Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg1-xTe Баженов, Николай Леонидович

Краткое описание

Баженов, Николай Леонидович.
Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg1-xTe : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1984. - 166 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Баженов, Николай Леонидович
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. Обзор литературы
§ 1.Х. Электрические и гальваномагнитные свойства Сс^хН^^х I^
0.2^x^0.3).
§ 1.2. Спектры фоточувствительности
§ 1.3. Исследование механизмов рекомбинации неравновесных носителей заряда в
§ 1.3.1* Межзонная рекомбинация
§ 1.3.2. Рекомбинация через локальные центры
ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.
ГЛАВА П. Методика измерений.
§ 2.1. Общая характеристика исследованных образцов
§ 2.2. Контакты к Сс1уН^/х ¡е.
§ 2.3. Измерение коэффициента Холла и проводимость
§ 2.4. Измерение спектров фотопроводимости
§ 2.5. Измерение релаксации фотопроводимости
§ 2.6. Измерение спектров шума.
§ 2.7. Погрешности измерений.
§ 2.8. Связь фотопроводимости с данными эксперимента
§ 2«8.1. Учет эффекта вытягивания неосновных носителей заряда
ГЛАВА Ш. Электрические и фотоэлектрические свойства исследованных кристаллов
§ 3.1. Злектрическме свойства.
§ 3.1.1. Оценка степени компенсации
§ 3.2. Спектры фоточувствительности.
§ 3.2.1. Область собственного поглощения
§ 3.2.2. Область примесного поглощения
§ 3.2.3. Изменение параметров образцов во времени
§ 3*3. Релаксация фотопроводимости ••••••
§ 3.3.1. Температурная зависимость времени релаксации ФП в компенсированных фисталлах.
§ 3.3.2. Температурная зависимость времени релаксации ФП в фисталлах с низкой степенью компенсации ••••••
ГЛАВА 1У. Фотопроводимость и рекомбинация неравновесных носителей заряда в
0.2с х< 0.3).
§ 4.1. Основные уравнения рекомбинационной модели, включющей 2 рекомбинационных уровня.
§ 4.2. Излучательная рекомбинация.
§ 4.3. Межзонная оже-рекомбинация
§ 4.4. Время релаксации в случае межзонной рекомбинации
§ 4.5. Время релаксации при рекомбинации через локальные центры.
- 4
§ 4.5.I. Случай кристаллов п-типа.
§ 4.5.2. Случай кристаллов р-типа • • • • •
§ 4.6. Кинетика неравновесных носителей заряда при рекомбинации через локальные центры.
§ 4.7. Релаксация ФП в случае сильного уровня возбувдения.
§ 4.8. Межзонная рекомбинация ё Cd^Hg^yJe
§ 4.8.1. Случай кристаллов /7-типа
§ 4.8.2. Случай |фисталлов р-типа.
§ 4.9. Рекомбинация через локальные центры
§ 4.9.1. Случай кристаллов /7-типа . . . . П
§ 4.9.2. Случай кристаллов р-типа
§ 4.Х0. Совместный анализ температурной зависимости времени релаксации
§П и генерационно-рекомбинационного шума.
§ 4.II. Редаксация ЗП при низких температурах
§ 4.12. Электрические и фотоэлектрические свойства дырочных кристаллов КРТ вблизи гелиевых температур
§ 4.13. Сравнительный анализ результатов, полученных различными авторами • •
§ 4.14. Центры рекомбинации в КРТ