0
Введение
Глава I. Влияние электрического и магнитного полей на поглощение света в полупроводниках. Фоточувствительность р-п-переходов.
§ I.I. Край основной полосы поглощения полупроводников и его изменение в электрическом поле. П
§ 1.2. Энергетические состояния в магнитном поле и магнитооптическое поглощение
§ 1.3. Теоретические выражения для фоточувствительности электронно-дырочных переходов
Выводы.
Глава П. Техника эксперимента. Исследование диффузионных длин избыточных носителей заряда в магнитном поле
§ 2.1. Методика изготовления р-п-переходов
§ 2.2. Методика измерений спектральных и вольтфарэдных характеристик р-п-переходов
§ 2.3. Получение и измерение магнитных полей
§ 2.4. Методика измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда.
§ 2.5. Определение диффузионных длин неосновных носителей заряда. Исследование влияния магнитного поля на диффузионные длины электронов и дырок
Выводы.
Глава Ш. Спектры коэффициента поглощения р-п-структур на основе антимонида индия
§ 3.1. Методика определения коэффициента поглощения в области энергии tiw <:
§3.2. Методика определения коэффициента поглощения в области энергии Ъ^г,
§3.3. Экспериментальные результаты по определению коэффициента поглощения.
А, Область энергии "fcw-s^.
Б. Область энергии ? ^.
§ 3.4. Экспериментальные результаты определения коэффициента поглощения света в 1и Sg р-п-структурах в магнитном поле. Ю
Выводы.
Глава 1У. Влияние электрического поля слоя объемного заряда на фоточувствительность In5К п+-р--переходов вблизи края основной полосы поглощения
§ 4.1. Образцы для исследования
§ 4.2. Экспериментальное исследование влияния электрического поля на фоточувствительность IhSE п+-р--перехрдов.
§ 4.3. Сравнение экспериментальных результатов с теоретическими расчетами и литературными данными
Выводы.
Глава У. Исследование спектров фототока сурьмянистоиндиевых р-п-переходов в квантующих магнитных полях
§ 5.1. Постановка задачи
5.1.1. Условия проведения эксперимента
5.1.2. Образцы для исследования
5.1.3. Требования к геометрии р-п-структур
§ 5.2. Экспериментальные осцилляционные спектры фототока в магнитном поле.
§ 5.3. Изменение магнитооптического спектра фототока при изменении обратного смещения на р-п-переходе
Выводы.