Исследование механизма пассивации поверхности InAs(111)A фторсодержащими анодными слоями Аксенов Максим Сергеевич

Краткое описание

Аксенов, Максим Сергеевич.
Исследование механизма пассивации поверхности InAs(III)A фторсодержащими анодными слоями : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Аксенов Максим Сергеевич; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН]. - Новосибирск, 2019. - 156 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Аксенов Максим Сергеевич
Введение
Глава 1. Литературный обзор
§ 1.1. Проблемы и способы формирования границ раздела диэлек-
трик/InAs(AзB5)
§ 1.2. Предварительная химическая подготовка поверхности InAs
§ 1.3. Пассивация InAs анодными оксидными слоями
1.3.1. Электролитическое окисление InAs
1.3.2. Плазмохимическое окисление InAs
§ 1.4. Другие способы пассивации InAs
1.4.1. Пассивация псевдоморфными слоями Si, Ge
1.4.2. Пассивация халькогенидами Se)
§ 1.5. Осаждение химически инертных диэлектрических слоев
1.5.1. Диоксид кремния ^Ю2)
1.5.2. High-k диэлектрики
1.5.2.1. Оксид алюминия (Al2O3)
1.5.2.2. Диоксид гафния (НЮ2)
1.5.2.3. Другие диэлектрики (ЬаЬи03, ТЮ2, Та205)
1.5.2.4. Формирование границы раздела high-k диэлектрик/InAs методом атомно-слоевого осаждения
§ 1.6. Модели состояний на границах раздела диэлектрик/А3В5
§ 1.7. Теоретическое моделирование атомного и электронного строения границ
раздела диэлектрик/А3В5
§ 1.8. Основные результаты и выводы главы
Глава 2. Описание экспериментальных и численных методик
§ 2.1. Описание образцов и методики подготовки поверхности InAs
§ 2.2. Электролитическое окисление InAs
§ 2.3. Методы исследования физико-химических свойств поверхности 1пЛб,
анодных оксидов и границ раздела анодный оксидЯпЛБ
§ 2.4. Методы изучения электрофизических свойств 1пЛб МОП-структур
2.4.1 Измерение ВФХ МОП-структур
2.4.1 Расчет теоретических ВФХ и плотности интерфейсных состояний в
МОП-структуре
§ 2.5. Квантово-химические расчеты адсорбции и коадсорбции атомов кислорода и фтора на нереконструированную - (1x1) поверхность 1пЛб(111)Л
Глава 3. Разработка метода анодного окисления 1пАз в низкоэнергетической таунсендовской газоразрядной плазме (ТГП)
§ 3.1. Конструкция установки
§ 3.2. Изучение процесса окисления InAs в газоразрядной плазме
3.2.1. Кривые Пашена и однородность горения плазмы
3.2.2. Вольт-амперные характеристики газового разряда
§ 3.3. Влияние окисления на морфологию поверхности 1пЛб(111)Л
§ 3.4. Латеральная однородность толщины и состава анодных слоев
§ 3.5. Кинетические закономерности роста анодных слоев
§ 3.6. Основные результаты и выводы главы
Глава 4. Экспериментальное изучение влияния фтора на электронные и физико-химические свойства границы раздела анодный оксид/1пЛ8(111)Л
§ 4.1. Электронные свойства границ раздела АО(ФАО)/1пЛв(111)Л
§ 4.2. Структурно-морфологические особенности границы раздела
АО(ФАО)/InAs(Ш)A
§ 4.3. Химический состав анодных слоев и границы раздела
4.3.1. Состав слоев, выращенных в щелочном электролите
4.3.2. Состав слоев, выращенных в кислотном электролите
4.3.3. Состав слоев, выращенных в ТГП
§ 4.4. Взаимосвязь плотности интерфейсных состояний, морфологии и хими-
ческого состава границы раздела АО(ФАО)/InAs(111)A
§ 4.5. Основные результаты и выводы главы
Глава 5. Изучение влияния количества фтора на атомную и электронную структуры границы раздела анодный оксидЛпАз
§ 5.1. Определение энергетически выгодных позиций адсорбции кислорода и
фтора на нереконструированной поверхности InAs(111)A-(1x1)
§ 5.2. Адсорбция кислорода
§ 5.3 Адсорбция фтора
§ 5.4 Совместная адсорбция кислорода и фтора
§ 5.5 Распределение разности зарядовой плотности
§ 5.6 О механизме влияния фтора на электронные свойства границы раздела ок-
сид/InAs
§ 5.7. Основные результаты и выводы главы
Заключение